公开(公告)号：CN115088073A

公开(公告)日：2022-09-20

申请号：CN202180013738.X

申请日：2021-01-27

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 姜昌锡 ,  北岛知彦 ,  妮琴·K·英吉 ,  姜声官

IPC: H01L27/108 ,  H01L49/02

Abstract: 描述了并入桥接的字线的存储器装置。所述存储器装置包括：多个有源区域，所述多个有源区域沿着第一方向、第二方向、和第三方向隔开。多个导电层被布置为使得至少一个导电层沿着所述第三方向与所述有源区域的每一者的至少一侧相邻。导电桥接器沿着所述第二方向延伸以将所述导电层的每一者连接到一个或更多个相邻的导电层。一些实施方式包括集成的蚀刻终止层。也描述了形成堆叠的存储器装置的方法。

公开(公告)号：CN119998943A

公开(公告)日：2025-05-13

申请号：CN202380069132.7

申请日：2023-10-19

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 王肇璇 ,  雷建新 ,  侯文婷 ,  姜声官 ,  阿南德·N·伊耶尔

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/285 ,  H01L23/532

Abstract: 一种产生多层基板的方法，其包括以下步骤：在基板上沉积扩散阻障层；在阻障层上沉积包含6族金属的下层；及在下层上沉积钌层，以产生多层基板。也公开一种多层基板。

公开(公告)号：CN117898034A

公开(公告)日：2024-04-16

申请号：CN202280046472.3

申请日：2022-06-27

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 沈齐欣 ,  杨传曦 ,  于航 ,  D·帕德希 ,  李吉镛 ,  姜声官 ,  A·W·穆罕默德 ,  H·刘

IPC: H10B12/00 ,  H01L21/02

Abstract: 描述了存储器器件和形成存储器器件的方法。所述存储器器件包括钌层上的氮化硅硬掩模层。在钌上形成氮化硅硬掩模层包括用等离子体预处理钌层以在所述钌层上形成界面层；以及通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)在所述界面层上形成氮化硅层。在一些实施例中，与不包括界面层的存储器器件相比，预处理钌层导致界面层具有降低的粗糙度并且存储器器件具有降低的电阻率。

公开(公告)号：CN117716802A

公开(公告)日：2024-03-15

申请号：CN202280051638.0

申请日：2022-08-03

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 姜昌锡 ,  北岛知彦 ,  李吉镛 ,  姜声官

IPC: H10B43/27

Abstract: 描述一种半导体存储器器件及制造方法。半导体存储器器件包括存储器阵列，其包括至少一个漏极选择栅极(SGD)晶体管及至少一个存储器晶体管，该存储器阵列具有至少一个搭接区域及至少一个搭接接触件，搭接接触件将漏极选择栅极(SGD)晶体管连接至搭接线。

公开(公告)号：CN113711357A

公开(公告)日：2021-11-26

申请号：CN202080030750.7

申请日：2020-04-21

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 小泽武仁 ,  穆昆德·斯里尼瓦桑 ,  北岛知彦 ,  姜昌锡 ,  姜声官 ,  吉尔·Y·李 ,  苏米特·辛格·罗伊

IPC: H01L27/11582 ,  H01L27/1157 ,  H01L21/768

Abstract: 本文提供了用于形成多个非易失性储存单元的方法和设备。在某些实施方式中，方法例如包括形成多个非易失性储存单元，包括在基板上形成金属层交替的堆叠，金属层包括第一金属层和不同于第一金属层的第二金属层；去除第一金属层以在第二金属层的交替层之间形成空间；以及沉积第一材料层以部分地填充空间以在其中留有气隙或沉积第二材料层以填充空间这两步骤之一。

公开(公告)号：CN118339940A

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN202280073978.3

申请日：2022-09-12

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 姜昌锡 ,  李吉镛 ,  弗雷德·费什伯恩 ,  北岛知彦 ,  姜声官 ,  索尼·瓦吉斯

IPC: H10B41/30 ,  H10B41/50 ,  H10B43/30 ,  H10B43/50 ,  H10B12/00

Abstract: 描述了用于形成三维(3D)存储器结构的半导体制造工艺及具有三维存储器结构的半导体装置。三维存储器结构包含具有L形导电层的存储器单元层，其中每一层的L形导电层耦接至设置在顶层或最上层上方的金属线，以使得每一层中的存储器单元可经耦合至控制电路系统。

公开(公告)号：CN113016059A

公开(公告)日：2021-06-22

申请号：CN201980074920.9

申请日：2019-10-02

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 普里亚达希·潘达 ,  李吉尔 ,  斯里尼瓦斯·甘迪科塔 ,  姜声官 ,  桑杰·纳塔拉扬

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/677 ,  C23C16/44 ,  H01L21/02 ,  H01L27/108

Abstract: 本文提供基板制造的方法和设备。例如，所述设备可包括群集工具，其包括真空传送模块(VTM)，其配置为在真空条件下接收具有多晶硅插塞(多晶插塞)的硅基板，且在不中断真空的情况下将基板传送至多个处理腔室和从多个处理腔室传送基板，每一处理腔室独立地连接至VTM，以在基板上执行多个DRAM位线工艺中的对应一个，多个处理腔室包括：预清洁腔室，其配置为从基板的表面移除原生氧化物；阻挡金属沉积腔室，其配置为在硅基板上的多晶插塞的表面上沉积阻挡金属；阻挡层沉积腔室，其配置为在阻挡金属的表面上沉积至少一种材料；位线金属沉积腔室，其配置为在阻挡层的表面上沉积至少一种材料；和硬掩模沉积腔室，其配置为在位线金属的表面上沉积至少一种材料。

公开(公告)号：CN119856580A

公开(公告)日：2025-04-18

申请号：CN202380064874.0

申请日：2023-08-22

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 姜昌锡 ,  姜声官

IPC: H10B12/00 ,  H10N97/00

Abstract: 一种存储器单元阵列包括沿第一方向堆叠的多个存储器级，多个存储器级中的每一个包括有源区、在第一方向上在有源区上方具有单栅极的单元晶体管、以及具有电连接到有源区的底部电极层的单元电容器。

公开(公告)号：CN119856246A

公开(公告)日：2025-04-18

申请号：CN202380063987.9

申请日：2023-09-08

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 朱思雨 ,  于航 ,  D·帕德希 ,  姜声官 ,  A·W·穆罕默德 ,  A·B·玛里克

IPC: H01L21/02

Abstract: 示例性半导体处理方法可包括：将一种或多种沉积前驱物提供至半导体处理腔室的处理区域。所述方法可包括：使容纳在处理区域中的基板与一种或多种沉积前驱物接触。所述方法可包括：在基板上形成含硅材料。所述方法可包括：将含氟前驱物提供至半导体处理腔室的处理区域。所述方法可包括：使基板上的含硅材料与含氟前驱物接触，以形成氟处理的含硅材料。所述方法可包括：使氟处理的含硅材料与氩或二原子氮的等离子体流出物接触。

公开(公告)号：CN119498028A

公开(公告)日：2025-02-21

申请号：CN202380054840.3

申请日：2023-07-25

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 弗雷德里克·费什伯恩 ,  北岛知彦 ,  付强 ,  斯里尼瓦斯·古吉拉 ,  于航 ,  封俊 ,  陈世忠 ,  拉克马尔·C·卡拉塔拉格 ,  杰登·波特 ,  卡希克·贾纳基拉曼 ,  迪内士·帕德希 ,  周逸峰 ,  姜于峰 ,  姜声官

IPC: H10B12/00 ,  H01L21/02

Abstract: 描述了存储器器件及形成存储器器件的方法。描述了形成电子器件的方法，其中碳用作形成DRAM电容器的可移除模具材料。致密的高温（500℃或更高）PECVD碳材料替代氧化物用作可移除模具材料（例如，芯材料）。碳材料可以在暴露于氧（O2）、氮（N2）、氢（H2）、氨（NH3）、及其组合的自由基的情况下通过各向同性蚀刻移除。