-
公开(公告)号：CN117858975A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202280057451.1
申请日：2022-06-28
Applicant: 应用材料公司
Inventor： V·蔡 , P·K·库尔施拉希萨 , 蒋志钧 , 阮芳 , D·凯德拉亚
IPC: C23C16/44
Abstract: 示例性半导体处理方法可包括形成含氟前驱物的等离子体。方法可包括在半导体处理腔室的处理区域中执行腔室清洁。处理区域可被至少部分地限定在面板与基板支撑件之间。方法可包括在腔室清洁期间产生氟化铝。方法可包括使处理区域内的表面与含碳前驱物接触。方法可包括使氟化铝从处理区域的表面挥发。
Search Results
1
records
(took 0.015 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
