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公开(公告)号：CN102915925A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201210396144.4
申请日：2007-06-22
申请人： 应用材料公司
发明人： D·帕德希 , H-C·哈 , S·拉蒂 , D·R·威蒂 , C·陈 , S·帕克 , G·巴拉苏布拉马尼恩 , K·杰纳基拉曼 , M·J·西蒙斯 , V·斯瓦拉马克瑞希楠 , B·H·金 , H·姆塞德
IPC分类号： H01L21/314 , H01L21/311 , C23C16/26
CPC分类号： H01L21/3146 , C23C16/045 , C23C16/26 , C23C16/5096 , C23C16/56 , H01L21/31144
摘要： 一种在基板上沉积无定形碳层的方法包括下列步骤：将基板放置在处理室中；将烃源导入处理室；将重稀有气体导入处理室；以及在处理室中产生等离子体。重稀有气体选自由氩、氪、氙、及其混合物所组成的群组，并且稀有气体的摩尔流速大于烃源的摩尔流速。该方法可包括后沉积终止步骤，其中烃源及稀有气体的流动并终止，并且将等离子体维持在处理室中一段时间以自处理室中移除粒子。
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公开(公告)号：CN103170478A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201310055064.7
申请日：2009-05-28
申请人： 应用材料公司
发明人： R·萨卡拉克利施纳 , D·杜鲍斯 , G·巴拉苏布拉马尼恩 , K·杰纳基拉曼 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 , T·诺瓦克 , V·斯瓦拉马克瑞希楠 , H·姆萨德
IPC分类号： B08B5/00 , C23C16/44 , C23C16/455
CPC分类号： F16K31/0655 , B08B5/00 , B08B7/0021 , C23C16/4405 , C23C16/4409 , C23C16/45561 , F16K1/221 , F16K1/224 , F16K31/06 , F16K31/088 , Y10S438/905
摘要： 本发明提出一种用以清洁工艺腔室的方法与设备。在一个实施例中，本发明提供一种工艺腔室，包括远程等离子源与工艺腔室，所述工艺腔室具有至少两个工艺区域。各工艺区域包括：基材支撑组件，设置在所述工艺区域中；气体散布系统，配置以提供气体到所述基材支撑组件上方的所述工艺区域内；以及气体通道，配置以提供气体到所述基材支撑组件下方的所述工艺区域内。第一气体导管是配置以将清洁试剂从所述远程等离子源经由所述气体散布组件流入各所述工艺区域，而第二气体导管是配置以将来自所述第一气体导管的所述清洁试剂的一部分转向到各所述工艺区域的所述气体通道。
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公开(公告)号：CN101523357B
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN200780037481.1
申请日：2007-10-04
申请人： 应用材料公司
发明人： G·巴拉苏布拉马尼恩 , A·班塞尔 , E·Y·朱科 , M·阿优伯 , H-J·金 , K·杰纳基拉曼 , S·拉蒂 , D·帕德希 , M·J·西蒙斯 , V·斯瓦拉马克瑞希楠 , B·H·金 , A·阿巴亚缇 , D·R·威蒂 , H·姆塞德 , A·巴利施尼科夫 , C·陈 , S·刘
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/67 , H01J37/32 , C23C16/52
CPC分类号： H01L21/6831 , C23C16/52 , H01J37/32431 , H01L21/67069 , H01L21/67253
摘要： 本发明提供用以监测与维持等离子反应器中基板的平坦度的方法与设备。本发明的特定实施例提供一种用以处理基板的方法，所述方法至少包含：将基板定位在静电夹具上；施加RF功率于静电夹具中的电极以及反向电极之间，其中反向电极设置成平行于静电夹具；施加DC偏压至静电夹具中的电极，以夹持静电夹具上的基板；以及测量静电夹具的虚拟阻抗。
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公开(公告)号：CN108140562B
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN201680060335.X
申请日：2016-10-19
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/02 , H01L21/768
摘要： 用于沉积膜的方法，包括将基材表面循环暴露至前体与除气环境，以移除从膜释出的气体。一些实施例进一步包括：并入毒化特征的顶部，以抑制特征的顶部处的膜生长。一些实施例进一步包括：在循环之间蚀刻在特征的顶部沉积的该膜的一部分，以增加间隙填充均匀度。
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公开(公告)号：CN107658249B
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN201710997020.4
申请日：2015-11-03
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/677
摘要： 本申请公开了包含将沉积腔室与处理腔室分开的隔离区域的处理系统。本文描述一种用于在处理系统中处理基板的设备和方法，所述处理系统包含沉积腔室、处理腔室以及隔离区域，所述隔离区域将所述沉积腔室与所述处理腔室分开。所述沉积腔室将膜沉积在基板上。所述处理腔室从所述沉积腔室接收所述基板，并且利用膜特性更改装置来更改沉积在所述沉积腔室中的所述膜。提供了根据以上实施例以及其他实施例的处理系统和方法。
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公开(公告)号：CN107658249A
公开(公告)日：2018-02-02
申请号：CN201710997020.4
申请日：2015-11-03
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/677
CPC分类号： H01L21/67207 , H01L21/67126 , H01L21/6719 , H01L21/67213 , H01L21/67709 , H01L21/6776
摘要： 本申请公开了包含将沉积腔室与处理腔室分开的隔离区域的处理系统。本文描述一种用于在处理系统中处理基板的设备和方法，所述处理系统包含沉积腔室、处理腔室以及隔离区域，所述隔离区域将所述沉积腔室与所述处理腔室分开。所述沉积腔室将膜沉积在基板上。所述处理腔室从所述沉积腔室接收所述基板，并且利用膜特性更改装置来更改沉积在所述沉积腔室中的所述膜。提供了根据以上实施例以及其他实施例的处理系统和方法。
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公开(公告)号：CN105826218B
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN201610044160.5
申请日：2016-01-22
申请人： 应用材料公司
发明人： K·杰纳基拉曼 , H·K·波内坎蒂 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 , M·斯里尼瓦桑
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/677
摘要： 一种半导体工艺设备。提供了一种用于处理基板的系统，所述系统包括第一平面电动机、基板载件、第一处理腔室以及第一升降器。第一平面电动机包括沿第一水平方向设置的第一线圈布置、平行于第一水平方向的顶表面、第一侧和第二侧。基板载件具有平行于第一水平方向的基板支撑表面。第一处理腔室具有用于接收设置在基板载件上的基板的开口。第一升降器包括第二平面电动机，所述第二平面电动机具有沿第一水平方向设置的第二线圈布置。第二平面电动机的顶表面平行于第一水平方向。第一升降器配置成用于在第一竖直位置与第二竖直位置之间移动第二平面电动机的顶表面。
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公开(公告)号：CN111463146A
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN201911327919.0
申请日：2019-12-20
申请人： 应用材料公司
发明人： V·S·C·帕里米 , Z·黄 , J·李 , S·拉达克里什南 , 程睿 , D·N·凯德拉亚 , J·C·罗查 , U·M·科尔卡 , K·杰纳基拉曼 , S·M·博贝克 , P·K·库尔施拉希萨 , V·K·普拉巴卡尔 , B·S·权
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/687
摘要： 本公开内容的实施方式总体上涉及一种基座，所述基座用于增加支撑在其上的基板中的温度均匀性。所述基座包括主体，所述主体中嵌入有加热器。所述主体包括图案化的表面，所述图案化的表面包括第一区域和围绕所述中心区域的第二区域，所述第一区域具有在第一高度从所述主体的基底表面延伸的第一多个柱，所述第二区域具有在大于第一高度的第二高度从基底表面延伸的第二多个柱，其中所述第一多个柱和所述第二多个柱中的每一者的上表面基本上共面并且限定基板接收表面。
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公开(公告)号：CN105826218A
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201610044160.5
申请日：2016-01-22
申请人： 应用材料公司
发明人： K·杰纳基拉曼 , H·K·波内坎蒂 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 , M·斯里尼瓦桑
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/677
摘要： 一种半导体工艺设备。提供了一种用于处理基板的系统，所述系统包括第一平面电动机、基板载件、第一处理腔室以及第一升降器。第一平面电动机包括沿第一水平方向设置的第一线圈布置、平行于第一水平方向的顶表面、第一侧和第二侧。基板载件具有平行于第一水平方向的基板支撑表面。第一处理腔室具有用于接收设置在基板载件上的基板的开口。第一升降器包括第二平面电动机，所述第二平面电动机具有沿第一水平方向设置的第二线圈布置。第二平面电动机的顶表面平行于第一水平方向。第一升降器配置成用于在第一竖直位置与第二竖直位置之间移动第二平面电动机的顶表面。
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