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公开(公告)号：CN118985035A
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202380033168.X
申请日：2023-03-12
Applicant: 应用材料公司
Inventor： A·A·哈贾 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯
IPC: H01J37/32
Abstract: 射频(RF)源可用于生成电容耦合等离子体以在等离子体处理腔室中对基板执行基于等离子体的处理。控制器可以使RF源和开关元件将RF信号路由到底座中的电极，这些电极在处理腔室中生成等离子体，作为在蚀刻或沉积过程中对基板执行的配方的一部分。在工艺之间，控制器可以使相同的RF源生成第二RF信号，替代地，所述第二RF信号由开关元件路由到感应线圈以生成电感耦合等离子体，用于清洁工艺以去除等离子体处理腔室内部的薄膜沉积物。
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公开(公告)号：CN109643671B
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN201780052181.4
申请日：2017-08-03
Applicant: 应用材料公司
Inventor： A·A·哈贾
Abstract: 本公开的实现大体处理基板的方法，且更具体地，涉及用于预测、量化及修正处理偏移的方法。在一个实现中，所述方法包括在处理腔室内执行实验设计(DOE)，以针对与处理腔室相关联的每一个可调整处理控件在基板上多个位置处获得传感器读数和膜特性；使用从所述DOE所获得的传感器读数和膜特性，对基板上的各个位置建立回归模型；在生产期间追踪传感器读数的改变；使用所述回归模型，识别可导致膜特性的改变的传感器读数的偏移；以及调整一个或更多个处理控件，以修正传感器读数的偏移而使膜特性的改变最小化。
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公开(公告)号：CN114026673A
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202080044306.0
申请日：2020-02-21
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02 , B08B7/00 , H01L21/3065 , H01J37/32 , H01L21/67
Abstract: 本文描述的实施例总体涉及用于处理基板的设备。在一个或多个实施例中，一种加热器支撑套件包括：加热器组件，所述加热器组件含有具有上表面和下表面的加热器板；卡环，所述卡环设置在所述加热器板的所述上表面的至少一部分上；加热器臂组件，所述加热器臂组件含有加热器臂并且支撑所述加热器组件；和加热器支撑板，所述加热器支撑板设置在所述加热器板与所述加热器臂之间并且与所述加热器板的所述下表面的至少一部分接触。
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公开(公告)号：CN112166497B
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN201980035398.3
申请日：2019-05-31
Applicant: 应用材料公司
Inventor： A·A·哈贾 , 胡良发 , S·S·拉斯 , G·巴拉苏布拉马尼恩
IPC: H01L21/683 , H01L21/67 , H01L21/687
Abstract: 本公开一般关于用于半导体处理的基板支撑件。在一个实施例中，提供了基板支撑件。基板支撑件包括：主体，包含基板夹持表面；电极，设置在主体内；多个基板支撑特征，形成在基板夹持表面上，其中基板支撑特征的数量从基板夹持表面的中心到基板夹持表面的边缘径向增加；以及调节层，形成在多个基板支撑特征上，调节层包含氮化硅。
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公开(公告)号：CN112534560A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN201980051346.5
申请日：2019-07-24
Applicant: 应用材料公司
Inventor： S·拉斯 , 李铜衡 , A·A·哈贾 , G·巴拉苏布拉马尼恩 , J·C·罗查
IPC: H01L21/67 , H01L21/683 , H01L21/02
Abstract: 本文描述的实施例涉及用于在处理腔室中使用的具有高电阻率的涂层材料。为了抵消导热支撑件的顶表面附近的高电荷，导热支撑件的顶表面可涂覆有高电阻率层。所述层的高电阻率减少了在导热元件的顶表面处的电荷量，大大减少或防止了电弧放电事件，同时减少了静电吸附劣化。高电阻率层还可应用于其他腔室部件。本文描述的实施例还涉及用于制造用于在处理环境中使用的腔室部件的方法。所述部件可以通过以下方式来制造：形成腔室部件的主体、可选地对主体进行非原位调整、将腔室部件安装到处理腔室中、对腔室部件进行原位调整、以及在处理腔室中执行沉积工艺。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111286719A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN202010101748.6
申请日：2015-04-29
Applicant: 应用材料公司
Inventor： A·A·哈贾 , M·阿尤伯 , J·D·平森二世 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯
IPC: C23C16/44 , C23C16/02 , C23C16/505 , H01L21/205
Abstract: 本公开内容的实施例一般关于用以调节远程等离子体产生器的内壁表面的方法。在一个实施例中，提供了一种用以处理基板的方法。所述方法包括下列步骤：将远程等离子体源的内壁表面暴露于处在激发态的调节气体，以钝化远程等离子体源的内壁表面，其中该远程等离子体源透过导管耦接至处理腔室，其中基板设置于处理腔室中，且调节气体包含含氧气体、含氮气体、或前述气体的组合。已观察到所述方法能增进处理腔室中的解离/重组速率及等离子体耦合效率，且因此提供了晶片至晶片之间的可重复且稳定的等离子体源表现。
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公开(公告)号：CN107636197B
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201680029154.0
申请日：2016-05-16
Applicant: 应用材料公司
Inventor： P·K·库尔施拉希萨 , 段子青 , A·A·哈贾 , Z·J·叶 , A·K·班塞尔
IPC: C23C16/02 , C23C16/34 , C23C16/36 , C23C16/44 , C23C16/458 , C23C16/509 , H01J37/32 , H01L21/683
Abstract: 本发明大体上关于具有渐变组成的处理腔室调整层。在一实施例中，该调整层为硼‑碳‑氮化物(BCN)膜。该BCN膜在该膜的底部处可具有较高的硼成分。随着该BCN膜被沉积，硼的浓度可能接近零，同时碳及氮的相对浓度提高。可借着在初期使硼前体、碳前体及氮前体一同流入来沉积该BCN膜。经过第一时段之后，可降低硼前体的流动速率。在沉积该调整层期间，可在硼前体的流动速率降低时，施加RF功率以生成等离子体。
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公开(公告)号：CN118140292A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202280068198.X
申请日：2022-08-22
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 半导体处理的示例性方法可包括在半导体处理腔室的处理区域中形成含碳前驱物的等离子体。所述方法可包括在半导体处理腔室的处理区域中容纳的基板上沉积含碳材料。所述方法可包括停止含碳前驱物到半导体处理腔室的处理区域中的流动。所述方法可包括使含碳材料与氧化材料的等离子体流出物接触。所述方法可包括从含碳材料的表面形成挥发性材料。
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公开(公告)号：CN116868301A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202180076860.1
申请日：2021-10-11
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 吴飞 , A·A·哈贾 , S·哈 , G·巴拉苏布拉马尼恩 , V·普拉巴卡尔
IPC: H01J37/32
Abstract: 示例性处理方法可包括以下步骤：在半导体处理腔室的远程区域中形成清洁前驱物的等离子体。所述方法可包括以下步骤：将清洁前驱物的等离子体流出物流动到半导体处理腔室的处理区域中。所述方法可包括以下步骤：将基板支撑件与等离子体流出物接触达第一时间段。所述方法可包括以下步骤：将基板支撑件从第一位置降低至第二位置，同时继续流动清洁前驱物的等离子体流出物。所述方法可包括以下步骤：清洁半导体处理腔室的处理区域达第二时间段。
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公开(公告)号：CN116547410A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202180079060.5
申请日：2021-11-17
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/505
Abstract: 示例性半导体处理系统可包括腔室主体，该腔室主体包含侧壁及底座。系统可包括延伸穿过腔室主体的底座的基板支撑件。基板支撑件可包括支撑平台及杆。系统可包括围绕基板支撑件的杆延伸的挡板。挡板可限定穿过该挡板的一个或多个孔。系统可包括在基板支撑件的杆与挡板之间的入口处与腔室主体流体耦接的流体源。
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