公开(公告)号：CN104246980B

公开(公告)日：2018-08-07

申请号：CN201380020953.8

申请日：2013-04-24

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 朱鸣伟 ,  汪荣军 ,  纳格·B·帕蒂班德拉 ,  唐先明 ,  维韦卡·阿格拉沃尔 ,  成雄·马修·蔡 ,  穆罕默德·拉希德 ,  迪内希·塞加尔 ,  普拉布兰姆·加帕伊·拉贾 ,  奥姆卡尔姆·纳兰姆苏 ,  阿纳塔·苏比玛尼

IPC: H01L21/203 ,  H01L33/02 ,  H01L33/12

CPC classification number: H01L33/12 ,  C30B23/02 ,  C30B29/403 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02661 ,  H01L29/205 ,  H01L33/007 ,  H01L33/06 ,  H01L33/32

Abstract: 描述利用物理气相沉积(PVD)形成的氮化铝缓冲层来制造氮化镓基发光装置。亦描述用于PVD AlN缓冲层的工艺条件。亦描述用于PVD氮化铝缓冲层的基板预处理。在实例中,制造缓冲层于基板上的方法包含预处理基板表面。所述方法亦包含随后利用氮基气体或等离子体从安置在物理气相沉积(PVD)腔室内的含铝靶材反应溅射氮化铝(AlN)层至基板表面上。

公开(公告)号：CN109119518B

公开(公告)日：2021-04-02

申请号：CN201810749783.1

申请日：2013-04-24

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 朱鸣伟 ,  汪荣军 ,  纳格·B·帕蒂班德拉 ,  唐先明 ,  维韦卡·阿格拉沃尔 ,  成雄·马修·蔡 ,  穆罕默德·拉希德 ,  迪内希·塞加尔 ,  普拉布兰姆·加帕伊·拉贾 ,  奥姆卡尔姆·纳兰姆苏 ,  阿纳塔·苏比玛尼

IPC: H01L33/12 ,  H01L33/06 ,  H01L33/32 ,  H01L33/00 ,  H01L29/205 ,  H01L21/02 ,  C30B29/40 ,  C30B23/02

Abstract: 描述利用物理气相沉积(PVD)形成的氮化铝缓冲层来制造氮化镓基发光装置。亦描述用于PVD AlN缓冲层的工艺条件。亦描述用于PVD氮化铝缓冲层的基板预处理。在一实例中，制造缓冲层于基板上的方法包含预处理基板表面。所述方法亦包含随后利用氮基气体或等离子体从安置在物理气相沉积(PVD)腔室内的含铝靶材反应溅射氮化铝(AlN)层至基板表面上。

公开(公告)号：CN109119518A

公开(公告)日：2019-01-01

申请号：CN201810749783.1

申请日：2013-04-24

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 朱鸣伟 ,  汪荣军 ,  纳格·B·帕蒂班德拉 ,  唐先明 ,  维韦卡·阿格拉沃尔 ,  成雄·马修·蔡 ,  穆罕默德·拉希德 ,  迪内希·塞加尔 ,  普拉布兰姆·加帕伊·拉贾 ,  奥姆卡尔姆·纳兰姆苏 ,  阿纳塔·苏比玛尼

IPC: H01L33/12 ,  H01L33/06 ,  H01L33/32 ,  H01L33/00 ,  H01L29/205 ,  H01L21/02 ,  C30B29/40 ,  C30B23/02

Abstract: 描述利用物理气相沉积(PVD)形成的氮化铝缓冲层来制造氮化镓基发光装置。亦描述用于PVD AlN缓冲层的工艺条件。亦描述用于PVD氮化铝缓冲层的基板预处理。在一实例中，制造缓冲层于基板上的方法包含预处理基板表面。所述方法亦包含随后利用氮基气体或等离子体从安置在物理气相沉积(PVD)腔室内的含铝靶材反应溅射氮化铝(AlN)层至基板表面上。

公开(公告)号：CN104246980A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201380020953.8

申请日：2013-04-24

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 朱鸣伟 ,  汪荣军 ,  纳格·B·帕蒂班德拉 ,  唐先明 ,  维韦卡·阿格拉沃尔 ,  成雄·马修·蔡 ,  穆罕默德·拉希德 ,  迪内希·塞加尔 ,  普拉布兰姆·加帕伊·拉贾 ,  奥姆卡尔姆·纳兰姆苏 ,  阿纳塔·苏比玛尼

IPC: H01L21/203 ,  H01L33/02 ,  H01L33/12

CPC classification number: H01L33/12 ,  C30B23/02 ,  C30B29/403 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02661 ,  H01L29/205 ,  H01L33/007 ,  H01L33/06 ,  H01L33/32

Abstract: 描述利用物理气相沉积(PVD)形成的氮化铝缓冲层来制造氮化镓基发光装置。亦描述用于PVD AlN缓冲层的工艺条件。亦描述用于PVD氮化铝缓冲层的基板预处理。在一实例中，制造缓冲层于基板上的方法包含预处理基板表面。所述方法亦包含随后利用氮基气体或等离子体从安置在物理气相沉积(PVD)腔室内的含铝靶材反应溅射氮化铝(AlN)层至基板表面上。