公开(公告)号：CN117898034A

公开(公告)日：2024-04-16

申请号：CN202280046472.3

申请日：2022-06-27

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 沈齐欣 ,  杨传曦 ,  于航 ,  D·帕德希 ,  李吉镛 ,  姜声官 ,  A·W·穆罕默德 ,  H·刘

IPC: H10B12/00 ,  H01L21/02

Abstract: 描述了存储器器件和形成存储器器件的方法。所述存储器器件包括钌层上的氮化硅硬掩模层。在钌上形成氮化硅硬掩模层包括用等离子体预处理钌层以在所述钌层上形成界面层；以及通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)在所述界面层上形成氮化硅层。在一些实施例中，与不包括界面层的存储器器件相比，预处理钌层导致界面层具有降低的粗糙度并且存储器器件具有降低的电阻率。

公开(公告)号：CN119856246A

公开(公告)日：2025-04-18

申请号：CN202380063987.9

申请日：2023-09-08

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 朱思雨 ,  于航 ,  D·帕德希 ,  姜声官 ,  A·W·穆罕默德 ,  A·B·玛里克

IPC: H01L21/02

Abstract: 示例性半导体处理方法可包括：将一种或多种沉积前驱物提供至半导体处理腔室的处理区域。所述方法可包括：使容纳在处理区域中的基板与一种或多种沉积前驱物接触。所述方法可包括：在基板上形成含硅材料。所述方法可包括：将含氟前驱物提供至半导体处理腔室的处理区域。所述方法可包括：使基板上的含硅材料与含氟前驱物接触，以形成氟处理的含硅材料。所述方法可包括：使氟处理的含硅材料与氩或二原子氮的等离子体流出物接触。