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公开(公告)号：CN112930580A
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN201980068601.7
申请日：2019-10-07
申请人： 应用材料公司
发明人： B·S·权 , P·K·库尔施拉希萨 , K·D·李 , S·博贝克
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/324 , H01L21/67 , H01J37/32 , H05H1/46
摘要： 提供了一种清洁半导体处理腔室的部件的方法。所述方法包含将部件中的残留物暴露于含有含氮气体和含氧气体的工艺等离子体。部件中的残留物经历化学反应，从而清洁部件。清洁了部件，将部件恢复到运行工艺化学反应之前的条件。
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公开(公告)号：CN112041480A
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN201980028655.0
申请日：2019-04-09
申请人： 应用材料公司
摘要： 本发明的实施例总体上涉及在厚膜沉积期间在等离子体处理腔室中减少电弧的装置。在一个实施例中，当在基板上沉积厚(大于两微米)层时，使用包括比基板的外径大约0.28英寸至约0.38英寸的内径的边缘环。层可以是介电层，诸如碳硬掩模层，例如非晶碳层。由于在厚层的沉积期间，在基板的外边缘和边缘环的内边缘之间的0.14英寸至0.19英寸的间隙，因此在维持层厚度均匀性的同时减少了基板支撑表面的电弧。
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公开(公告)号：CN113853450A
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN202080037327.X
申请日：2020-03-25
申请人： 应用材料公司
发明人： B·S·权 , D·H·李 , P·K·库尔施拉希萨 , K·D·李 , R·林杜尔派布恩 , I·贾米尔 , P·Y·卢 , 马骏 , A·K·班塞尔 , T·A·恩古耶 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯
IPC分类号： C23C16/505
摘要： 一种用于形成膜的系统和方法包含以下步骤：在处理腔室的处理容积中产生等离子体以在基板上形成膜。处理腔室可包含：气体分配器，气体分配器被配置成在处理容积中产生等离子体。再者，将阻挡气体提供至处理容积以在位于处理容积中的等离子体周围形成气幕。阻挡气体是由气体供应源经由沿着处理腔室的第一侧设置的入口端口来供应。此外，排气口是沿着处理腔室的第一侧来设置，且等离子体和阻挡气体是通过排气口被清除。
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公开(公告)号：CN112041967A
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN201980028076.6
申请日：2019-03-21
申请人： 应用材料公司
发明人： B·S·权 , P·K·库尔施拉希萨 , K·D·李 , B·阿夫扎尔 , S·哈 , V·K·普拉巴卡尔 , V·卡尔塞卡尔 , S·托卡奇丘 , 爱德华四世·P·哈蒙德
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/324 , H01L21/311 , H01L21/033
摘要： 在一个或多个实施例中，一种用于通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)来沉积碳硬掩模材料的方法包括：将容纳在工艺腔室内的基板加热到在从约100℃至约700℃的范围内的温度；以及用发出大于3kW的RF功率的功率发生器产生等离子体。在一些示例中，温度在从约300℃至约700℃的范围内，并且RF功率大于3kW至约7kW。方法还包括使烃前驱物流动到工艺腔室内的等离子体中，并且以大于5000/min(诸如高达约10000/min或更快)的速率在基板上形成碳硬掩模层。
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公开(公告)号：CN111463146A
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN201911327919.0
申请日：2019-12-20
申请人： 应用材料公司
发明人： V·S·C·帕里米 , Z·黄 , J·李 , S·拉达克里什南 , 程睿 , D·N·凯德拉亚 , J·C·罗查 , U·M·科尔卡 , K·杰纳基拉曼 , S·M·博贝克 , P·K·库尔施拉希萨 , V·K·普拉巴卡尔 , B·S·权
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/687
摘要： 本公开内容的实施方式总体上涉及一种基座，所述基座用于增加支撑在其上的基板中的温度均匀性。所述基座包括主体，所述主体中嵌入有加热器。所述主体包括图案化的表面，所述图案化的表面包括第一区域和围绕所述中心区域的第二区域，所述第一区域具有在第一高度从所述主体的基底表面延伸的第一多个柱，所述第二区域具有在大于第一高度的第二高度从基底表面延伸的第二多个柱，其中所述第一多个柱和所述第二多个柱中的每一者的上表面基本上共面并且限定基板接收表面。
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公开(公告)号：CN113994023A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202080043412.7
申请日：2020-04-24
申请人： 应用材料公司
发明人： 胡良发 , P·K·库尔施拉希萨 , A·M·帕特尔 , A·A·哈贾 , V·卡尔塞卡尔 , V·K·普拉巴卡尔 , S·T·B·托卡奇丘 , B·S·权 , R·林杜尔派布恩 , K·D·李 , G·巴拉苏布拉马尼恩
IPC分类号： C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/505
摘要： 本公开涉及用于在处理腔室中的基板处理期间减少硬件残留物的形成并最小化二次等离子体形成的系统和方法。处理腔室可包含气体分配构件，所述气体分配构件被配置成使第一气体流入处理容积并从第一气体产生等离子体。第二气体被供应到处理容积的下部区域中。此外，排气端口设置在下部区域中以在处理期间或之后从处理容积移除过量的气体或副产物。
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公开(公告)号：CN113498442A
公开(公告)日：2021-10-12
申请号：CN202080017849.3
申请日：2020-02-07
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： C23C16/44 , C23C16/505 , H01J37/32
摘要： 本公开的实施方式大致关于清洁半导体处理腔室的方法。在一个实施方式中，一种清洁沉积腔室的方法包括以下步骤：将含氮气体流至沉积腔室内的处理区域中；利用射频功率在处理区域中冲击等离子体；将清洁气体引入流体连接至沉积腔室的远程等离子体源；在远程等离子体源中产生清洁气体的反应物质；将清洁气体引入沉积腔室；以及以不同蚀刻速率移除在沉积腔室的内部表面上的沉积物。
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公开(公告)号：CN113366624A
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202080011909.0
申请日：2020-01-21
申请人： 应用材料公司
发明人： 许璐 , S·M·博贝克 , P·K·库尔施拉希萨 , B·S·权 , V·S·C·帕里米 , K·D·李 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/67
摘要： 此处所述的实施例涉及用于监控静电卡紧性能的方法及工具。性能测试仅需要一个翘曲的基板及一个参考基板来执行。为了运行测试，参考基板定位于工艺腔室中静电卡盘上，且翘曲的基板定位于参考基板上。电压从功率源施加至静电卡盘，产生静电卡紧力以将翘曲的基板紧固至参考基板。此后，渐进地减少施加的电压，直到静电卡紧力太弱而无法将翘曲的基板维持在平坦的形式，导致翘曲的晶片解卡紧。通过使用传感器在沉积期间监控腔室的阻抗，可识别解卡紧的阈值电压，在此处参考基板的阻抗和翘曲的基板的阻抗偏移。
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公开(公告)号：CN211045385U
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN201922311864.6
申请日：2019-12-20
申请人： 应用材料公司
发明人： V·S·C·帕里米 , Z·黄 , J·李 , S·拉达克里什南 , 程睿 , D·N·凯德拉亚 , J·C·罗查 , U·M·科尔卡 , K·杰纳基拉曼 , S·M·博贝克 , P·K·库尔施拉希萨 , V·K·普拉巴卡尔 , B·S·权
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/687
摘要： 本公开内容的实施方式总体上涉及一种基座，所述基座用于增加支撑在其上的基板中的温度均匀性。所述基座包括主体，所述主体中嵌入有加热器。所述主体包括图案化的表面，所述图案化的表面包括第一区域和围绕所述中心区域的第二区域，所述第一区域具有在第一高度从所述主体的基底表面延伸的第一多个柱，所述第二区域具有在大于第一高度的第二高度从基底表面延伸的第二多个柱，其中所述第一多个柱和所述第二多个柱中的每一者的上表面基本上共面并且限定基板接收表面。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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