-
公开(公告)号：CN111288247B
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN201911251108.7
申请日：2019-12-09
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本文所述的实施方式涉及用于工艺腔室中的机械隔离和热绝缘的装置和技术。在一个实施方式中，绝缘层被设置在圆顶组件和气体环之间。绝缘层被配置以维持圆顶组件的温度并且防止从圆顶组件到气体环的热能传递。绝缘层提供圆顶组件与气体环的机械隔离。绝缘层还在圆顶组件和气体环之间提供热绝缘。绝缘层可由含聚酰亚胺的材料制成，所述材料大幅地降低绝缘层变形的发生。
-
公开(公告)号：CN113330533A
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN201980089223.0
申请日：2019-10-28
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32 , H01Q1/26 , H01L21/67 , H01L21/02 , H01L21/3065
Abstract: 本公开的实施例总体上涉及一种半导体处理设备。更具体地，本公开的实施例涉及产生和控制等离子体。处理腔室包括腔室主体，所述腔室主体包括一个或多个腔室壁并限定处理区域。处理腔室还包括处于同心轴向对准的两个或更多个感应驱动射频(RF)线圈，所述RF线圈布置在腔室壁附近以触发并维持腔室主体内的等离子体，其中的两个或更多个RF线圈中的至少两个处于递归配置。
-
公开(公告)号：CN111989770A
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN201980026191.X
申请日：2019-02-20
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 此处所述的实施例提供一种防止惰性气体形成寄生等离子体的背侧气体输送组件。背侧气体输送组件包括第一气体通道，所述第一气体通道设置于基板支撑组件的杆中。基板支撑组件包括基板支撑件，所述基板支撑件具有从第一气体通道延伸的第二气体通道。背侧气体输送组件进一步包括：多孔塞，所述多孔塞设置于第一气体通道内，定位于杆与基板支撑件的界面处；气源，所述气源连接至第一气体通道，配置成将惰性气体输送至设置于基板支撑件的上表面上的基板的背侧表面；以及气体管道，所述气体管道在第一气体通道中，延伸至定位于杆与基板支撑件的界面处的多孔塞。
-
公开(公告)号：CN111989770B
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN201980026191.X
申请日：2019-02-20
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 此处所述的实施例提供一种防止惰性气体形成寄生等离子体的背侧气体输送组件。背侧气体输送组件包括第一气体通道，所述第一气体通道设置于基板支撑组件的杆中。基板支撑组件包括基板支撑件，所述基板支撑件具有从第一气体通道延伸的第二气体通道。背侧气体输送组件进一步包括：多孔塞，所述多孔塞设置于第一气体通道内，定位于杆与基板支撑件的界面处；气源，所述气源连接至第一气体通道，配置成将惰性气体输送至设置于基板支撑件的上表面上的基板的背侧表面；以及气体管道，所述气体管道在第一气体通道中，延伸至定位于杆与基板支撑件的界面处的多孔塞。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111288247A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN201911251108.7
申请日：2019-12-09
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本文所述的实施方式涉及用于工艺腔室中的机械隔离和热绝缘的装置和技术。在一个实施方式中，绝缘层被设置在圆顶组件和气体环之间。绝缘层被配置以维持圆顶组件的温度并且防止从圆顶组件到气体环的热能传递。绝缘层提供圆顶组件与气体环的机械隔离。绝缘层还在圆顶组件和气体环之间提供热绝缘。绝缘层可由含聚酰亚胺的材料制成，所述材料大幅地降低绝缘层变形的发生。
-
公开(公告)号：CN105940480B
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201580006249.6
申请日：2015-01-12
Applicant: 应用材料公司
Inventor： A·坎古德 , S·巴录佳 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 , D·拉杰
IPC: H01L21/02
CPC classification number: C23C16/4412 , C23C16/4405 , C23C16/4408
Abstract: 本文所述的实施例总体上涉及防止半导体处理腔室内的污染物沉积以及从半导体处理腔室移除污染物。底部净化与泵送分别防止基座加热器下方的污染物沉积或从基座下方排出污染物。底部净化防止污染物沉积在基座下方，并且提供从定位成与被处理的基板基本上共面的处理腔室排气。底部泵送从处理腔室移除存在于基座下方的污染物。具体地，本文所述的实施例涉及经由基座波纹管和/或均衡端口的净化与泵送。
-
公开(公告)号：CN105940480A
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201580006249.6
申请日：2015-01-12
Applicant: 应用材料公司
Inventor： A·坎古德 , S·巴录佳 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 , D·拉杰
IPC: H01L21/02
CPC classification number: C23C16/4412 , C23C16/4405 , C23C16/4408
Abstract: 本文所述的实施例总体上涉及防止半导体处理腔室内的污染物沉积以及从半导体处理腔室移除污染物。底部净化与泵送分别防止基座加热器下方的污染物沉积或从基座下方排出污染物。底部净化防止污染物沉积在基座下方，并且提供从定位成与被处理的基板基本上共面的处理腔室排气。底部泵送从处理腔室移除存在于基座下方的污染物。具体地，本文所述的实施例涉及经由基座波纹管和/或均衡端口的净化与泵送。
-
公开(公告)号：CN103222033A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201180056390.9
申请日：2011-10-27
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/26 , H01L21/205
CPC classification number: H05B41/3921 , H01L21/67115 , H05B41/3922
Abstract: 本发明大致上涉及控制UV灯输出以增加辐照度均匀性的方法。这些方法大致上包含决定腔室内的基准线辐照度，决定与第一灯及第二灯相对应的基板上的相对辐照度，以及根据相对辐照度与基准线辐照度决定修正因子或补偿因子。然后使用修正因子或补偿因子经由闭环控制来调整灯，以单独地将灯调整至要求的输出。在将这些灯调整至要求的输出之前，可选择性地将这些灯调整成相等的辐照度。该闭环控制确保基板与基板之间的处理均匀性。辐照度测量以及修正因子或补偿因子允许由于腔室部件劣化、腔室部件替换或腔室清洁而对灯设定点的调整。
-
公开(公告)号：CN212389950U
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN201922220608.6
申请日：2019-12-09
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本文所述的实施方式涉及用于工艺腔室中的机械隔离和热绝缘的装置和技术，具体为一种用于工艺腔室的装置。在一个实施方式中，绝缘层被设置在圆顶组件和气体环之间。绝缘层被配置以维持圆顶组件的温度并且防止从圆顶组件到气体环的热能传递。绝缘层提供圆顶组件与气体环的机械隔离。绝缘层还在圆顶组件和气体环之间提供热绝缘。绝缘层可由含聚酰亚胺的材料制成，所述材料大幅地降低绝缘层变形的发生。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
9
records
(took 0.017 seconds)
