公开(公告)号：CN119522469A

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202380052711.0

申请日：2023-06-21

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 金政焕 ,  郭莲朱 ,  符谦 ,  朱思雨 ,  杨传曦 ,  于航

IPC: H01L21/033

Abstract: 示例性半导体处理方法可包括将含氧前驱物提供到半导体处理腔室的处理区域。方法可包括形成含氧前驱物的等离子体以产生含氧等离子体流出物。方法可包括使处理区域中容纳的基板与含氧等离子体流出物接触。基板可包括上覆于含碳材料的含硼和氮的材料。含硼和氮的材料包含多个开口。方法可包括蚀刻含碳材料。

公开(公告)号：CN117795646A

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN202280045892.X

申请日：2022-05-24

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 朱思雨 ,  杨传曦 ,  于航 ,  D·帕德希 ,  郭莲朱 ,  金政焕 ,  符谦 ,  杨夏万

IPC: H01L21/02 ,  C23C16/505 ,  C23C16/34 ,  H01L21/033

Abstract: 示例性沉积方法可包括将含硼前驱物和含氮前驱物输送到半导体处理腔室的处理区域。方法可包括提供具有含硼前驱物和含氮前驱物的含氢前驱物。含氢前驱物与含硼前驱物或含氮前驱物中的任一者的流率比可为大于或约2:1。方法可包括在半导体处理腔室的处理区域内形成所有前驱物的等离子体。方法可包括在设置在半导体处理腔室的处理区域内的基板上沉积硼和氮材料。