公开(公告)号：CN102652186A

公开(公告)日：2012-08-29

申请号：CN201080055555.6

申请日：2010-12-15

Applicant: 应用材料公司

Inventor： M·J·西蒙斯 ,  S-Y·B·唐 ,  M·H·林 ,  P·赖利 ,  S·拉斯

IPC: C23C16/50 ,  C23C16/54 ,  C23C16/44 ,  C23C16/30 ,  C23C16/52 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/45523 ,  C23C16/4401

Abstract: 本发明的具体实施例提供了用以在多层沉积期间减少缺陷的方法。在一个具体实施例中，所述方法包括下列步骤：在等离子体存在下，使基板暴露于第一气体混合物和惰性气体，以在基板上沉积第一材料层；当第一材料的期望厚度达到后，终止第一气体混合物，同时仍维持等离子体并流入惰性气体，以及在等离子体存在下，使基板暴露于相容于第一气体混合物的惰性气体和第二气体混合物，以在同一处理腔室中在第一材料层上沉积第二材料层，其中第一材料层与第二材料层彼此不同。

公开(公告)号：CN102934209A

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：CN201180027816.8

申请日：2011-04-27

Applicant: 应用材料公司

Inventor： K·D·李 ,  M·J·西蒙斯 ,  S·拉蒂 ,  C·陈 ,  M·H·林

IPC: H01L21/312 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/02115 ,  C23C16/26 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31144

Abstract: 本文提供一种在基板上形成非晶碳层的方法，基板位于基板处理腔室中，所述方法包括：将烃源引入处理腔室；单独或与氦、氢、氮以及上述气体的组合相结合地将氩引入处理腔室，其中氩具有的体积流率与烃源的体积流率的比例为约10:1至约20:1；在约2托耳至10托耳的低得多的压力下，在处理腔室中产生等离子体；及在基板上形成共形的非晶碳层。