公开(公告)号：CN118511282A

公开(公告)日：2024-08-16

申请号：CN202280087767.5

申请日：2022-12-30

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 阿米尔哈桑·努尔巴赫什 ,  拉曼·盖尔 ,  泰勒·谢尔伍德 ,  于澜 ,  罗杰·奎恩 ,  西达斯·克里希南

IPC: H01L29/66 ,  H01L29/861

Abstract: 示例性半导体处理方法可包括在基板上形成p型含硅材料，该基板包括界定一个或多个特征的第一n型含硅材料。该p型含硅材料可沿着该第一n型含硅材料中所界定的该一个或多个特征的至少一部分延伸。方法可包括移除该p型含硅材料的一部分。可从该一个或多个特征的底部移除该p型含硅材料的该部分。方法可包括提供含硅材料。方法可包括在该基板上沉积第二n型含硅材料。该第二n型含硅材料可填充在该第一n型含硅材料中形成的该一个或多个特征，并且可分隔剩余的p型含硅材料的区域。

公开(公告)号：CN117015858A

公开(公告)日：2023-11-07

申请号：CN202180078235.0

申请日：2021-11-17

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 于澜 ,  泰勒·谢尔伍德 ,  迈克尔•丘吉克 ,  西达斯•克里希南

IPC: H01L29/861

Abstract: 形成半导体器件的示例方法可包括从半导体基板的第一表面蚀刻沟道至半导体基板之内的第一深度。沟道的特征可在于通过第一深度的第一宽度。方法可包括沿着沟道的侧壁形成衬垫。方法可包括蚀刻沟道至比第一深度大至少十倍的第二深度。沟道的特征可在于通过第二深度的第二宽度。方法可包括利用介电材料填充沟道。在介电材料中形成的接缝可维持在低于第一深度。

公开(公告)号：CN119072767A

公开(公告)日：2024-12-03

申请号：CN202380026528.3

申请日：2023-02-09

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 杨子浩 ,  朱鸣伟 ,  于澜 ,  罗伯特·J·维瑟 ,  奈格·帕蒂班德拉 ,  陈哲擘

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67

Abstract: 描述了制造高品质量子计算部件的示例性方法。方法包括在处理系统的清洁腔室中从硅基板的沉积表面移除自然氧化物，并且在真空下将硅基板传送到处理系统的沉积腔室。方法进一步包括在沉积腔室中在硅基板的沉积表面上沉积铝层，其中在铝层与硅基板的沉积表面之间的界面是无氧的。

公开(公告)号：CN117616554A

公开(公告)日：2024-02-27

申请号：CN202280048889.3

申请日：2022-07-13

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 里亚·索梅斯赫瓦尔 ,  赛沙德利·甘古利 ,  于澜 ,  西达斯·克里希南 ,  斯里尼瓦·甘迪科塔 ,  杰奎琳·S·阮奇 ,  杨逸雄

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L21/285 ,  H01L21/768

Abstract: 描述了用于形成半导体结构的方法及半导体结构。该方法包含图案化基板以形成第一开口及第二开口，该基板包含n晶体管及p晶体管，第一开口在n晶体管之上且第二开口在p晶体管之上；预清洁基板；由等离子体增强化学气相沉积(PECVD)在n晶体管上及p晶体管上沉积硅化钛(TiSi)层；视情况在硅化钛(TiSi)层上沉积第一阻挡层，且从p晶体管选择性地移除第一阻挡层；在n晶体管及p晶体管上的硅化钛(TiSi)层上选择性地形成硅化钼(MoSi)层；在硅化钼(MoSi)层上形成第二阻挡层；及对该半导体结构进行退火。该方法可在处理腔室中进行而不破坏真空。

公开(公告)号：CN116802816A

公开(公告)日：2023-09-22

申请号：CN202280013183.3

申请日：2022-01-26

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 阿希什·帕尔 ,  埃尔·迈赫迪·巴齐兹 ,  西达斯•克里希南 ,  陈星 ,  于澜 ,  泰勒·谢尔伍德

IPC: H01L29/861

Abstract: 形成半导体结构的多个示例性方法可包括在半导体基板上形成掺杂硅层。可以随距该半导体基板的距离增加而增加掺杂水平。这些方法可包括蚀刻该掺杂硅层，以界定延伸至该半导体基板的沟槽。该掺杂硅层可界定该沟槽的倾斜侧壁。该沟槽的特征可在于大于或约30μm的深度。这些方法可包括用第一氧化物材料给该沟槽加衬。这些方法可包括在该沟槽内沉积第二氧化物材料。这些方法可包括形成接触部以产生功率元件。