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公开(公告)号：CN117203749A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202280030924.9
申请日：2022-03-18
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 示例性半导体处理系统可包括限定至少一个等离子体出口的输出歧管。系统可包括设置在输出歧管下方的气箱。气箱可包括面向输出歧管的入口侧和与入口侧相对的出口侧。气箱可包括限定中心流体管腔的内壁。内壁可从入口侧到出口侧向外逐渐变细。系统可包括设置在气箱下方的环形间隔件。环形间隔件的内径可大于中心流体管腔的最大内径。系统可包括设置在环形间隔件下方的面板。面板可限定延伸穿过面板厚度的多个孔。
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公开(公告)号：CN107075671B
公开(公告)日：2019-09-13
申请号：CN201580053158.8
申请日：2015-09-02
Applicant: 应用材料公司
Inventor： P·K·库尔施拉希萨 , S·拉斯 , P·P·杰哈 , S·巴苏 , K·D·李 , M·J·西蒙斯 , 金柏涵 , G·巴拉苏布拉马尼恩 , Z·段 , 荆雷 , M·B·潘迪特
IPC: C23C16/26 , C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/46 , H01L21/66
Abstract: 一种调节一个或多个图案化膜的局部应力与覆盖误差的方法可包括调节引入腔室主体的气体的气体流动轮廓、使腔室主体内的气体流向基板、旋转基板，及通过利用双区加热器控制基板温度来统一基板的中心至边缘温度轮廓。用于沉积膜的腔室可包括包含一个或多个处理区的腔室主体。腔室主体可包括气体分配组件，气体分配组件具有挡板以用于输送气体至一个或多个处理区。挡板具有第一区域与第二区域，第一区域与第二区域各具多个孔洞。腔室主体可具有双区加热器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118140292A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202280068198.X
申请日：2022-08-22
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 半导体处理的示例性方法可包括在半导体处理腔室的处理区域中形成含碳前驱物的等离子体。所述方法可包括在半导体处理腔室的处理区域中容纳的基板上沉积含碳材料。所述方法可包括停止含碳前驱物到半导体处理腔室的处理区域中的流动。所述方法可包括使含碳材料与氧化材料的等离子体流出物接触。所述方法可包括从含碳材料的表面形成挥发性材料。
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公开(公告)号：CN115702259A
公开(公告)日：2023-02-14
申请号：CN202180042781.9
申请日：2021-05-18
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/455
Abstract: 本公开的实施例涉及用于处理腔室的面板。在一个示例中，面板包括主体，主体具有穿过主体形成的多个孔。加热组件设置在主体内，并且加热组件环绕多个孔。支撑环设置在主体中。支撑环环绕加热组件。支撑环包括主要体和从主要体径向向内延伸的悬臂。悬臂接触面板的主体。
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公开(公告)号：CN112534560A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN201980051346.5
申请日：2019-07-24
Applicant: 应用材料公司
Inventor： S·拉斯 , 李铜衡 , A·A·哈贾 , G·巴拉苏布拉马尼恩 , J·C·罗查
IPC: H01L21/67 , H01L21/683 , H01L21/02
Abstract: 本文描述的实施例涉及用于在处理腔室中使用的具有高电阻率的涂层材料。为了抵消导热支撑件的顶表面附近的高电荷，导热支撑件的顶表面可涂覆有高电阻率层。所述层的高电阻率减少了在导热元件的顶表面处的电荷量，大大减少或防止了电弧放电事件，同时减少了静电吸附劣化。高电阻率层还可应用于其他腔室部件。本文描述的实施例还涉及用于制造用于在处理环境中使用的腔室部件的方法。所述部件可以通过以下方式来制造：形成腔室部件的主体、可选地对主体进行非原位调整、将腔室部件安装到处理腔室中、对腔室部件进行原位调整、以及在处理腔室中执行沉积工艺。
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公开(公告)号：CN107075671A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580053158.8
申请日：2015-09-02
Applicant: 应用材料公司
Inventor： P·K·库尔施拉希萨 , S·拉斯 , P·P·杰哈 , S·巴苏 , K·D·李 , M·J·西蒙斯 , 金柏涵 , G·巴拉苏布拉马尼恩 , Z·段 , 荆雷 , M·B·潘迪特
IPC: C23C16/26 , C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/46 , H01L21/66
Abstract: 一种调节一个或多个图案化膜的局部应力与覆盖误差的方法可包括调节引入腔室主体的气体的气体流动轮廓、使腔室主体内的气体流向基板、旋转基板，及通过利用双区加热器控制基板温度来统一基板的中心至边缘温度轮廓。用于沉积膜的腔室可包括包含一个或多个处理区的腔室主体。腔室主体可包括气体分配组件，气体分配组件具有挡板以用于输送气体至一个或多个处理区。挡板具有第一区域与第二区域，第一区域与第二区域各具多个孔洞。腔室主体可具有双区加热器。
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公开(公告)号：CN102652186A
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN201080055555.6
申请日：2010-12-15
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: C23C16/45523 , C23C16/4401
Abstract: 本发明的具体实施例提供了用以在多层沉积期间减少缺陷的方法。在一个具体实施例中，所述方法包括下列步骤：在等离子体存在下，使基板暴露于第一气体混合物和惰性气体，以在基板上沉积第一材料层；当第一材料的期望厚度达到后，终止第一气体混合物，同时仍维持等离子体并流入惰性气体，以及在等离子体存在下，使基板暴露于相容于第一气体混合物的惰性气体和第二气体混合物，以在同一处理腔室中在第一材料层上沉积第二材料层，其中第一材料层与第二材料层彼此不同。
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