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公开(公告)号：CN107980172B
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN201680047305.5
申请日：2016-07-20
Applicant: 应用材料公司
Inventor： M·W·蒋 , P·P·杰哈 , 韩新海 , 金柏涵 , 金相赫 , 朱明勋 , 朴亨珍 , 金伦宽 , 孙镇哲 , S·格纳纳威路 , M·G·库尔卡尼 , S·巴录佳 , M·K·莎莱扎 , J·K·福斯特
IPC: H01L27/11582 , H01L21/768 , H01L21/02 , H01L27/11548 , H01L27/11556 , H01L27/11575
Abstract: 本公开的实施例一般涉及一种用于形成介电膜堆栈的改进方法，该介电膜堆栈用于3D NAND结构中的层间电介质(ILD)层。在一个实施例中，该方法包括提供具有栅堆栈沉积于其上的基板，使用第一RF功率及第一处理气体在该栅堆栈的暴露表面上形成第一氧化层，第一处理气体包含TEOS气体与第一含氧气体，及使用第二RF功率与第二处理气体在该第一氧化层上形成第二氧化层，第二处理气体包含硅烷气体与第二含氧气体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113972162A
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN202111232228.X
申请日：2015-08-12
Applicant: 应用材料公司
Inventor： Z·J·叶 , J·D·平森二世 , 塙广二 , 周建华 , 林兴 , 段仁官 , K·D·李 , 金柏涵 , S·P·贝海拉 , S·哈 , G·巴拉苏布拉马尼恩 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 , P·K·库尔施拉希萨 , J·K·福斯特 , M·斯利尼瓦萨恩 , U·P·哈勒 , H·K·博尼坎帝
IPC: H01L21/683 , H01J37/32
Abstract: 本公开的实施例提供了一种用于在高温下维持在等离子体反应器中处理的基板的平坦度的静电卡盘。在一个实施例中，所述静电卡盘包括：耦接到支撑杆的卡盘主体，所述卡盘主体具有基板支撑表面，并且所述卡盘主体在约250℃至约700℃的温度下具有约1×107ohm‑cm至约1×1015ohm‑cm的体电阻率值；以及电极，所述电极嵌在所述主体中，所述电极耦接到电源。在一个示例中，所述卡盘主体由氮化铝材料组成，已经观察到氮化铝材料在沉积或蚀刻工艺、或者使用高操作温度和基板夹持特征两者的任何其他工艺期间，能够在约600℃或更高温度下优化卡持性能。
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公开(公告)号：CN106575634A
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201580043795.7
申请日：2015-08-12
Applicant: 应用材料公司
Inventor： Z·J·叶 , J·D·平森二世 , 塙广二 , 周建华 , 林兴 , 段仁官 , K·D·李 , 金柏涵 , S·P·贝海拉 , S·哈 , G·巴拉苏布拉马尼恩 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 , P·K·库尔施拉希萨 , J·K·福斯特 , M·斯利尼瓦萨恩 , U·P·哈勒 , H·K·博尼坎帝
IPC: H01L21/683 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/6833 , H01L21/68757 , H02N13/00
Abstract: 本公开的实施例提供了一种用于在高温下维持在等离子体反应器中处理的基板的平坦度的静电卡盘。在一个实施例中，所述静电卡盘包括：耦接到支撑杆的卡盘主体，所述卡盘主体具有基板支撑表面，并且所述卡盘主体在约250℃至约700℃的温度下具有约1×107ohm‑cm至约1×1015ohm‑cm的体电阻率值；以及电极，所述电极嵌在所述主体中，所述电极耦接到电源。在一个示例中，所述卡盘主体由氮化铝材料组成，已经观察到氮化铝材料在沉积或蚀刻工艺、或者使用高操作温度和基板夹持特征两者的任何其他工艺期间，能够在约600℃或更高温度下优化卡持性能。
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公开(公告)号：CN102341901B
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN201080010832.1
申请日：2010-01-08
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/677 , B65G49/07 , B25J15/08
CPC classification number: H01L21/67742 , H01L21/68707
Abstract: 提供了用于在电子元件制造中移动基板的系统、方法及设备。在一些方面中，提供了具有基座部分及至少三个垫的末端执行器。每个所述垫的具有一个接触表面，且至少一个接触表面具有曲面形状。由末端执行器所支撑的基板可以相对高的横向惯性力移动，而不会相对于垫产生大幅度滑动。本发明还提供了附加的方面。
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公开(公告)号：CN102341901A
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：CN201080010832.1
申请日：2010-01-08
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/677 , B65G49/07 , B25J15/08
CPC classification number: H01L21/67742 , H01L21/68707
Abstract: 提供了用于在电子元件制造中移动基板的系统、方法及设备。在一些方面中，提供了具有基座部分及至少三个垫的末端执行器。每个所述垫的具有一个接触表面，且至少一个接触表面具有曲面形状。由末端执行器所支撑的基板可以相对高的横向惯性力移动，而不会相对于垫产生大幅度滑动。本发明还提供了附加的方面。
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公开(公告)号：CN107980172A
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：CN201680047305.5
申请日：2016-07-20
Applicant: 应用材料公司
Inventor： M·W·蒋 , P·P·杰哈 , 韩新海 , 金柏涵 , 金相赫 , 朱明勋 , 朴亨珍 , 金伦宽 , 孙镇哲 , S·格纳纳威路 , M·G·库尔卡尼 , S·巴录佳 , M·K·莎莱扎 , J·K·福斯特
IPC: H01L27/11582 , H01L21/768 , H01L21/02 , H01L27/11548 , H01L27/11556 , H01L27/11575
CPC classification number: H01L27/11582 , H01L21/02164 , H01L21/022 , H01L21/02211 , H01L21/02216 , H01L21/02274 , H01L21/02304 , H01L21/02321 , H01L21/02337 , H01L21/31053 , H01L21/31111 , H01L21/3115 , H01L21/76801 , H01L27/11548 , H01L27/11556 , H01L27/11575 , H01L29/06
Abstract: 本公开的实施例一般涉及一种用于形成介电膜堆栈的改进方法，该介电膜堆栈用于3D NAND结构中的层间电介质(ILD)层。在一个实施例中，该方法包括提供具有栅堆栈沉积于其上的基板，使用第一RF功率及第一处理气体在该栅堆栈的暴露表面上形成第一氧化层，第一处理气体包含TEOS气体与第一含氧气体，及使用第二RF功率与第二处理气体在该第一氧化层上形成第二氧化层，第二处理气体包含硅烷气体与第二含氧气体。
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