公开(公告)号：CN105789040A

公开(公告)日：2016-07-20

申请号：CN201610004379.2

申请日：2016-01-05

Applicant: 应用材料公司

Inventor： M·W·蒋 ,  P·P·贾 ,  韩新海 ,  N·拉贾戈帕兰 ,  金柏涵 ,  清原敦 ,  S·斯里卡拉

IPC: H01L21/285 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L27/11582 ,  H01L21/285 ,  H01L29/423

Abstract: 本公开的实施例提供了用于在半导体基板上制造具有最小的光刻覆盖误差的膜层的方法和系统。在一个实施例中，一种用于在基板上形成膜层的方法包括：将沉积气体混合物供应到设置在处理腔室中的基板支撑件上的基板上，所述沉积气体混合物包括含硅气体和反应气体；在沉积气体混合物存在于处理腔室中的情况下形成等离子体；当将沉积气体混合物供应至处理腔室中时，将电流施加至设置在处理腔室中的等离子体轮廓调制器中；以及当在基板上沉积膜层时，转动基板。

公开(公告)号：CN103348461A

公开(公告)日：2013-10-09

申请号：CN201180066914.2

申请日：2011-12-09

Applicant: 应用材料公司

Inventor： N·拉贾戈帕兰 ,  朴智爱 ,  R·雅玛西 ,  S·帕特尔 ,  T·诺瓦克 ,  L-Q·夏 ,  金秉宪 ,  R·丁 ,  J·巴尔迪诺 ,  M·奈克 ,  S·拉马斯瓦米

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/48 ,  H01L23/045 ,  H01L23/055

CPC classification number: H01L24/13 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/68792 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76898 ,  H01L24/11 ,  H01L24/742 ,  H01L2221/68372 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/11002 ,  H01L2224/11452 ,  H01L2224/1182 ,  H01L2224/13562 ,  H01L2224/1357 ,  H01L2224/13687 ,  H01L2224/742 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种直通硅穿孔制造方法包括：在硅板中蚀刻多个直通孔。将氧化物衬垫沉积在硅板的表面上并且沉积在直通孔的侧壁及底壁上。然后，在直通孔中沉积金属导体。在可与氧化物衬垫同时使用的另一方案中，将氮化硅钝化层沉积在基板的硅板的暴露后表面上。

公开(公告)号：CN114424325A

公开(公告)日：2022-04-29

申请号：CN202080067068.5

申请日：2020-08-06

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 韩新海 ,  H·俞 ,  胡可嵩 ,  K·恩斯洛 ,  尾方正树 ,  王文佼 ,  C·Y·王 ,  杨传曦 ,  J·马赫 ,  P·L·梁 ,  Q·E·中 ,  A·杰恩 ,  N·拉贾戈帕兰 ,  D·帕德希 ,  S·李

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/318 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11578

Abstract: 形成半导体结构的示例性方法可包含由含硅前驱物和含氧前驱物形成氧化硅层。该方法可包含由含硅前驱物、含氮前驱物和含氧前驱物形成氮化硅层。氮化硅层的特征可在于氧浓度大于或约为5原子％。该方法还可包含重复形成氧化硅层和形成氮化硅层以产生氧化硅与氮化硅的交替层的堆叠。

公开(公告)号：CN102804350A

公开(公告)日：2012-11-28

申请号：CN201180014065.6

申请日：2011-03-15

Applicant: 应用材料公司

Inventor： N·拉贾戈帕兰 ,  X·韩 ,  R·雅玛西 ,  朴智爱 ,  S·帕特尔 ,  T·诺瓦克 ,  Z·崔 ,  M·奈克 ,  H·L·朴 ,  R·丁 ,  金秉宪

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L21/02068 ,  C23C16/345 ,  C23C16/45523 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/56 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3171 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/742 ,  H01L2224/1181 ,  H01L2224/1182 ,  H01L2224/11827 ,  H01L2224/11831 ,  H01L2224/119 ,  H01L2224/11901 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13562 ,  H01L2224/1358 ,  H01L2224/13583 ,  H01L2224/13687 ,  H01L2224/742 ,  H01L2924/0001 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00

Abstract: 本文描述在基板的特征结构上形成包括氮化硅的钝化层的方法。在沉积方法的第一阶段中，将包括含硅气体与含氮气体的电介质沉积气体导入处理区中并经供给能量以沉积氮化硅层。在第二阶段中，将组成不同于电介质沉积气体的处理气体导入处理区并经供给能量以处理氮化硅层。可对第一阶段与第二阶段执行多次。

公开(公告)号：CN102640295A

公开(公告)日：2012-08-15

申请号：CN201080054587.4

申请日：2010-11-22

Applicant: 应用材料公司

Inventor： X·韩 ,  N·拉贾戈帕兰 ,  朴智爱 ,  B·梅巴尔基 ,  H·L·朴 ,  金秉宪

IPC: H01L29/868

CPC classification number: H01L21/0262 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02603 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/868

Abstract: 在此描述在基板上形成高电流密度的垂直P-I-N二极管的方法。所述方法包括以下步骤：同时将含四族元素的前驱物结合依序式的暴露，所述依序式的暴露是以任一次序对n型掺杂剂前驱物及p型掺杂剂前驱物暴露。通过减少或消除掺杂剂前驱物的流动同时流入含四族元素的前驱物，而在n型层与p型层之间沉积本征层。在n型层、本征层与p型层中每一个的沉积期间，基板可留在相同的处理腔室中，且基板在相邻层的沉积之间不暴露至大气。

公开(公告)号：CN113823558A

公开(公告)日：2021-12-21

申请号：CN202111107874.3

申请日：2016-01-05

Applicant: 应用材料公司

Inventor： M·W·蒋 ,  P·P·贾 ,  韩新海 ,  N·拉贾戈帕兰 ,  金柏涵 ,  清原敦 ,  S·斯里卡拉

IPC: H01L21/285 ,  H01L29/423

Abstract: 本公开的实施例提供了用于在半导体基板上制造具有最小的光刻覆盖误差的膜层的方法和系统。在一个实施例中，一种用于在基板上形成膜层的方法包括：将沉积气体混合物供应到设置在处理腔室中的基板支撑件上的基板上，所述沉积气体混合物包括含硅气体和反应气体；在沉积气体混合物存在于处理腔室中的情况下形成等离子体；当将沉积气体混合物供应至处理腔室中时，将电流施加至设置在处理腔室中的等离子体轮廓调制器中；以及当在基板上沉积膜层时，转动基板。

公开(公告)号：CN107406983B

公开(公告)日：2021-03-16

申请号：CN201580070028.5

申请日：2015-12-01

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 梁璟梅 ,  K·V·塔达尼 ,  J·S·卡契安 ,  N·拉贾戈帕兰

IPC: C23C16/505 ,  C23C16/455 ,  C23C16/452 ,  C23C16/40 ,  B81B3/00 ,  H01L21/02

Abstract: 减少具支柱的基板的线条弯曲与表面粗糙度的方法包括通过用自由基处理含支柱的基板来形成处理表面。自由基可以是硅基的、氮基的或氧基的。该方法可包括通过使有机硅前体和氧前体反应来在处理表面上面形成介电膜。该方法可包括在约150℃或以下的温度下，固化介电膜。减少具支柱的基板的线条弯曲与表面粗糙度的方法包括通过使有机硅前体、氧前体和自由基前体反应来在含支柱的基板上面形成介电膜。该方法可包括在约150℃或以下的温度下，固化介电膜。自由基前体可选自由氮基自由基前体、氧基自由基前体和硅基自由基前体所组成的群组。

公开(公告)号：CN118140292A

公开(公告)日：2024-06-04

申请号：CN202280068198.X

申请日：2022-08-22

Applicant: 应用材料公司

Inventor： S·拉斯 ,  G·巴拉苏布拉马尼恩 ,  N·拉贾戈帕兰 ,  A·A·哈贾 ,  P·帕拉 ,  H·D·泰勒

IPC: H01L21/02 ,  C23C16/26 ,  C23C16/50 ,  C23C16/56

Abstract: 半导体处理的示例性方法可包括在半导体处理腔室的处理区域中形成含碳前驱物的等离子体。所述方法可包括在半导体处理腔室的处理区域中容纳的基板上沉积含碳材料。所述方法可包括停止含碳前驱物到半导体处理腔室的处理区域中的流动。所述方法可包括使含碳材料与氧化材料的等离子体流出物接触。所述方法可包括从含碳材料的表面形成挥发性材料。

公开(公告)号：CN105934819B

公开(公告)日：2019-04-26

申请号：CN201580005195.1

申请日：2015-01-06

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 韩新海 ,  N·拉贾戈帕兰 ,  S·H·洪 ,  金柏涵 ,  M·斯利尼瓦萨恩

IPC: H01L27/11556 ,  H01L27/11582 ,  H01L21/02

Abstract: 提供一种用于形成在3D存储器装置中使用的膜层的堆叠的方法。所述方法开始于在沉积反应器的处理腔室中提供基板。然后，将适合于形成电介质层的一种或更多种工艺气体供应至所述沉积反应器的处理腔室内，从而在所述基板上形成电介质层。然后，将适合于形成金属层的一种或更多种工艺气体供应至所述沉积反应器的处理腔室内，从而在所述电介质层上形成金属层。然后，将适合于形成金属氮化物粘合层的一种或更多种工艺气体供应至所述沉积反应器的处理腔室内，从而在所述金属层上形成金属氮化物粘合层。然后重复此序列以形成期望的层数。

公开(公告)号：CN107406983A

公开(公告)日：2017-11-28

申请号：CN201580070028.5

申请日：2015-12-01

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 梁璟梅 ,  K·V·塔达尼 ,  J·S·卡契安 ,  N·拉贾戈帕兰

IPC: C23C16/505 ,  C23C16/455 ,  C23C16/452 ,  C23C16/40 ,  B81B3/00 ,  H01L21/02

Abstract: 减少具支柱的基板的线条弯曲与表面粗糙度的方法包括通过用自由基处理含支柱的基板来形成处理表面。自由基可以是硅基的、氮基的或氧基的。该方法可包括通过使有机硅前体和氧前体反应来在处理表面上面形成介电膜。该方法可包括在约150℃或以下的温度下，固化介电膜。减少具支柱的基板的线条弯曲与表面粗糙度的方法包括通过使有机硅前体、氧前体和自由基前体反应来在含支柱的基板上面形成介电膜。该方法可包括在约150℃或以下的温度下，固化介电膜。自由基前体可选自由氮基自由基前体、氧基自由基前体和硅基自由基前体所组成的群组。