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公开(公告)号：CN107964647B
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN201711365233.1
申请日：2011-12-13
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 朱鸣伟 , 维韦卡·阿格拉沃尔 , 纳格·B·帕蒂班德拉 , 奥姆卡尔姆·纳兰姆苏
IPC: C23C14/06 , C23C14/56 , C23C16/34 , C23C28/04 , C30B23/02 , C30B25/08 , C30B29/40 , H01L21/02 , H01L33/00
Abstract: 在此描述具有物理气相沉积(PVD)形成的氮化铝缓冲层的氮化镓类发光二极管(LED)的制造。举例而言，多腔室系统包括物理气相沉积(PVD)腔室，所述PVD腔室具有铝构成的靶。也包括一腔室，所述腔室适于沉积无掺杂或n型的氮化镓，或适于沉积前述两种氮化镓。在另一实施例中，一种制造发光二极管(LED)结构的方法包括在多腔室系统的物理气相沉积(PVD)腔室中的衬底上方形成氮化铝层。在多腔室系统的第二腔室中将无掺杂或n型氮化镓层形成在氮化铝层上。
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公开(公告)号：CN104428441B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201380035434.9
申请日：2013-07-01
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本文所述的本发明的实施方式一般涉及用于形成高品质缓冲层和III‑V族层的设备和方法，所述缓冲层和III‑V族层用来形成有用的半导体装置，如电源装置、发光二极管(light emitting diode；LED)、激光二极管(laser diode；LD)或其它有用装置。本发明的实施方式还可包括用于形成高品质缓冲层、III‑V族层和电极层的设备和方法，所述缓冲层、III‑V族层和电极层用来形成有用的半导体装置。在一些实施方式中，设备和方法包括使用一或多个群集工具，所述群集工具具有一或多个物理气相沉积(physical vapor deposition；PVD)腔室，所述腔室适于在多个基板的表面上同时沉积高品质氮化铝(AlN)缓冲层，所述缓冲层具有较高的结晶取向。
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公开(公告)号：CN119072767A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202380026528.3
申请日：2023-02-09
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 描述了制造高品质量子计算部件的示例性方法。方法包括在处理系统的清洁腔室中从硅基板的沉积表面移除自然氧化物，并且在真空下将硅基板传送到处理系统的沉积腔室。方法进一步包括在沉积腔室中在硅基板的沉积表面上沉积铝层，其中在铝层与硅基板的沉积表面之间的界面是无氧的。
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公开(公告)号：CN109119518B
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN201810749783.1
申请日：2013-04-24
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 朱鸣伟 , 汪荣军 , 纳格·B·帕蒂班德拉 , 唐先明 , 维韦卡·阿格拉沃尔 , 成雄·马修·蔡 , 穆罕默德·拉希德 , 迪内希·塞加尔 , 普拉布兰姆·加帕伊·拉贾 , 奥姆卡尔姆·纳兰姆苏 , 阿纳塔·苏比玛尼
Abstract: 描述利用物理气相沉积(PVD)形成的氮化铝缓冲层来制造氮化镓基发光装置。亦描述用于PVD AlN缓冲层的工艺条件。亦描述用于PVD氮化铝缓冲层的基板预处理。在一实例中，制造缓冲层于基板上的方法包含预处理基板表面。所述方法亦包含随后利用氮基气体或等离子体从安置在物理气相沉积(PVD)腔室内的含铝靶材反应溅射氮化铝(AlN)层至基板表面上。
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公开(公告)号：CN119817196A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202380065937.4
申请日：2023-08-30
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 李志勇 , 斯瓦帕基亚·甘纳塔皮亚潘 , 库兰代韦鲁·西瓦南丹 , 郁昊 , 浩·T·黄 , 奈格·帕蒂班德拉 , 朱鸣伟 , 徐立松 , 丁凯
IPC: H10H29/30 , H10H29/85 , H10H29/851 , H10H29/854 , H10H29/01
Abstract: 所描述的处理方法包括在基板层上形成LED结构群组以形成图案化的LED基板。所述方法也包括在图案化的LED基板上沉积光吸收材料，其中所述光吸收材料包括至少一种光可固化化合物和至少一种紫外光吸收材料。所述方法进一步包括将光吸收材料的一部分暴露于图案化的光，其中所述图案化的光将所述光吸收材料的所述暴露部分固化成像素隔离结构。所述方法另外包括在像素隔离结构的顶部部分和侧面部分上沉积各向同性层，其中所述LED结构基本上不含沉积态的各向同性光反射层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104428441A
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201380035434.9
申请日：2013-07-01
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: H01L21/0254 , C23C14/0036 , C23C14/0641 , H01J37/3426 , H01J37/3467 , H01L21/02458 , H01L21/02631 , H01L21/3065 , H01L21/3228
Abstract: 本文所述的本发明的实施方式一般涉及用于形成高品质缓冲层和III-V族层的设备和方法，所述缓冲层和III-V族层用来形成有用的半导体装置，如电源装置、发光二极管(light emitting diode；LED)、激光二极管(laser diode；LD)或其它有用装置。本发明的实施方式还可包括用于形成高品质缓冲层、III-V族层和电极层的设备和方法，所述缓冲层、III-V族层和电极层用来形成有用的半导体装置。在一些实施方式中，设备和方法包括使用一或多个群集工具，所述群集工具具有一或多个物理气相沉积(physical vapor deposition；PVD)腔室，所述腔室适于在多个基板的表面上同时沉积高品质氮化铝(AlN)缓冲层，所述缓冲层具有较高的结晶取向。
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公开(公告)号：CN109119518A
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：CN201810749783.1
申请日：2013-04-24
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 朱鸣伟 , 汪荣军 , 纳格·B·帕蒂班德拉 , 唐先明 , 维韦卡·阿格拉沃尔 , 成雄·马修·蔡 , 穆罕默德·拉希德 , 迪内希·塞加尔 , 普拉布兰姆·加帕伊·拉贾 , 奥姆卡尔姆·纳兰姆苏 , 阿纳塔·苏比玛尼
Abstract: 描述利用物理气相沉积(PVD)形成的氮化铝缓冲层来制造氮化镓基发光装置。亦描述用于PVD AlN缓冲层的工艺条件。亦描述用于PVD氮化铝缓冲层的基板预处理。在一实例中，制造缓冲层于基板上的方法包含预处理基板表面。所述方法亦包含随后利用氮基气体或等离子体从安置在物理气相沉积(PVD)腔室内的含铝靶材反应溅射氮化铝(AlN)层至基板表面上。
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公开(公告)号：CN106170730A
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：CN201580018587.1
申请日：2015-03-24
Applicant: 应用材料公司
IPC: G02B27/10
CPC classification number: G02B27/1013 , C23C14/0676 , G02B5/285
Abstract: 本文提供光波分离网格与形成方法。在一些实施方式中，光波分离网格包括：第一层，具有ROXNY的分子式，其中该第一层具有第一折射率；以及第二层，该第二层设置于该第一层顶上且与该第一层不同，该第二层具有R’OXNY的分子式，其中该第二层具有与该第一折射率不同的第二折射率，且其中R与R’各为金属或介电材料之一。在一些实施方式中，一种形成光波分离网格的方法包括：通过物理气相沉积工艺在基板顶上沉积具有预定期望折射率的第一层；以及于该第一层顶上沉积第二层，该第二层与该第一层不同，其中该第二层具有与该第一折射率不同的预定第二折射率。
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公开(公告)号：CN105121693A
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201380074273.4
申请日：2013-08-07
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: H01L33/12 , H01J37/32467 , H01J37/32724 , H01J37/3405 , H01J37/347 , H01L29/2003 , H01L31/1856 , H01L33/007 , H01L33/0075 , Y02E10/544
Abstract: 描述了用于GaN基光电与电子器件的控氧PVD AlN缓冲部。亦描述了以控氧方式形成用于GaN基光电与电子器件的PVD AlN缓冲部的方法。在实例中，形成用于GaN基光电或电子器件的氮化铝(AlN)缓冲层的方法涉及反应性溅射AlN层于基板上，反应性溅射涉及使置于物理气相沉积(PVD)腔室内的含铝靶材与含氮气体或以含氮气体为基础的等离子体发生反应。该方法进一步涉及将氧并入AlN层中。
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公开(公告)号：CN104246980A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201380020953.8
申请日：2013-04-24
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 朱鸣伟 , 汪荣军 , 纳格·B·帕蒂班德拉 , 唐先明 , 维韦卡·阿格拉沃尔 , 成雄·马修·蔡 , 穆罕默德·拉希德 , 迪内希·塞加尔 , 普拉布兰姆·加帕伊·拉贾 , 奥姆卡尔姆·纳兰姆苏 , 阿纳塔·苏比玛尼
IPC: H01L21/203 , H01L33/02 , H01L33/12
CPC classification number: H01L33/12 , C30B23/02 , C30B29/403 , H01L21/0237 , H01L21/02439 , H01L21/02458 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L21/02631 , H01L21/02661 , H01L29/205 , H01L33/007 , H01L33/06 , H01L33/32
Abstract: 描述利用物理气相沉积(PVD)形成的氮化铝缓冲层来制造氮化镓基发光装置。亦描述用于PVD AlN缓冲层的工艺条件。亦描述用于PVD氮化铝缓冲层的基板预处理。在一实例中，制造缓冲层于基板上的方法包含预处理基板表面。所述方法亦包含随后利用氮基气体或等离子体从安置在物理气相沉积(PVD)腔室内的含铝靶材反应溅射氮化铝(AlN)层至基板表面上。
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