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公开(公告)号：CN108369921B
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN201680072132.2
申请日：2016-12-05
Applicant: 应用材料公司
Inventor： Z·J·叶 , 塙广二 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 , P·曼纳 , M·W·蒋 , A·高 , 王文佼 , 林永景 , P·K·库尔施拉希萨 , 韩新海 , 金柏涵 , K·D·李 , K·T·纳拉辛哈 , 段子青 , D·帕德希
IPC: H01L21/683 , H05H1/46 , H01J49/10 , H01L21/687
Abstract: 公开对于静电夹盘的方法与设备的技术，此静电夹盘适合在高操作温度下操作。在一个示例中，提供一种基板支撑组件。基板支撑组件包含实质上碟形的陶瓷主体，陶瓷主体具有上表面、圆柱侧壁以及下表面。上表面经配置以支撑基板于上表面上，以在真空处理腔室中处理基板。圆柱侧壁界定陶瓷主体的外直径。下表面与上表面相对地设置。电极被设置在陶瓷主体中。电路被电连接至电极。电路包含DC夹紧电路、第一RF驱
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公开(公告)号：CN111344834B
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN201880072836.9
申请日：2018-11-01
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02 , H05H1/46 , H01J37/32 , H01L21/67 , C23C16/455
Abstract: 本文所描述的实施方式涉及形成氮化硅膜的方法。在一个实施方式中，使包括含硅气体和第一含氮气体的第一工艺气体组流入工艺腔室中。通过以第一频率和第一功率水平将第一射频功率施加到所述第一工艺气体组来沉积初始化层。中断所述第一工艺气体组的所述第一含氮气体的第一流动，并且使包括所述含硅气体、第二含氮气体和含氢气体的第二工艺气体组流入所述工艺腔室中。通过以高于所述第一频率的第二频率和高于所述第一功率水平的第二功率水平将第二RF功率施加到所述第二工艺气体组来在所述初始化层上沉积体氮化硅层。
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公开(公告)号：CN107980172B
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN201680047305.5
申请日：2016-07-20
Applicant: 应用材料公司
Inventor： M·W·蒋 , P·P·杰哈 , 韩新海 , 金柏涵 , 金相赫 , 朱明勋 , 朴亨珍 , 金伦宽 , 孙镇哲 , S·格纳纳威路 , M·G·库尔卡尼 , S·巴录佳 , M·K·莎莱扎 , J·K·福斯特
IPC: H01L27/11582 , H01L21/768 , H01L21/02 , H01L27/11548 , H01L27/11556 , H01L27/11575
Abstract: 本公开的实施例一般涉及一种用于形成介电膜堆栈的改进方法，该介电膜堆栈用于3D NAND结构中的层间电介质(ILD)层。在一个实施例中，该方法包括提供具有栅堆栈沉积于其上的基板，使用第一RF功率及第一处理气体在该栅堆栈的暴露表面上形成第一氧化层，第一处理气体包含TEOS气体与第一含氧气体，及使用第二RF功率与第二处理气体在该第一氧化层上形成第二氧化层，第二处理气体包含硅烷气体与第二含氧气体。
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公开(公告)号：CN107980172A
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：CN201680047305.5
申请日：2016-07-20
Applicant: 应用材料公司
Inventor： M·W·蒋 , P·P·杰哈 , 韩新海 , 金柏涵 , 金相赫 , 朱明勋 , 朴亨珍 , 金伦宽 , 孙镇哲 , S·格纳纳威路 , M·G·库尔卡尼 , S·巴录佳 , M·K·莎莱扎 , J·K·福斯特
IPC: H01L27/11582 , H01L21/768 , H01L21/02 , H01L27/11548 , H01L27/11556 , H01L27/11575
CPC classification number: H01L27/11582 , H01L21/02164 , H01L21/022 , H01L21/02211 , H01L21/02216 , H01L21/02274 , H01L21/02304 , H01L21/02321 , H01L21/02337 , H01L21/31053 , H01L21/31111 , H01L21/3115 , H01L21/76801 , H01L27/11548 , H01L27/11556 , H01L27/11575 , H01L29/06
Abstract: 本公开的实施例一般涉及一种用于形成介电膜堆栈的改进方法，该介电膜堆栈用于3D NAND结构中的层间电介质(ILD)层。在一个实施例中，该方法包括提供具有栅堆栈沉积于其上的基板，使用第一RF功率及第一处理气体在该栅堆栈的暴露表面上形成第一氧化层，第一处理气体包含TEOS气体与第一含氧气体，及使用第二RF功率与第二处理气体在该第一氧化层上形成第二氧化层，第二处理气体包含硅烷气体与第二含氧气体。
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公开(公告)号：CN116635977A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202180086356.X
申请日：2021-10-19
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02
Abstract: 示例性半导体处理方法可包括使可包括含氮前驱物、含硅前驱物和载气的沉积气体流至基板处理腔室的基板处理区域中。含氮前驱物与含硅前驱物的流率比可大于或约为1:1。方法可进一步包括由沉积气体产生沉积等离子体，以在基板处理腔室中的基板上形成含硅和氮的层。可用处理等离子体处理含硅和氮的层，在无含硅前驱物的情况下由载气形成所述处理等离子体。处理等离子体中载气的流率可大于沉积等离子体中载气的流率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110140193B
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN201780082344.3
申请日：2017-12-18
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本公开内容的实现方式提供用于在处理腔室中处理基板的方法。在一个实现方式中，所述方法包括：(a)在第一腔室压力下使用第一高频RF功率在第一基板上沉积介电层；(b)在第二腔室压力下在所述第一基板之后的N个基板上顺序地沉积介电层，其中N是5至10的整数，并且其中沉积N个基板中的每个基板包括使用第二高频RF功率，所述第二高频RF功率具有比所述第一高频RF功率的功率密度低约0.21W/cm2至约0.35W/cm2的功率密度；(c)在不存在基板的情况下执行腔室清洁工艺；以及(d)重复(a)至(c)。
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公开(公告)号：CN113823558A
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN202111107874.3
申请日：2016-01-05
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/285 , H01L29/423
Abstract: 本公开的实施例提供了用于在半导体基板上制造具有最小的光刻覆盖误差的膜层的方法和系统。在一个实施例中，一种用于在基板上形成膜层的方法包括：将沉积气体混合物供应到设置在处理腔室中的基板支撑件上的基板上，所述沉积气体混合物包括含硅气体和反应气体；在沉积气体混合物存在于处理腔室中的情况下形成等离子体；当将沉积气体混合物供应至处理腔室中时，将电流施加至设置在处理腔室中的等离子体轮廓调制器中；以及当在基板上沉积膜层时，转动基板。
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公开(公告)号：CN108369921A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201680072132.2
申请日：2016-12-05
Applicant: 应用材料公司
Inventor： Z·J·叶 , 塙广二 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 , P·曼纳 , M·W·蒋 , A·高 , 王文佼 , 林永景 , P·K·库尔施拉希萨 , 韩新海 , 金柏涵 , K·D·李 , K·T·纳拉辛哈 , 段子青 , D·帕德希
IPC: H01L21/683 , H05H1/46 , H01J49/10 , H01L21/687
CPC classification number: H01L21/6833 , C23C16/4586 , C23C16/509 , H01J37/32091 , H01L21/02274 , H01L21/0262 , H01L21/28556
Abstract: 公开对于静电夹盘的方法与设备的技术，此静电夹盘适合在高操作温度下操作。在一个示例中，提供一种基板支撑组件。基板支撑组件包含实质上碟形的陶瓷主体，陶瓷主体具有上表面、圆柱侧壁以及下表面。上表面经配置以支撑基板于上表面上，以在真空处理腔室中处理基板。圆柱侧壁界定陶瓷主体的外直径。下表面与上表面相对地设置。电极被设置在陶瓷主体中。电路被电连接至电极。电路包含DC夹紧电路、第一RF驱动电路以及第二RF驱动电路。DC夹紧电路、第一RF驱动电路以及第二RF驱动电路电耦合至电极。
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