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发明公开
形成具有降低电阻率的存储器器件的方法审中-实审

公开(公告)号：CN117898034A

公开(公告)日：2024-04-16

申请号：CN202280046472.3

申请日：2022-06-27

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 沈齐欣 , 杨传曦 , 于航 , D·帕德希 , 李吉镛 , 姜声官 , A·W·穆罕默德 , H·刘

IPC: H10B12/00 , H01L21/02

Abstract: 描述了存储器器件和形成存储器器件的方法。所述存储器器件包括钌层上的氮化硅硬掩模层。在钌上形成氮化硅硬掩模层包括用等离子体预处理钌层以在所述钌层上形成界面层；以及通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)在所述界面层上形成氮化硅层。在一些实施例中，与不包括界面层的存储器器件相比，预处理钌层导致界面层具有降低的粗糙度并且存储器器件具有降低的电阻率。

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