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公开(公告)号：CN116802816A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202280013183.3
申请日：2022-01-26
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L29/861
Abstract: 形成半导体结构的多个示例性方法可包括在半导体基板上形成掺杂硅层。可以随距该半导体基板的距离增加而增加掺杂水平。这些方法可包括蚀刻该掺杂硅层，以界定延伸至该半导体基板的沟槽。该掺杂硅层可界定该沟槽的倾斜侧壁。该沟槽的特征可在于大于或约30μm的深度。这些方法可包括用第一氧化物材料给该沟槽加衬。这些方法可包括在该沟槽内沉积第二氧化物材料。这些方法可包括形成接触部以产生功率元件。
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