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公开(公告)号：CN110603634A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201880029349.4
申请日：2018-05-03
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 张轶珍 , R·乔德里 , J·D·平松二世 , J·M·舒浩勒 , H·K·帕纳瓦拉皮尔库马兰库提
IPC: H01L21/683 , H01L21/67
Abstract: 本文的实施方式提供了一种用于在诸如等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺之类的等离子体增强沉积工艺期间直接地监测衬底的温度的衬底温度监测系统。在一个实施方式中，一种衬底支撑组件包括：支撑轴；衬底支撑件，所述衬底支撑件设置在所述支撑轴上；以及衬底温度监测系统，所述衬底温度监测系统用于测量待设置在所述衬底支撑件上的衬底的温度。所述衬底温度监测系统包括光纤管、耦接到所述光纤管的光导、以及围绕所述光纤管和所述光导的接合处设置的冷却组件。在本文中，所述光导的至少一部分设置在延伸穿过所述支撑轴并进入所述衬底支撑件的开口中，并且所述冷却组件在衬底处理期间维持所述光纤管处于低于约100℃的温度。
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公开(公告)号：CN117178351A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202280029375.3
申请日：2022-03-16
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 示例性支撑组件可包括限定支撑表面的静电卡盘主体，所述支撑表面限定基板座。所述组件可包括与卡盘主体耦接的支撑杆。所述组件可包括嵌入在卡盘主体中的加热器。所述组件可包括第一双极电极，所述第一双极电极嵌入在加热器与支撑表面之间的静电卡盘主体中。所述组件可包括第二双极电极，所述第二双极电极嵌入在加热器与支撑表面之间的卡盘主体中。所述组件可包括至少一个内电容传感器，所述至少一个内电容传感器嵌入在静电卡盘主体中靠近基板座的中心的位置处。所述组件可包括至少一个外电容传感器，所述至少一个外电容传感器嵌入在静电卡盘主体中靠近基板座的周缘的位置处。
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公开(公告)号：CN116964710A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202180079522.3
申请日：2021-10-13
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 一种半导体处理系统包括远程等离子体源(RPS)、面板，以及定位在RPS与面板之间的输出歧管。输出歧管由与净化气源流体耦接的多个净化出口和与沉积气源流体耦接的多个沉积出口表征。输送管在RPS与面板之间延伸且流体耦接RPS和面板。输送管由大体圆柱形的侧壁，所述大体圆柱形的侧壁限定以径向图案布置的上部多个孔隙。上部孔隙中的每一者与净化出口中的一者流体耦接。大体圆柱形的侧壁限定下部多个孔隙，所述下部多个孔隙以径向图案布置且在上部多个孔隙下方。下部孔隙中的每一者与沉积出口中的一者流体耦接。
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公开(公告)号：CN108292589B
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN201680068218.8
申请日：2016-11-01
Applicant: 应用材料公司
Inventor： K·C·保罗 , J·D·平森二世 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 , H·K·博尼坎帝 , R·乔德里 , S·阿特尼 , S·坎帕拉 , H·K·帕纳瓦拉皮尔库马兰库提
IPC: H01L21/02 , H01L21/66 , H01L21/265
Abstract: 本公开的实施方案大体而言是关于一种改良的工厂接口，该工厂接口耦接到设以测量基板的膜性质的板载计量壳体。在一个实施方案中，一种设备包含工厂接口以及计量壳体，该计量壳体通过装载端口可移除地耦接到该工厂接口，该计量壳体包含板载计量组件，用于测量将被移送到该计量壳体中的基板的性质。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111288247A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN201911251108.7
申请日：2019-12-09
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本文所述的实施方式涉及用于工艺腔室中的机械隔离和热绝缘的装置和技术。在一个实施方式中，绝缘层被设置在圆顶组件和气体环之间。绝缘层被配置以维持圆顶组件的温度并且防止从圆顶组件到气体环的热能传递。绝缘层提供圆顶组件与气体环的机械隔离。绝缘层还在圆顶组件和气体环之间提供热绝缘。绝缘层可由含聚酰亚胺的材料制成，所述材料大幅地降低绝缘层变形的发生。
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公开(公告)号：CN108292589A
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201680068218.8
申请日：2016-11-01
Applicant: 应用材料公司
Inventor： K·C·保罗 , J·D·平森二世 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 , H·K·博尼坎帝 , R·乔德里 , S·阿特尼 , S·坎帕拉 , H·K·帕纳瓦拉皮尔库马兰库提
IPC: H01L21/02 , H01L21/66 , H01L21/265
CPC classification number: H01L21/67253 , G05B19/041 , G05B19/401 , G05B2219/31459 , G05B2219/40066 , H01L21/67196 , H01L21/67201 , H01L21/67207 , H01L21/67389 , H01L21/67724 , H01L21/67775 , H01L21/68707 , H01L21/68764
Abstract: 本公开的实施方案大体而言是关于一种改良的工厂接口，该工厂接口耦接到设以测量基板的膜性质的板载计量壳体。在一个实施方案中，一种设备包含工厂接口以及计量壳体，该计量壳体通过装载端口可移除地耦接到该工厂接口，该计量壳体包含板载计量组件，用于测量将被移送到该计量壳体中的基板的性质。
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公开(公告)号：CN111288247B
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN201911251108.7
申请日：2019-12-09
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本文所述的实施方式涉及用于工艺腔室中的机械隔离和热绝缘的装置和技术。在一个实施方式中，绝缘层被设置在圆顶组件和气体环之间。绝缘层被配置以维持圆顶组件的温度并且防止从圆顶组件到气体环的热能传递。绝缘层提供圆顶组件与气体环的机械隔离。绝缘层还在圆顶组件和气体环之间提供热绝缘。绝缘层可由含聚酰亚胺的材料制成，所述材料大幅地降低绝缘层变形的发生。
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公开(公告)号：CN113330533A
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN201980089223.0
申请日：2019-10-28
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32 , H01Q1/26 , H01L21/67 , H01L21/02 , H01L21/3065
Abstract: 本公开的实施例总体上涉及一种半导体处理设备。更具体地，本公开的实施例涉及产生和控制等离子体。处理腔室包括腔室主体，所述腔室主体包括一个或多个腔室壁并限定处理区域。处理腔室还包括处于同心轴向对准的两个或更多个感应驱动射频(RF)线圈，所述RF线圈布置在腔室壁附近以触发并维持腔室主体内的等离子体，其中的两个或更多个RF线圈中的至少两个处于递归配置。
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公开(公告)号：CN212389950U
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN201922220608.6
申请日：2019-12-09
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本文所述的实施方式涉及用于工艺腔室中的机械隔离和热绝缘的装置和技术，具体为一种用于工艺腔室的装置。在一个实施方式中，绝缘层被设置在圆顶组件和气体环之间。绝缘层被配置以维持圆顶组件的温度并且防止从圆顶组件到气体环的热能传递。绝缘层提供圆顶组件与气体环的机械隔离。绝缘层还在圆顶组件和气体环之间提供热绝缘。绝缘层可由含聚酰亚胺的材料制成，所述材料大幅地降低绝缘层变形的发生。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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