公开(公告)号：CN113498442A

公开(公告)日：2021-10-12

申请号：CN202080017849.3

申请日：2020-02-07

Applicant: 应用材料公司

Inventor： B·S·权 ,  许璐 ,  P·K·库尔施拉希萨 ,  S·李 ,  D·H·李 ,  K·D·李

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/505 ,  H01J37/32

Abstract: 本公开的实施方式大致关于清洁半导体处理腔室的方法。在一个实施方式中，一种清洁沉积腔室的方法包括以下步骤：将含氮气体流至沉积腔室内的处理区域中；利用射频功率在处理区域中冲击等离子体；将清洁气体引入流体连接至沉积腔室的远程等离子体源；在远程等离子体源中产生清洁气体的反应物质；将清洁气体引入沉积腔室；以及以不同蚀刻速率移除在沉积腔室的内部表面上的沉积物。

公开(公告)号：CN114424325A

公开(公告)日：2022-04-29

申请号：CN202080067068.5

申请日：2020-08-06

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 韩新海 ,  H·俞 ,  胡可嵩 ,  K·恩斯洛 ,  尾方正树 ,  王文佼 ,  C·Y·王 ,  杨传曦 ,  J·马赫 ,  P·L·梁 ,  Q·E·中 ,  A·杰恩 ,  N·拉贾戈帕兰 ,  D·帕德希 ,  S·李

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/318 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11578

Abstract: 形成半导体结构的示例性方法可包含由含硅前驱物和含氧前驱物形成氧化硅层。该方法可包含由含硅前驱物、含氮前驱物和含氧前驱物形成氮化硅层。氮化硅层的特征可在于氧浓度大于或约为5原子％。该方法还可包含重复形成氧化硅层和形成氮化硅层以产生氧化硅与氮化硅的交替层的堆叠。

公开(公告)号：CN116324021A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202180064959.X

申请日：2021-07-16

Applicant: 应用材料公司

Inventor： V·V·瓦茨 ,  B·K·安 ,  S·李 ,  H·俞

IPC: C23C16/34

Abstract: 示例处理方法可包括形成含硅和氮前驱物的第一沉积等离子体。方法可包括利用第一沉积等离子体在半导体基板上沉积氮化硅材料的第一部分。可形成含氦和氮前驱物的第一处理等离子体以利用第一处理等离子体来处理氮化硅材料的第一部分。第二沉积等离子体可沉积氮化硅材料的第二部分，且第二处理等离子体可处理氮化硅材料的第二部分。第一处理等离子体中的氦气对氮气的流率比可低于第二处理等离子体中的He/N2流率比。来自形成第一处理等离子体的等离子体功率源的第一功率水平可低于形成第二处理等离子体的第二功率水平。