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公开(公告)号：CN102906860A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201180025026.6
申请日：2011-04-27
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/027 , H01L21/31
CPC classification number: H01L21/02115 , H01L21/02274 , H01L21/0332 , H01L21/0337
Abstract: 提供了用于在处理腔室中制造半导体器件的方法。在一个实施例中，一种方法包括下列步骤：在衬底上沉积第一基底材料，第一基底材料具有第一组互连特征；以可灰化材料填充第一组互连特征的上部；平坦化第一基底材料的上表面，使得填充在第一组互连特征中的可灰化材料的上表面提供基本上平坦的外表面；在所述基本上平坦的外表面上沉积膜叠层，模叠层包含第二基底材料；在第二基底材料中形成第二组互连特征，其中第二组互连特征与第一组互连特征对齐；以及从第一基底材料移除可灰化材料，以将第二组互连特征连接至第一组互连特征。
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公开(公告)号：CN101480110B
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：CN200780024531.2
申请日：2007-06-22
Applicant: 应用材料公司
Inventor： D·帕德希 , H-C·哈 , S·拉蒂 , D·R·威蒂 , C·陈 , S·帕克 , G·巴拉苏布拉马尼恩 , K·杰纳基拉曼 , M·J·西蒙斯 , V·斯瓦拉马克瑞希楠 , B·H·金 , H·姆塞德
IPC: H05H1/24
CPC classification number: H01L21/3146 , C23C16/045 , C23C16/26 , C23C16/5096 , C23C16/56 , H01L21/31144
Abstract: 一种在基板上沉积无定形碳层的方法包括下列步骤：将基板放置在处理室中；将烃源导入处理室；将重稀有气体导入处理室；以及在处理室中产生等离子体。重稀有气体选自由氩、氪、氙、及其混合物所组成的群组，并且稀有气体的摩尔流速大于烃源的摩尔流速。该方法可包括后沉积终止步骤，其中烃源及稀有气体的流动并终止，并且将等离子体维持在处理室中一段时间以自处理室中移除粒子。
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公开(公告)号：CN101473062B
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN200780023174.8
申请日：2007-06-14
Applicant: 应用材料公司
Inventor： D·帕德希 , C·陈 , S·拉蒂 , G·巴拉苏布拉马尼恩 , J·周 , K·杰纳基拉曼 , M·J·西蒙斯 , V·斯瓦拉马克瑞希楠 , D·R·威蒂 , H·姆塞德
CPC classification number: C23C16/45565 , C23C16/0254 , C23C16/26 , C23C16/4404
Abstract: 本发明提供一种具有用在半导体应用中的保护性涂层的物件以及多种制造所述物件的方法。在一个实施例中，本发明提供一种涂覆物件的铝表面的方法，其中所述物件是应用在半导体处理腔室中的。此方法包含：提供处理腔室；置放所述物件至所述处理腔室内；使第一气体流入所述处理腔室，其中所述第一气体包含碳源；使第二气体流入所述处理腔室，其中所述第二气体包含氮源；在所述处理腔室内形成等离子体；以及在所述铝表面上沉积涂覆材料。在一个实施例中，涂覆材料包括含不定形碳氮的层。在一个实施例中，所述物件包含喷洒头，喷洒头被配置成输送气体至处理腔室。
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公开(公告)号：CN103443909A
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN201280015166.X
申请日：2012-04-27
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/31122 , H01L21/0206 , H01L21/31144
Abstract: 本发明的实施例大致涉及干式剥离硼-碳膜的方法。在一个实施例中，利用氢与氧的交替等离子体来移除硼-碳膜。在另一实施例中，利用共同流动的氧与氢等离子体来移除含硼-碳的膜。除了上述氧等离子体的任一个以外可利用一氧化二氮等离子体，或者可利用一氧化二氮等离子体来取代上述氧等离子体的任一个。在另一实施例中，利用自水蒸气产生的等离子体来移除硼-碳膜。硼-碳移除工艺还可包括在硼-碳膜的移除之前的视情况的聚合物移除工艺。聚合物移除工艺包括将硼-碳膜暴露至NF3，以自硼-碳膜的表面移除在基板蚀刻工艺期间产生的任何碳基聚合物。
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公开(公告)号：CN102934209A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201180027816.8
申请日：2011-04-27
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/312 , H01L21/31
CPC classification number: H01L21/02115 , C23C16/26 , H01L21/02274 , H01L21/31144
Abstract: 本文提供一种在基板上形成非晶碳层的方法，基板位于基板处理腔室中，所述方法包括：将烃源引入处理腔室；单独或与氦、氢、氮以及上述气体的组合相结合地将氩引入处理腔室，其中氩具有的体积流率与烃源的体积流率的比例为约10:1至约20:1；在约2托耳至10托耳的低得多的压力下，在处理腔室中产生等离子体；及在基板上形成共形的非晶碳层。
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公开(公告)号：CN102915925A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201210396144.4
申请日：2007-06-22
Applicant: 应用材料公司
Inventor： D·帕德希 , H-C·哈 , S·拉蒂 , D·R·威蒂 , C·陈 , S·帕克 , G·巴拉苏布拉马尼恩 , K·杰纳基拉曼 , M·J·西蒙斯 , V·斯瓦拉马克瑞希楠 , B·H·金 , H·姆塞德
IPC: H01L21/314 , H01L21/311 , C23C16/26
CPC classification number: H01L21/3146 , C23C16/045 , C23C16/26 , C23C16/5096 , C23C16/56 , H01L21/31144
Abstract: 一种在基板上沉积无定形碳层的方法包括下列步骤：将基板放置在处理室中；将烃源导入处理室；将重稀有气体导入处理室；以及在处理室中产生等离子体。重稀有气体选自由氩、氪、氙、及其混合物所组成的群组，并且稀有气体的摩尔流速大于烃源的摩尔流速。该方法可包括后沉积终止步骤，其中烃源及稀有气体的流动并终止，并且将等离子体维持在处理室中一段时间以自处理室中移除粒子。
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公开(公告)号：CN103210480A
公开(公告)日：2013-07-17
申请号：CN201180045061.4
申请日：2011-09-30
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/312
CPC classification number: H01L21/64 , C23C16/0272 , C23C16/26 , H01L21/02115 , H01L21/02274 , H01L21/31144
Abstract: 本发明的实施例大体上关于集成电路的制造，并且尤其关于含硼非晶碳层在半导体基板上的沉积。在一实施例中，提供一种在处理腔室中处理基板的方法。此方法包含：在处理空间中提供基板；使含碳氢化合物气体混合物流动到处理空间内；通过从RF源施加功率来产生含碳氢化合物气体混合物的等离子体；使含硼气体混合物流动到处理空间内；及在等离子体的存在下，在基板上沉积含硼非晶碳膜，其中含硼非晶碳膜含有原子百分比为约30至约60的硼。
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公开(公告)号：CN101523357B
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN200780037481.1
申请日：2007-10-04
Applicant: 应用材料公司
Inventor： G·巴拉苏布拉马尼恩 , A·班塞尔 , E·Y·朱科 , M·阿优伯 , H-J·金 , K·杰纳基拉曼 , S·拉蒂 , D·帕德希 , M·J·西蒙斯 , V·斯瓦拉马克瑞希楠 , B·H·金 , A·阿巴亚缇 , D·R·威蒂 , H·姆塞德 , A·巴利施尼科夫 , C·陈 , S·刘
IPC: H01L21/683 , H01L21/67 , H01J37/32 , C23C16/52
CPC classification number: H01L21/6831 , C23C16/52 , H01J37/32431 , H01L21/67069 , H01L21/67253
Abstract: 本发明提供用以监测与维持等离子反应器中基板的平坦度的方法与设备。本发明的特定实施例提供一种用以处理基板的方法，所述方法至少包含：将基板定位在静电夹具上；施加RF功率于静电夹具中的电极以及反向电极之间，其中反向电极设置成平行于静电夹具；施加DC偏压至静电夹具中的电极，以夹持静电夹具上的基板；以及测量静电夹具的虚拟阻抗。
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