公开(公告)号：CN116075602A

公开(公告)日：2023-05-05

申请号：CN202180055199.6

申请日：2021-09-08

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 杨传曦 ,  H·俞 ,  D·帕德希

IPC: C23C16/34

Abstract: 用于形成SiBN膜的方法包含以下步骤：在基板上的特征上沉积膜。所述方法包含以下步骤：在第一循环中，使用化学气相沉积工艺于腔室中的基板上沉积SiB层，该基板上具有至少一个特征，该至少一个特征包含上表面、底表面及侧壁，而SiB层形成于上表面、底表面及侧壁上。在第二循环中，用包含含氮气体的等离子体处理SiB层，以形成共形的SiBN膜。

公开(公告)号：CN116324022A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202180070005.X

申请日：2021-08-26

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 杨传曦 ,  H·俞 ,  Y·杨 ,  C·Y·王 ,  A·邱 ,  韩新海 ,  S·G·卡马斯 ,  D·帕德希

IPC: C23C16/34

Abstract: 半导体处理的示例性方法可包括将含硅前驱物、含氮前驱物和双原子氢流入半导体处理腔室的处理区域。基板可以被容纳在半导体处理腔室的处理区域内。方法还可以包括形成含硅前驱物、含氮前驱物和双原子氢的等离子体。等离子体可以在15MHz以上的频率下形成。方法还可以包括将氮化硅材料沉积在基板上。

公开(公告)号：CN117795646A

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN202280045892.X

申请日：2022-05-24

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 朱思雨 ,  杨传曦 ,  于航 ,  D·帕德希 ,  郭莲朱 ,  金政焕 ,  符谦 ,  杨夏万

IPC: H01L21/02 ,  C23C16/505 ,  C23C16/34 ,  H01L21/033

Abstract: 示例性沉积方法可包括将含硼前驱物和含氮前驱物输送到半导体处理腔室的处理区域。方法可包括提供具有含硼前驱物和含氮前驱物的含氢前驱物。含氢前驱物与含硼前驱物或含氮前驱物中的任一者的流率比可为大于或约2:1。方法可包括在半导体处理腔室的处理区域内形成所有前驱物的等离子体。方法可包括在设置在半导体处理腔室的处理区域内的基板上沉积硼和氮材料。

公开(公告)号：CN113316835A

公开(公告)日：2021-08-27

申请号：CN201980089580.7

申请日：2019-12-23

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 杨传曦 ,  H·俞 ,  S·卡玛斯 ,  D·帕德希 ,  H·金 ,  E·李 ,  黄祖滨 ,  D·N·凯德拉亚 ,  程睿 ,  K·嘉纳基拉曼

IPC: H01L21/02

Abstract: 提供了用于形成氮化硅硼层的方法。所述方法包括：将基板定位在工艺腔室内的工艺区域中的基座上；加热保持基板的基座；以及将第一工艺气体的第一气流和第二工艺气体的第二气流引入工艺区域。第一工艺气体的第一气流含有硅烷、氨、氦、氮、氩和氢。第二工艺气体的第二气流含有乙硼烷和氢。所述方法还包括：与到达工艺区域的第一工艺气体的第一气流和第二工艺气体的第二气流同时形成等离子体，并将基板暴露于第一工艺气体、第二工艺气体和等离子体，以在基板上沉积氮化硅硼层。

公开(公告)号：CN119522469A

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202380052711.0

申请日：2023-06-21

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 金政焕 ,  郭莲朱 ,  符谦 ,  朱思雨 ,  杨传曦 ,  于航

IPC: H01L21/033

Abstract: 示例性半导体处理方法可包括将含氧前驱物提供到半导体处理腔室的处理区域。方法可包括形成含氧前驱物的等离子体以产生含氧等离子体流出物。方法可包括使处理区域中容纳的基板与含氧等离子体流出物接触。基板可包括上覆于含碳材料的含硼和氮的材料。含硼和氮的材料包含多个开口。方法可包括蚀刻含碳材料。

公开(公告)号：CN117898034A

公开(公告)日：2024-04-16

申请号：CN202280046472.3

申请日：2022-06-27

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 沈齐欣 ,  杨传曦 ,  于航 ,  D·帕德希 ,  李吉镛 ,  姜声官 ,  A·W·穆罕默德 ,  H·刘

IPC: H10B12/00 ,  H01L21/02

Abstract: 描述了存储器器件和形成存储器器件的方法。所述存储器器件包括钌层上的氮化硅硬掩模层。在钌上形成氮化硅硬掩模层包括用等离子体预处理钌层以在所述钌层上形成界面层；以及通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)在所述界面层上形成氮化硅层。在一些实施例中，与不包括界面层的存储器器件相比，预处理钌层导致界面层具有降低的粗糙度并且存储器器件具有降低的电阻率。

公开(公告)号：CN114424325A

公开(公告)日：2022-04-29

申请号：CN202080067068.5

申请日：2020-08-06

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 韩新海 ,  H·俞 ,  胡可嵩 ,  K·恩斯洛 ,  尾方正树 ,  王文佼 ,  C·Y·王 ,  杨传曦 ,  J·马赫 ,  P·L·梁 ,  Q·E·中 ,  A·杰恩 ,  N·拉贾戈帕兰 ,  D·帕德希 ,  S·李

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/318 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11578

Abstract: 形成半导体结构的示例性方法可包含由含硅前驱物和含氧前驱物形成氧化硅层。该方法可包含由含硅前驱物、含氮前驱物和含氧前驱物形成氮化硅层。氮化硅层的特征可在于氧浓度大于或约为5原子％。该方法还可包含重复形成氧化硅层和形成氮化硅层以产生氧化硅与氮化硅的交替层的堆叠。