公开(公告)号：CN119948201A

公开(公告)日：2025-05-06

申请号：CN202380065941.0

申请日：2023-08-16

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 阿伦·K·科特拉帕 ,  钱德拉谢卡拉·巴吉纳热 ,  拉姆查兰·桑达 ,  赛义德·法泽利 ,  阿纳塔·苏比玛尼 ,  朱思雨 ,  A·辛哈尔 ,  菲利普·艾伦·克劳斯

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/44 ,  C23C16/458 ,  C23C16/509 ,  C23C16/04 ,  H01L21/687 ,  H01L21/02

Abstract: 本文披露的实施方式包括一种半导体处理工具。在实施方式中，所述半导体处理工具包括腔室、所述腔室中的基座、以及所述基座的第一侧上的第一气体进给系统。在实施方式中，第一气体进给系统包括具有第一阀的第一排气管线和具有第二阀的第一源气体进给管线，所述第一阀用于打开和关闭第一排气管线，所述第二阀用于打开和关闭第一源气体进给管线。在实施方式中，半导体处理工具进一步包括位于基座的第二侧上的第二气体进给系统。在实施方式中，第二气体进给系统包括具有第三阀的第二排气管线和具有第四阀的第二源气体进给管线，所述第三阀用于打开和关闭第二排气管线，所述第四阀用于打开和关闭第二源气体进给管线。

公开(公告)号：CN119856246A

公开(公告)日：2025-04-18

申请号：CN202380063987.9

申请日：2023-09-08

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 朱思雨 ,  于航 ,  D·帕德希 ,  姜声官 ,  A·W·穆罕默德 ,  A·B·玛里克

IPC: H01L21/02

Abstract: 示例性半导体处理方法可包括：将一种或多种沉积前驱物提供至半导体处理腔室的处理区域。所述方法可包括：使容纳在处理区域中的基板与一种或多种沉积前驱物接触。所述方法可包括：在基板上形成含硅材料。所述方法可包括：将含氟前驱物提供至半导体处理腔室的处理区域。所述方法可包括：使基板上的含硅材料与含氟前驱物接触，以形成氟处理的含硅材料。所述方法可包括：使氟处理的含硅材料与氩或二原子氮的等离子体流出物接触。

公开(公告)号：CN119522469A

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202380052711.0

申请日：2023-06-21

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 金政焕 ,  郭莲朱 ,  符谦 ,  朱思雨 ,  杨传曦 ,  于航

IPC: H01L21/033

Abstract: 示例性半导体处理方法可包括将含氧前驱物提供到半导体处理腔室的处理区域。方法可包括形成含氧前驱物的等离子体以产生含氧等离子体流出物。方法可包括使处理区域中容纳的基板与含氧等离子体流出物接触。基板可包括上覆于含碳材料的含硼和氮的材料。含硼和氮的材料包含多个开口。方法可包括蚀刻含碳材料。

公开(公告)号：CN117795646A

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN202280045892.X

申请日：2022-05-24

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 朱思雨 ,  杨传曦 ,  于航 ,  D·帕德希 ,  郭莲朱 ,  金政焕 ,  符谦 ,  杨夏万

IPC: H01L21/02 ,  C23C16/505 ,  C23C16/34 ,  H01L21/033

Abstract: 示例性沉积方法可包括将含硼前驱物和含氮前驱物输送到半导体处理腔室的处理区域。方法可包括提供具有含硼前驱物和含氮前驱物的含氢前驱物。含氢前驱物与含硼前驱物或含氮前驱物中的任一者的流率比可为大于或约2:1。方法可包括在半导体处理腔室的处理区域内形成所有前驱物的等离子体。方法可包括在设置在半导体处理腔室的处理区域内的基板上沉积硼和氮材料。