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公开(公告)号：CN109119518B
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN201810749783.1
申请日：2013-04-24
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 朱鸣伟 , 汪荣军 , 纳格·B·帕蒂班德拉 , 唐先明 , 维韦卡·阿格拉沃尔 , 成雄·马修·蔡 , 穆罕默德·拉希德 , 迪内希·塞加尔 , 普拉布兰姆·加帕伊·拉贾 , 奥姆卡尔姆·纳兰姆苏 , 阿纳塔·苏比玛尼
Abstract: 描述利用物理气相沉积(PVD)形成的氮化铝缓冲层来制造氮化镓基发光装置。亦描述用于PVD AlN缓冲层的工艺条件。亦描述用于PVD氮化铝缓冲层的基板预处理。在一实例中，制造缓冲层于基板上的方法包含预处理基板表面。所述方法亦包含随后利用氮基气体或等离子体从安置在物理气相沉积(PVD)腔室内的含铝靶材反应溅射氮化铝(AlN)层至基板表面上。
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公开(公告)号：CN107354428B
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN201710165989.5
申请日：2013-07-01
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本文所述的本发明的实施方式一般涉及用于形成高品质缓冲层和III‑V族层的设备和方法，所述缓冲层和III‑V族层用来形成有用的半导体装置，如电源装置、发光二极管(light emitting diode；LED)、激光二极管(laser diode；LD)或其它有用装置。本发明的实施方式还可包括用于形成高品质缓冲层、III‑V族层和电极层的设备和方法，所述缓冲层、III‑V族层和电极层用来形成有用的半导体装置。在一些实施方式中，设备和方法包括使用一或多个群集工具，所述群集工具具有一或多个物理气相沉积(physical vapor deposition；PVD)腔室，所述腔室适于在多个基板的表面上同时沉积高品质氮化铝(AlN)缓冲层，所述缓冲层具有较高的结晶取向。
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公开(公告)号：CN104205295A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201380017145.6
申请日：2013-03-13
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/203 , H01L21/324
CPC classification number: C23C16/4585 , C23C14/50 , C23C14/541 , C23C14/564 , H01J37/3408 , H01J37/3441 , H01L21/67115 , H01L21/68735
Abstract: 披露了在单一腔室中用于基板的材料处理和热处理的设备和方法。在一个实施方式中，设置有边缘环。边缘环包括环形主体，环形主体具有内周边边缘、第一表面和与第一表面相对的第二表面；第一凸起构件，第一凸起构件从第二表面实质上正交地延伸出；第二凸起构件，第二凸起构件从邻近于第一凸起构件的第二表面延伸出，并通过第一凹陷与第一凸起构件分离；和第三凸起构件，第三凸起构件从邻近于第二凸起构件的第二表面延伸出，并通过第二凹陷分离，第二凹陷包括倾斜表面，倾斜表面具有与第一表面的反射率值不同的反射率值。
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公开(公告)号：CN118854233A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410821344.2
申请日：2013-08-07
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 描述了用于GaN基光电与电子器件的控氧PVD AlN缓冲部。亦描述了以控氧方式形成用于GaN基光电与电子器件的PVD AlN缓冲部的方法。在实例中，形成用于GaN基光电或电子器件的氮化铝(AlN)缓冲层的方法涉及反应性溅射AlN层于基板上，反应性溅射涉及使置于物理气相沉积(PVD)腔室内的含铝靶材与含氮气体或以含氮气体为基础的等离子体发生反应。该方法进一步涉及将氧并入AlN层中。
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公开(公告)号：CN104246980B
公开(公告)日：2018-08-07
申请号：CN201380020953.8
申请日：2013-04-24
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 朱鸣伟 , 汪荣军 , 纳格·B·帕蒂班德拉 , 唐先明 , 维韦卡·阿格拉沃尔 , 成雄·马修·蔡 , 穆罕默德·拉希德 , 迪内希·塞加尔 , 普拉布兰姆·加帕伊·拉贾 , 奥姆卡尔姆·纳兰姆苏 , 阿纳塔·苏比玛尼
IPC: H01L21/203 , H01L33/02 , H01L33/12
CPC classification number: H01L33/12 , C30B23/02 , C30B29/403 , H01L21/0237 , H01L21/02439 , H01L21/02458 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L21/02631 , H01L21/02661 , H01L29/205 , H01L33/007 , H01L33/06 , H01L33/32
Abstract: 描述利用物理气相沉积(PVD)形成的氮化铝缓冲层来制造氮化镓基发光装置。亦描述用于PVD AlN缓冲层的工艺条件。亦描述用于PVD氮化铝缓冲层的基板预处理。在实例中,制造缓冲层于基板上的方法包含预处理基板表面。所述方法亦包含随后利用氮基气体或等离子体从安置在物理气相沉积(PVD)腔室内的含铝靶材反应溅射氮化铝(AlN)层至基板表面上。
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公开(公告)号：CN119948201A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202380065941.0
申请日：2023-08-16
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 阿伦·K·科特拉帕 , 钱德拉谢卡拉·巴吉纳热 , 拉姆查兰·桑达 , 赛义德·法泽利 , 阿纳塔·苏比玛尼 , 朱思雨 , A·辛哈尔 , 菲利普·艾伦·克劳斯
IPC: C23C16/455 , C23C16/44 , C23C16/458 , C23C16/509 , C23C16/04 , H01L21/687 , H01L21/02
Abstract: 本文披露的实施方式包括一种半导体处理工具。在实施方式中，所述半导体处理工具包括腔室、所述腔室中的基座、以及所述基座的第一侧上的第一气体进给系统。在实施方式中，第一气体进给系统包括具有第一阀的第一排气管线和具有第二阀的第一源气体进给管线，所述第一阀用于打开和关闭第一排气管线，所述第二阀用于打开和关闭第一源气体进给管线。在实施方式中，半导体处理工具进一步包括位于基座的第二侧上的第二气体进给系统。在实施方式中，第二气体进给系统包括具有第三阀的第二排气管线和具有第四阀的第二源气体进给管线，所述第三阀用于打开和关闭第二排气管线，所述第四阀用于打开和关闭第二源气体进给管线。
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公开(公告)号：CN111164742B
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN201880053440.X
申请日：2018-07-17
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 毛示旻 , 黄西门 , 阿施·高尔 , 阿纳塔·苏比玛尼 , 菲利普·艾伦·克劳斯
IPC: H01L21/67
Abstract: 实施方式包括用于监测蚀刻速率或沉积速率或用于控制晶片制造工艺的操作的系统、设备和方法。在一个实施方式中，一种处理工具包括：处理腔室，具有围绕腔室容积的衬垫壁；和监测设备，具有经由衬垫壁中的孔暴露于腔室容积的传感器。所述传感器能够实时地测量在晶片制造工艺期间发生在腔室容积内的材料沉积速率和去除速率。可相对于衬垫壁中的孔移动监测设备以选择性地将传感器或空白区域经由孔暴露于腔室容积。因此，可通过传感器来监测正在腔室容积中执行的晶片制造工艺，并且可在原位腔室清洁工艺期间将传感器从腔室容积密封。
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公开(公告)号：CN107354428A
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201710165989.5
申请日：2013-07-01
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: H01L21/0254 , C23C14/0036 , C23C14/0641 , H01J37/3426 , H01J37/3467 , H01L21/02458 , H01L21/02631 , H01L21/3065 , H01L21/3228 , C23C14/0617
Abstract: 本文所述的本发明的实施方式一般涉及用于形成高品质缓冲层和III-V族层的设备和方法，所述缓冲层和III-V族层用来形成有用的半导体装置，如电源装置、发光二极管(light emitting diode；LED)、激光二极管(laser diode；LD)或其它有用装置。本发明的实施方式还可包括用于形成高品质缓冲层、III-V族层和电极层的设备和方法，所述缓冲层、III-V族层和电极层用来形成有用的半导体装置。在一些实施方式中，设备和方法包括使用一或多个群集工具，所述群集工具具有一或多个物理气相沉积(physical vapor deposition；PVD)腔室，所述腔室适于在多个基板的表面上同时沉积高品质氮化铝(AlN)缓冲层，所述缓冲层具有较高的结晶取向。
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