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发明公开
用于控制沉积缺陷的处置审中-实审

公开(公告)号：CN118140292A

公开(公告)日：2024-06-04

申请号：CN202280068198.X

申请日：2022-08-22

Applicant: 应用材料公司

Inventor： S·拉斯 , G·巴拉苏布拉马尼恩 , N·拉贾戈帕兰 , A·A·哈贾 , P·帕拉 , H·D·泰勒

IPC: H01L21/02 , C23C16/26 , C23C16/50 , C23C16/56

Abstract: 半导体处理的示例性方法可包括在半导体处理腔室的处理区域中形成含碳前驱物的等离子体。所述方法可包括在半导体处理腔室的处理区域中容纳的基板上沉积含碳材料。所述方法可包括停止含碳前驱物到半导体处理腔室的处理区域中的流动。所述方法可包括使含碳材料与氧化材料的等离子体流出物接触。所述方法可包括从含碳材料的表面形成挥发性材料。

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