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公开(公告)号：CN107964647B
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN201711365233.1
申请日：2011-12-13
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 朱鸣伟 , 维韦卡·阿格拉沃尔 , 纳格·B·帕蒂班德拉 , 奥姆卡尔姆·纳兰姆苏
IPC: C23C14/06 , C23C14/56 , C23C16/34 , C23C28/04 , C30B23/02 , C30B25/08 , C30B29/40 , H01L21/02 , H01L33/00
Abstract: 在此描述具有物理气相沉积(PVD)形成的氮化铝缓冲层的氮化镓类发光二极管(LED)的制造。举例而言，多腔室系统包括物理气相沉积(PVD)腔室，所述PVD腔室具有铝构成的靶。也包括一腔室，所述腔室适于沉积无掺杂或n型的氮化镓，或适于沉积前述两种氮化镓。在另一实施例中，一种制造发光二极管(LED)结构的方法包括在多腔室系统的物理气相沉积(PVD)腔室中的衬底上方形成氮化铝层。在多腔室系统的第二腔室中将无掺杂或n型氮化镓层形成在氮化铝层上。
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公开(公告)号：CN109119518B
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN201810749783.1
申请日：2013-04-24
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 朱鸣伟 , 汪荣军 , 纳格·B·帕蒂班德拉 , 唐先明 , 维韦卡·阿格拉沃尔 , 成雄·马修·蔡 , 穆罕默德·拉希德 , 迪内希·塞加尔 , 普拉布兰姆·加帕伊·拉贾 , 奥姆卡尔姆·纳兰姆苏 , 阿纳塔·苏比玛尼
Abstract: 描述利用物理气相沉积(PVD)形成的氮化铝缓冲层来制造氮化镓基发光装置。亦描述用于PVD AlN缓冲层的工艺条件。亦描述用于PVD氮化铝缓冲层的基板预处理。在一实例中，制造缓冲层于基板上的方法包含预处理基板表面。所述方法亦包含随后利用氮基气体或等离子体从安置在物理气相沉积(PVD)腔室内的含铝靶材反应溅射氮化铝(AlN)层至基板表面上。
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公开(公告)号：CN118854233A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410821344.2
申请日：2013-08-07
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 描述了用于GaN基光电与电子器件的控氧PVD AlN缓冲部。亦描述了以控氧方式形成用于GaN基光电与电子器件的PVD AlN缓冲部的方法。在实例中，形成用于GaN基光电或电子器件的氮化铝(AlN)缓冲层的方法涉及反应性溅射AlN层于基板上，反应性溅射涉及使置于物理气相沉积(PVD)腔室内的含铝靶材与含氮气体或以含氮气体为基础的等离子体发生反应。该方法进一步涉及将氧并入AlN层中。
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公开(公告)号：CN114175285A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202080036820.X
申请日：2020-05-15
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 张代化 , 骆英东 , 朱明伟 , 胡·T·额 , 斯瓦帕基亚·甘纳塔皮亚潘 , 纳格·B·帕蒂班德拉
IPC: H01L33/50 , H01L33/00 , H01L33/32 , H01L25/075 , H01L27/15
Abstract: 一种制作多色彩显示器的方法，包括在显示器上方分配光可固化流体，显示器具有LED的阵列，LED的阵列设置于覆盖层下方。覆盖物具有带有复数个凹槽的外部表面，且光可固化流体填充凹槽。光可固化流体包括色彩转换剂。启动阵列中的复数个LED，以照射且固化光可固化流体，以在凹槽中于启动的LED上方形成色彩转换层。此层将来自这些LED的光转换成第一色彩的光。移除光可固化流体的未固化的剩余物。接着，以具有不同色彩转换剂的不同的光可固化流体和不同的复数个LED重复该工艺。此举在不同的复数个凹槽中形成第二色彩转换层，以将来自这些LED的光转换成第二色彩的光。
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公开(公告)号：CN104246980B
公开(公告)日：2018-08-07
申请号：CN201380020953.8
申请日：2013-04-24
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 朱鸣伟 , 汪荣军 , 纳格·B·帕蒂班德拉 , 唐先明 , 维韦卡·阿格拉沃尔 , 成雄·马修·蔡 , 穆罕默德·拉希德 , 迪内希·塞加尔 , 普拉布兰姆·加帕伊·拉贾 , 奥姆卡尔姆·纳兰姆苏 , 阿纳塔·苏比玛尼
IPC: H01L21/203 , H01L33/02 , H01L33/12
CPC classification number: H01L33/12 , C30B23/02 , C30B29/403 , H01L21/0237 , H01L21/02439 , H01L21/02458 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L21/02631 , H01L21/02661 , H01L29/205 , H01L33/007 , H01L33/06 , H01L33/32
Abstract: 描述利用物理气相沉积(PVD)形成的氮化铝缓冲层来制造氮化镓基发光装置。亦描述用于PVD AlN缓冲层的工艺条件。亦描述用于PVD氮化铝缓冲层的基板预处理。在实例中,制造缓冲层于基板上的方法包含预处理基板表面。所述方法亦包含随后利用氮基气体或等离子体从安置在物理气相沉积(PVD)腔室内的含铝靶材反应溅射氮化铝(AlN)层至基板表面上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107964647A
公开(公告)日：2018-04-27
申请号：CN201711365233.1
申请日：2011-12-13
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 朱鸣伟 , 维韦卡·阿格拉沃尔 , 纳格·B·帕蒂班德拉 , 奥姆卡尔姆·纳兰姆苏
IPC: C23C14/06 , C23C14/56 , C23C16/34 , C23C28/04 , C30B23/02 , C30B25/08 , C30B29/40 , H01L21/02 , H01L33/00
CPC classification number: H01L21/0254 , C23C14/0641 , C23C14/568 , C23C16/34 , C23C28/04 , C23C28/044 , C30B23/02 , C30B25/08 , C30B29/406 , H01L21/02381 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0262 , H01L21/02631 , H01L33/007 , H01L33/0095
Abstract: 在此描述具有物理气相沉积(PVD)形成的氮化铝缓冲层的氮化镓类发光二极管(LED)的制造。举例而言，多腔室系统包括物理气相沉积(PVD)腔室，所述PVD腔室具有铝构成的靶。也包括一腔室，所述腔室适于沉积无掺杂或n型的氮化镓，或适于沉积前述两种氮化镓。在另一实施例中，一种制造发光二极管(LED)结构的方法包括在多腔室系统的物理气相沉积(PVD)腔室中的衬底上方形成氮化铝层。在多腔室系统的第二腔室中将无掺杂或n型氮化镓层形成在氮化铝层上。
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公开(公告)号：CN114207815A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202080035884.8
申请日：2020-05-14
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 张代化 , 骆英东 , 朱明伟 , 胡·T·额 , 斯瓦帕基亚·甘纳塔皮亚潘 , 纳格·B·帕蒂班德拉
IPC: H01L25/075 , H01L25/16 , H01L33/50 , G09F9/33
Abstract: 一种制作多色彩显示器的方法包括以下步骤：在显示器上方分配包括色彩转换剂的光可固化流体，显示器具有背平面和与背平面的背平面电路系统电气整合的发光二极管的阵列；在发光二极管的阵列中启动复数个发光二极管，以照射并且固化第一光可固化流体，以在第一复数个发光二极管中的每一者上方形成色彩转换层，以将来自复数个发光二极管的光转换成第一色彩的光；和移除第一光可固化流体的未固化的剩余物。以具有用于另一色彩的不同色彩转换组分的流体重复此工艺。
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公开(公告)号：CN109451732A
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201680036306.X
申请日：2016-07-21
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 阿耶·M·乔希 , 阿莎瓦尼·库马尔 , 卡斯拉曼·克里沙南 , 纳格·B·帕蒂班德拉
Abstract: 一种增材制造以形成部件的方法包括连续沉积多个层，从而形成部件。沉积多个层中的至少一个层包括：将第一微粒状前驱物的层沉积于压板上方；将第二微粒状前驱物沉积于压板的由控制器指定的部分上而位于第一微粒状前驱物的层上方；和将能量引导到沉积在压板的所述部分上的第二微粒状前驱物，从而导致第一微粒状前驱物与第二微粒状前驱物之间的放热化学反应。放热化学反应产生热量，从而烧结化学反应的产物以制造部件的层。
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公开(公告)号：CN109119518A
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：CN201810749783.1
申请日：2013-04-24
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 朱鸣伟 , 汪荣军 , 纳格·B·帕蒂班德拉 , 唐先明 , 维韦卡·阿格拉沃尔 , 成雄·马修·蔡 , 穆罕默德·拉希德 , 迪内希·塞加尔 , 普拉布兰姆·加帕伊·拉贾 , 奥姆卡尔姆·纳兰姆苏 , 阿纳塔·苏比玛尼
Abstract: 描述利用物理气相沉积(PVD)形成的氮化铝缓冲层来制造氮化镓基发光装置。亦描述用于PVD AlN缓冲层的工艺条件。亦描述用于PVD氮化铝缓冲层的基板预处理。在一实例中，制造缓冲层于基板上的方法包含预处理基板表面。所述方法亦包含随后利用氮基气体或等离子体从安置在物理气相沉积(PVD)腔室内的含铝靶材反应溅射氮化铝(AlN)层至基板表面上。
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公开(公告)号：CN105121693A
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201380074273.4
申请日：2013-08-07
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: H01L33/12 , H01J37/32467 , H01J37/32724 , H01J37/3405 , H01J37/347 , H01L29/2003 , H01L31/1856 , H01L33/007 , H01L33/0075 , Y02E10/544
Abstract: 描述了用于GaN基光电与电子器件的控氧PVD AlN缓冲部。亦描述了以控氧方式形成用于GaN基光电与电子器件的PVD AlN缓冲部的方法。在实例中，形成用于GaN基光电或电子器件的氮化铝(AlN)缓冲层的方法涉及反应性溅射AlN层于基板上，反应性溅射涉及使置于物理气相沉积(PVD)腔室内的含铝靶材与含氮气体或以含氮气体为基础的等离子体发生反应。该方法进一步涉及将氧并入AlN层中。
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