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公开(公告)号：CN108369921A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201680072132.2
申请日：2016-12-05
Applicant: 应用材料公司
Inventor： Z·J·叶 , 塙广二 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 , P·曼纳 , M·W·蒋 , A·高 , 王文佼 , 林永景 , P·K·库尔施拉希萨 , 韩新海 , 金柏涵 , K·D·李 , K·T·纳拉辛哈 , 段子青 , D·帕德希
IPC: H01L21/683 , H05H1/46 , H01J49/10 , H01L21/687
CPC classification number: H01L21/6833 , C23C16/4586 , C23C16/509 , H01J37/32091 , H01L21/02274 , H01L21/0262 , H01L21/28556
Abstract: 公开对于静电夹盘的方法与设备的技术，此静电夹盘适合在高操作温度下操作。在一个示例中，提供一种基板支撑组件。基板支撑组件包含实质上碟形的陶瓷主体，陶瓷主体具有上表面、圆柱侧壁以及下表面。上表面经配置以支撑基板于上表面上，以在真空处理腔室中处理基板。圆柱侧壁界定陶瓷主体的外直径。下表面与上表面相对地设置。电极被设置在陶瓷主体中。电路被电连接至电极。电路包含DC夹紧电路、第一RF驱动电路以及第二RF驱动电路。DC夹紧电路、第一RF驱动电路以及第二RF驱动电路电耦合至电极。
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公开(公告)号：CN113056807B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN201980076034.X
申请日：2019-11-08
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 韩新海 , D·帕德希 , D·R·本杰明拉吉 , K·恩斯洛 , 王文佼 , 尾方正树 , S·S·阿迪帕利 , N·S·乔拉普尔 , G·E·奇可卡诺夫 , S·斯里瓦斯塔瓦 , 白宗薰 , Z·易卜拉希米 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 , T-J·龚
IPC: H01J37/32
Abstract: 本公开的实施例描述一种用于沉积膜层的设备和方法，该设备和方法可在一系列沉积和光刻工艺之后对覆盖误差具有最小的贡献。在一个示例中，一种方法包括：将基板定位在处理腔室中的基板支撑件上；以及使包括含硅气体和反应气体的沉积气体混合物通过喷淋头流到处理腔室，根据基板的应力分布，该喷淋头具有面向基板支撑件的凸形表面或面向基板支撑件的凹形表面。通过将RF功率施加到该喷淋头的多个耦接点而在处理腔室中存在沉积气体混合物的情况下形成等离子体，该喷淋头的该等多个耦接点绕该喷淋头的中心点对称地布置。然后在基板上执行沉积工艺。
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公开(公告)号：CN113939893A
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202080040862.0
申请日：2020-05-29
Applicant: 应用材料公司
Inventor： S·斯里瓦斯塔瓦 , S·S·阿迪帕利 , N·S·乔拉普尔 , D·R·本杰明拉吉 , A·K·班塞尔 , J·C·罗查 , G·E·奇可卡诺夫 , 韩新海 , 尾方正树 , K·恩斯洛 , 王文佼
IPC: H01J37/32 , C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/50
Abstract: 一种用于基板处理腔室的面板包含第一表面和第二表面。第二表面成形为使得第二表面包括峰，并且在第一表面和第二表面之间的距离在面板的整个宽度上变化。面板的第二表面暴露于处理腔室的处理容积。此外，面板可以是处理腔室的盖组件的一部分。盖组件可包括面向面板的第一表面的挡板。在挡板和第一表面之间的距离是恒定的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108369921B
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN201680072132.2
申请日：2016-12-05
Applicant: 应用材料公司
Inventor： Z·J·叶 , 塙广二 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 , P·曼纳 , M·W·蒋 , A·高 , 王文佼 , 林永景 , P·K·库尔施拉希萨 , 韩新海 , 金柏涵 , K·D·李 , K·T·纳拉辛哈 , 段子青 , D·帕德希
IPC: H01L21/683 , H05H1/46 , H01J49/10 , H01L21/687
Abstract: 公开对于静电夹盘的方法与设备的技术，此静电夹盘适合在高操作温度下操作。在一个示例中，提供一种基板支撑组件。基板支撑组件包含实质上碟形的陶瓷主体，陶瓷主体具有上表面、圆柱侧壁以及下表面。上表面经配置以支撑基板于上表面上，以在真空处理腔室中处理基板。圆柱侧壁界定陶瓷主体的外直径。下表面与上表面相对地设置。电极被设置在陶瓷主体中。电路被电连接至电极。电路包含DC夹紧电路、第一RF驱
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公开(公告)号：CN116457925A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202180074357.2
申请日：2021-11-02
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/66
Abstract: 描述了用于产生校正动作的评估图的方法、系统及非暂时性计算机可读介质。一种方法包括接收包含第一组向量的第一向量图，每一向量指示在基板上的多个位置的特定位置的变形。该方法进一步包括通过旋转第一组向量中的每一向量的位置来产生包含第二组向量的第二向量图。该方法进一步包括基于第二组向量中的向量及第一组向量中的对应向量来产生包括第三组向量的第三向量图。该方法进一步包括从第一组向量中的对应向量减去第三组向量的每一向量来产生第四向量图。第四向量图指示第一向量图的平面分量。
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公开(公告)号：CN114424325A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202080067068.5
申请日：2020-08-06
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 韩新海 , H·俞 , 胡可嵩 , K·恩斯洛 , 尾方正树 , 王文佼 , C·Y·王 , 杨传曦 , J·马赫 , P·L·梁 , Q·E·中 , A·杰恩 , N·拉贾戈帕兰 , D·帕德希 , S·李
IPC: H01L21/316 , H01L21/318 , H01L27/11524 , H01L27/11551 , H01L27/1157 , H01L27/11578
Abstract: 形成半导体结构的示例性方法可包含由含硅前驱物和含氧前驱物形成氧化硅层。该方法可包含由含硅前驱物、含氮前驱物和含氧前驱物形成氮化硅层。氮化硅层的特征可在于氧浓度大于或约为5原子％。该方法还可包含重复形成氧化硅层和形成氮化硅层以产生氧化硅与氮化硅的交替层的堆叠。
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公开(公告)号：CN113939893B
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202080040862.0
申请日：2020-05-29
Applicant: 应用材料公司
Inventor： S·斯里瓦斯塔瓦 , S·S·阿迪帕利 , N·S·乔拉普尔 , D·R·本杰明拉吉 , A·K·班塞尔 , J·C·罗查 , G·E·奇可卡诺夫 , 韩新海 , 尾方正树 , K·恩斯洛 , 王文佼
IPC: H01J37/32 , C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/50
Abstract: 一种用于基板处理腔室的面板包含第一表面和第二表面。第二表面成形为使得第二表面包括峰，并且在第一表面和第二表面之间的距离在面板的整个宽度上变化。面板的第二表面暴露于处理腔室的处理容积。此外，面板可以是处理腔室的盖组件的一部分。盖组件可包括面向面板的第一表面的挡板。在挡板和第一表面之间的距离是恒定的。
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公开(公告)号：CN113056807A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN201980076034.X
申请日：2019-11-08
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 韩新海 , D·帕德希 , D·R·本杰明拉吉 , K·恩斯洛 , 王文佼 , 尾方正树 , S·S·阿迪帕利 , N·S·乔拉普尔 , G·E·奇可卡诺夫 , S·斯里瓦斯塔瓦 , 白宗薰 , Z·易卜拉希米 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 , T-J·龚
IPC: H01J37/32
Abstract: 本公开的实施例描述一种用于沉积膜层的设备和方法，该设备和方法可在一系列沉积和光刻工艺之后对覆盖误差具有最小的贡献。在一个示例中，一种方法包括：将基板定位在处理腔室中的基板支撑件上；以及使包括含硅气体和反应气体的沉积气体混合物通过喷淋头流到处理腔室，根据基板的应力分布，该喷淋头具有面向基板支撑件的凸形表面或面向基板支撑件的凹形表面。通过将RF功率施加到该喷淋头的多个耦接点而在处理腔室中存在沉积气体混合物的情况下形成等离子体，该喷淋头的该等多个耦接点绕该喷淋头的中心点对称地布置。然后在基板上执行沉积工艺。
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