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公开(公告)号：CN111286719B
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202010101748.6
申请日：2015-04-29
Applicant: 应用材料公司
Inventor： A·A·哈贾 , M·阿尤伯 , J·D·平森二世 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯
IPC: C23C16/44 , C23C16/02 , C23C16/505 , H01L21/205
Abstract: 本公开内容的实施例一般关于用以调节远程等离子体产生器的内壁表面的方法。在一个实施例中，提供了一种用以处理基板的方法。所述方法包括下列步骤：将远程等离子体源的内壁表面暴露于处在激发态的调节气体，以钝化远程等离子体源的内壁表面，其中该远程等离子体源透过导管耦接至处理腔室，其中基板设置于处理腔室中，且调节气体包含含氧气体、含氮气体、或前述气体的组合。已观察到所述方法能增进处理腔室中的解离/重组速率及等离子体耦合效率，且因此提供了晶片至晶片之间的可重复且稳定的等离子体源表现。
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公开(公告)号：CN106575609B
公开(公告)日：2020-03-13
申请号：CN201580039614.3
申请日：2015-04-29
Applicant: 应用材料公司
Inventor： A·A·哈贾 , M·阿尤伯 , J·D·平森二世 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯
IPC: H01L21/205
Abstract: 本公开内容的实施例一般关于用以调节远程等离子体产生器的内壁表面的方法。在一个实施例中，提供了一种用以处理基板的方法。所述方法包括下列步骤：将远程等离子体源的内壁表面暴露于处在激发态的调节气体，以钝化远程等离子体源的内壁表面，其中该远程等离子体源透过导管耦接至处理腔室，其中基板设置于处理腔室中，且调节气体包含含氧气体、含氮气体、或前述气体的组合。已观察到所述方法能增进处理腔室中的解离/重组速率及等离子体耦合效率，且因此提供了晶片至晶片之间的可重复且稳定的等离子体源表现。
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公开(公告)号：CN113972162A
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN202111232228.X
申请日：2015-08-12
Applicant: 应用材料公司
Inventor： Z·J·叶 , J·D·平森二世 , 塙广二 , 周建华 , 林兴 , 段仁官 , K·D·李 , 金柏涵 , S·P·贝海拉 , S·哈 , G·巴拉苏布拉马尼恩 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 , P·K·库尔施拉希萨 , J·K·福斯特 , M·斯利尼瓦萨恩 , U·P·哈勒 , H·K·博尼坎帝
IPC: H01L21/683 , H01J37/32
Abstract: 本公开的实施例提供了一种用于在高温下维持在等离子体反应器中处理的基板的平坦度的静电卡盘。在一个实施例中，所述静电卡盘包括：耦接到支撑杆的卡盘主体，所述卡盘主体具有基板支撑表面，并且所述卡盘主体在约250℃至约700℃的温度下具有约1×107ohm‑cm至约1×1015ohm‑cm的体电阻率值；以及电极，所述电极嵌在所述主体中，所述电极耦接到电源。在一个示例中，所述卡盘主体由氮化铝材料组成，已经观察到氮化铝材料在沉积或蚀刻工艺、或者使用高操作温度和基板夹持特征两者的任何其他工艺期间，能够在约600℃或更高温度下优化卡持性能。
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公开(公告)号：CN110291408A
公开(公告)日：2019-09-27
申请号：CN201880012154.9
申请日：2018-01-25
Applicant: 应用材料公司
Inventor： Z·J·叶 , J·D·平森二世 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 , A·A·哈贾
Abstract: 一种电压-电流传感器，所述电压-电流传感器实现更精确测量被输送到高温处理区域的RF功率的电压、电流和相位。所述传感器可包括平面主体、测量开口、电压拾取器以及电流拾取器，所述平面主体包括非有机的电绝缘材料，所述测量开口形成于平面主体中，所述电压拾取器设置在测量开口周围，并且所述电流拾取器设置在测量开口周围。由于传感器的平面配置和材料成分，传感器可设置在等离子体处理腔室的高温表面附近或与等离子体处理腔室的高温表面接触。
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公开(公告)号：CN106575634A
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201580043795.7
申请日：2015-08-12
Applicant: 应用材料公司
Inventor： Z·J·叶 , J·D·平森二世 , 塙广二 , 周建华 , 林兴 , 段仁官 , K·D·李 , 金柏涵 , S·P·贝海拉 , S·哈 , G·巴拉苏布拉马尼恩 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 , P·K·库尔施拉希萨 , J·K·福斯特 , M·斯利尼瓦萨恩 , U·P·哈勒 , H·K·博尼坎帝
IPC: H01L21/683 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/6833 , H01L21/68757 , H02N13/00
Abstract: 本公开的实施例提供了一种用于在高温下维持在等离子体反应器中处理的基板的平坦度的静电卡盘。在一个实施例中，所述静电卡盘包括：耦接到支撑杆的卡盘主体，所述卡盘主体具有基板支撑表面，并且所述卡盘主体在约250℃至约700℃的温度下具有约1×107ohm‑cm至约1×1015ohm‑cm的体电阻率值；以及电极，所述电极嵌在所述主体中，所述电极耦接到电源。在一个示例中，所述卡盘主体由氮化铝材料组成，已经观察到氮化铝材料在沉积或蚀刻工艺、或者使用高操作温度和基板夹持特征两者的任何其他工艺期间，能够在约600℃或更高温度下优化卡持性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108292589B
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN201680068218.8
申请日：2016-11-01
Applicant: 应用材料公司
Inventor： K·C·保罗 , J·D·平森二世 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 , H·K·博尼坎帝 , R·乔德里 , S·阿特尼 , S·坎帕拉 , H·K·帕纳瓦拉皮尔库马兰库提
IPC: H01L21/02 , H01L21/66 , H01L21/265
Abstract: 本公开的实施方案大体而言是关于一种改良的工厂接口，该工厂接口耦接到设以测量基板的膜性质的板载计量壳体。在一个实施方案中，一种设备包含工厂接口以及计量壳体，该计量壳体通过装载端口可移除地耦接到该工厂接口，该计量壳体包含板载计量组件，用于测量将被移送到该计量壳体中的基板的性质。
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公开(公告)号：CN110291408B
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN201880012154.9
申请日：2018-01-25
Applicant: 应用材料公司
Inventor： Z·J·叶 , J·D·平森二世 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 , A·A·哈贾
Abstract: 一种电压‑电流传感器，所述电压‑电流传感器实现更精确测量被输送到高温处理区域的RF功率的电压、电流和相位。所述传感器可包括平面主体、测量开口、电压拾取器以及电流拾取器，所述平面主体包括非有机的电绝缘材料，所述测量开口形成于平面主体中，所述电压拾取器设置在测量开口周围，并且所述电流拾取器设置在测量开口周围。由于传感器的平面配置和材料成分，传感器可设置在等离子体处理腔室的高温表面附近或与等离子体处理腔室的高温表面接触。
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公开(公告)号：CN106575609A
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201580039614.3
申请日：2015-04-29
Applicant: 应用材料公司
Inventor： A·A·哈贾 , M·阿尤伯 , J·D·平森二世 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯
IPC: H01L21/205
Abstract: 本公开内容的实施例一般关于用以调节远程等离子体产生器的内壁表面的方法。在一个实施例中，提供了一种用以处理基板的方法。所述方法包括下列步骤：将远程等离子体源的内壁表面暴露于处在激发态的调节气体，以钝化远程等离子体源的内壁表面，其中该远程等离子体源透过导管耦接至处理腔室，其中基板设置于处理腔室中，且调节气体包含含氧气体、含氮气体、或前述气体的组合。已观察到所述方法能增进处理腔室中的解离/重组速率及等离子体耦合效率，且因此提供了晶片至晶片之间的可重复且稳定的等离子体源表现。
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公开(公告)号：CN110573653B
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN201880025698.9
申请日：2018-03-28
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/44 , C23C16/458 , C23C16/52 , C23C16/505 , C23C16/503 , C23C16/517
Abstract: 提供一种等离子体处理设备，包含：射频功率源；直流功率源；腔室，所述腔室封围处理容积；以及基板支撑组件，所述基板支撑组件被设置在所述处理容积中。所述基板支撑组件包含：基板支撑件，所述基板支撑件具有基板支撑表面；电极，所述电极被设置在所述基板支撑件中；以及互连组件，所述互连组件将所述射频功率源和所述直流功率源与所述电极耦合。
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公开(公告)号：CN111286719A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN202010101748.6
申请日：2015-04-29
Applicant: 应用材料公司
Inventor： A·A·哈贾 , M·阿尤伯 , J·D·平森二世 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯
IPC: C23C16/44 , C23C16/02 , C23C16/505 , H01L21/205
Abstract: 本公开内容的实施例一般关于用以调节远程等离子体产生器的内壁表面的方法。在一个实施例中，提供了一种用以处理基板的方法。所述方法包括下列步骤：将远程等离子体源的内壁表面暴露于处在激发态的调节气体，以钝化远程等离子体源的内壁表面，其中该远程等离子体源透过导管耦接至处理腔室，其中基板设置于处理腔室中，且调节气体包含含氧气体、含氮气体、或前述气体的组合。已观察到所述方法能增进处理腔室中的解离/重组速率及等离子体耦合效率，且因此提供了晶片至晶片之间的可重复且稳定的等离子体源表现。
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