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公开(公告)号：CN112074941A
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN201980030082.5
申请日：2019-04-15
Applicant: 应用材料公司
Inventor： H·P·穆格卡 , U·P·哈勒 , G·巴拉苏布拉马尼恩
IPC: H01L21/67 , H01L21/324
Abstract: 本公开内容涉及用于在基板处理期间进行温度感测和控制的方法和设备。处理期间难以直接测量的基板温度可通过检查沉积的膜性质或通过测量基板加热设备随时间的功率输出的变化来确定。在处理期间确定许多基板的温度，从而显示基板温度如何随时间变化，且接着通过机器学习技术来使用温度变化建立模型。所述模型用于调整加热设备设定点以用于将来的处理操作。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112074941B
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN201980030082.5
申请日：2019-04-15
Applicant: 应用材料公司
Inventor： H·P·穆格卡 , U·P·哈勒 , G·巴拉苏布拉马尼恩
IPC: H01L21/67 , H01L21/324
Abstract: 本公开内容涉及用于在基板处理期间进行温度感测和控制的方法和设备。处理期间难以直接测量的基板温度可通过检查沉积的膜性质或通过测量基板加热设备随时间的功率输出的变化来确定。在处理期间确定许多基板的温度，从而显示基板温度如何随时间变化，且接着通过机器学习技术来使用温度变化建立模型。所述模型用于调整加热设备设定点以用于将来的处理操作。
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公开(公告)号：CN116868324A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202280015945.3
申请日：2022-02-03
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 一种向晶片处理装备的多个区域中的多个加热器供电的方法可包括：使电压被供应给向被配置为向基座中的多个不同加热区域提供电压的多个电源线；使电流通过由多个电源线共享的回流线从多个不同加热区域被接收；以及使提供给多个电源线的电压的极性切换。切换频率可被配置成使得DC夹持操作可同时启动，以将基板固持至基座。对共享回流线的加热区域进行工作循环可使经过共享回流线的电流最小化。
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公开(公告)号：CN119948612A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202380069046.6
申请日：2023-08-02
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 示例性半导体处理系统可包括与数个处理腔室耦接的气体源。气体源可包括控制器。每个腔室可包括具有前级管线和泵的排气组件。系统可包括与每个泵耦接的至少一个减排系统。系统可包括在每个泵与减排系统之间延伸的多个排气管线。系统可包括与每个排气管线耦接的稀释气体源。系统可包括在稀释气体源与每个排气管线之间耦接的质量流量控制器。系统可包括同泵与减排系统之间的每个排气管线耦接的温度传感器。温度传感器可与气体源的控制器通信地耦接，所述控制器可基于来自温度传感器的测量来控制气体到腔室的流量。
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公开(公告)号：CN113972162A
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN202111232228.X
申请日：2015-08-12
Applicant: 应用材料公司
Inventor： Z·J·叶 , J·D·平森二世 , 塙广二 , 周建华 , 林兴 , 段仁官 , K·D·李 , 金柏涵 , S·P·贝海拉 , S·哈 , G·巴拉苏布拉马尼恩 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 , P·K·库尔施拉希萨 , J·K·福斯特 , M·斯利尼瓦萨恩 , U·P·哈勒 , H·K·博尼坎帝
IPC: H01L21/683 , H01J37/32
Abstract: 本公开的实施例提供了一种用于在高温下维持在等离子体反应器中处理的基板的平坦度的静电卡盘。在一个实施例中，所述静电卡盘包括：耦接到支撑杆的卡盘主体，所述卡盘主体具有基板支撑表面，并且所述卡盘主体在约250℃至约700℃的温度下具有约1×107ohm‑cm至约1×1015ohm‑cm的体电阻率值；以及电极，所述电极嵌在所述主体中，所述电极耦接到电源。在一个示例中，所述卡盘主体由氮化铝材料组成，已经观察到氮化铝材料在沉积或蚀刻工艺、或者使用高操作温度和基板夹持特征两者的任何其他工艺期间，能够在约600℃或更高温度下优化卡持性能。
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公开(公告)号：CN106575634A
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201580043795.7
申请日：2015-08-12
Applicant: 应用材料公司
Inventor： Z·J·叶 , J·D·平森二世 , 塙广二 , 周建华 , 林兴 , 段仁官 , K·D·李 , 金柏涵 , S·P·贝海拉 , S·哈 , G·巴拉苏布拉马尼恩 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 , P·K·库尔施拉希萨 , J·K·福斯特 , M·斯利尼瓦萨恩 , U·P·哈勒 , H·K·博尼坎帝
IPC: H01L21/683 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/6833 , H01L21/68757 , H02N13/00
Abstract: 本公开的实施例提供了一种用于在高温下维持在等离子体反应器中处理的基板的平坦度的静电卡盘。在一个实施例中，所述静电卡盘包括：耦接到支撑杆的卡盘主体，所述卡盘主体具有基板支撑表面，并且所述卡盘主体在约250℃至约700℃的温度下具有约1×107ohm‑cm至约1×1015ohm‑cm的体电阻率值；以及电极，所述电极嵌在所述主体中，所述电极耦接到电源。在一个示例中，所述卡盘主体由氮化铝材料组成，已经观察到氮化铝材料在沉积或蚀刻工艺、或者使用高操作温度和基板夹持特征两者的任何其他工艺期间，能够在约600℃或更高温度下优化卡持性能。
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