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公开(公告)号：CN115996958B
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202180052993.5
申请日：2021-08-26
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 骆英东 , 徐立松 , 斯瓦帕基亚·甘纳塔皮亚潘 , 胡·T·额 , 郭炳成 , 朱明伟 , 奈格·B·帕蒂班德拉
IPC: C08F265/06 , H10H20/851 , C08K5/00 , C08F220/14 , C08F2/50 , C08F2/44
Abstract: 一种光可固化组成物包括蓝色光致发光材料、一种或多种单体、和光引发剂，该光引发剂响应于吸收紫外光而引发一种或多种单体的聚合。蓝色光致发光材料被选择为吸收具有在约300nm至约430nm的范围中的最大波长的紫外光并且发射蓝光。蓝色光致发光材料亦具有在约420nm至约480nm的范围中的发射峰。发射峰的半峰全宽(full width at half maximum)小于100nm，并且光致发光量子产率在5％至100％的范围中。
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公开(公告)号：CN115996958A
公开(公告)日：2023-04-21
申请号：CN202180052993.5
申请日：2021-08-26
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 骆英东 , 徐立松 , 斯瓦帕基亚•甘纳塔皮亚潘 , 胡•T•额 , 郭炳成 , 朱明伟 , 奈格•B•帕蒂班德拉
IPC: C08F2/44
Abstract: 一种光可固化组成物包括蓝色光致发光材料、一种或多种单体、和光引发剂，该光引发剂响应于吸收紫外光而引发一种或多种单体的聚合。蓝色光致发光材料被选择为吸收具有在约300nm至约430nm的范围中的最大波长的紫外光并且发射蓝光。蓝色光致发光材料亦具有在约420nm至约480nm的范围中的发射峰。发射峰的半峰全宽(full width at half maximum)小于100nm，并且光致发光量子产率在5％至100％的范围中。
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公开(公告)号：CN109314106B
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN201780037396.9
申请日：2017-06-15
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 朱明伟 , 斯瓦帕基亚·甘纳塔皮亚潘 , 付博义 , 胡·T·额 , 奈格·B·帕蒂班德拉
IPC: H01L25/075 , H01L21/677
Abstract: 一种用于在基板上定位微装置的设备包括：一个或更多个支撑件，所述一个或更多个支撑件用于保持供体基板和目标基板；粘合剂分配器，所述粘合剂分配器用于输送粘合剂于供体基板上的微装置上；传送装置，所述传送装置包括传送表面以从供体基板传送微装置至目标基板；和控制器。控制器被配置为操作粘合剂分配器，以基于目标基板上的选择的微装置的所需间隔，选择性地分配粘合剂至供体基板上的所选择的微装置上。控制器被配置为操作传送装置，使得传送表面在供体基板上接合粘合剂，造成所选择的微装置粘附至传送表面，且接着传送表面从供体基板传送所选择的微装置至目标基板。
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公开(公告)号：CN107354428B
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN201710165989.5
申请日：2013-07-01
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本文所述的本发明的实施方式一般涉及用于形成高品质缓冲层和III‑V族层的设备和方法，所述缓冲层和III‑V族层用来形成有用的半导体装置，如电源装置、发光二极管(light emitting diode；LED)、激光二极管(laser diode；LD)或其它有用装置。本发明的实施方式还可包括用于形成高品质缓冲层、III‑V族层和电极层的设备和方法，所述缓冲层、III‑V族层和电极层用来形成有用的半导体装置。在一些实施方式中，设备和方法包括使用一或多个群集工具，所述群集工具具有一或多个物理气相沉积(physical vapor deposition；PVD)腔室，所述腔室适于在多个基板的表面上同时沉积高品质氮化铝(AlN)缓冲层，所述缓冲层具有较高的结晶取向。
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公开(公告)号：CN109314106A
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201780037396.9
申请日：2017-06-15
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 朱明伟 , 斯瓦帕基亚·甘纳塔皮亚潘 , 付博义 , 胡·T·额 , 奈格·B·帕蒂班德拉
IPC: H01L25/075 , H01L21/677
Abstract: 一种用于在基板上定位微装置的设备包括：一个或更多个支撑件，所述一个或更多个支撑件用于保持供体基板和目标基板；粘合剂分配器，所述粘合剂分配器用于输送粘合剂于供体基板上的微装置上；传送装置，所述传送装置包括传送表面以从供体基板传送微装置至目标基板；和控制器。控制器被配置为操作粘合剂分配器，以基于目标基板上的选择的微装置的所需间隔，选择性地分配粘合剂至供体基板上的所选择的微装置上。控制器被配置为操作传送装置，使得传送表面在供体基板上接合粘合剂，造成所选择的微装置粘附至传送表面，且接着传送表面从供体基板传送所选择的微装置至目标基板。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119530725A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411384646.4
申请日：2020-09-10
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本公开内容涉及用于沉积高品质PVD膜的方法。本文所述的实施方式包括用于在控制基板的弓形弯曲和材料层的表面粗糙度的同时在基板上沉积材料层的方法。调整当沉积材料层时施加至基板的偏压以控制基板的弓形弯曲。在材料层上执行轰击工艺以改善材料层的表面粗糙度。偏压和轰击工艺改善材料层的均匀性，且减少由基板的弓形弯曲造成的材料层破裂的发生。
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公开(公告)号：CN115274636B
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202210839127.7
申请日：2017-06-15
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 朱明伟 , 斯瓦帕基亚·甘纳塔皮亚潘 , 付博义 , 胡·T·额 , 奈格·B·帕蒂班德拉
IPC: H01L25/075 , H01L21/677
Abstract: 一种用于在基板上定位微装置的设备包括：一个或更多个支撑件，所述一个或更多个支撑件用于保持供体基板和目标基板；粘合剂分配器，所述粘合剂分配器用于输送粘合剂于供体基板上的微装置上；传送装置，所述传送装置包括传送表面以从供体基板传送微装置至目标基板；和控制器。控制器被配置为操作粘合剂分配器，以基于目标基板上的选择的微装置的所需间隔，选择性地分配粘合剂至供体基板上的所选择的微装置上。控制器被配置为操作传送装置，使得传送表面在供体基板上接合粘合剂，造成所选择的微装置粘附至传送表面，且接着传送表面从供体基板传送所选择的微装置至目标基板。
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公开(公告)号：CN117813690A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202280051479.4
申请日：2022-06-02
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 描述了高像素密度LED结构的制造方法。方法可包括形成底板基板及LED基板。可将底板基板与LED基板接合在一起，且接合后的基板可包含LED像素阵列。LED像素中的每一者可包括一组隔离的子像素。可在LED像素中的每一者中的隔离子像素中的至少一者上形成量子点层。所述方法可进一步包括通过在有缺陷LED像素中的无量子点层的子像素上形成替换量子点层而修复至少一个有缺陷LED像素。方法还可包括在修复至少一个有缺陷LED像素之后在LED像素阵列上形成UV阻挡层。
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公开(公告)号：CN117616590A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202280048805.6
申请日：2022-06-02
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 示例性处理方法包括在基板层上形成一组LED结构，以形成图案化的LED基板。可在图案化的LED基板上沉积光吸收屏障。该方法可进一步包括将图案化的LED基板曝露于光。与基板层及光吸收屏障接触的LED结构的表面可以吸收光。该方法仍可进一步包括分离基板层的LED结构。LED结构与基板层之间的接合可因与基板层接触的LED结构的表面的光吸收而减弱。
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公开(公告)号：CN116157931A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202180051967.0
申请日：2021-08-26
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 骆英东 , 徐立松 , 斯瓦帕基亚•甘纳塔皮亚潘 , 胡•T•额 , 郭炳成 , 朱明伟 , 奈格•B•帕蒂班德拉
IPC: H01L33/48
Abstract: 一种发光装置包括多个发光二极管、第一子集的发光二极管的上方的第一固化成分、及第二子集的发光二极管的上方的第二固化成分。第一固化成分包括第一光聚合物及嵌入于第一光聚合物中的蓝色光致发光材料，该蓝色光致发光材料是有机材料、有机金属材料、或聚合材料。第二固化成分包括第二光聚合物及嵌入于第二光聚合物中的纳米材料。纳米材料经选择为回应地发射红光或绿光。
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