公开(公告)号：CN114641591A

公开(公告)日：2022-06-17

申请号：CN202080074677.3

申请日：2020-09-10

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 杨子浩 ,  朱明伟 ,  奈格·B·帕蒂班德拉 ,  曹勇 ,  张书锚 ,  陈哲擘 ,  陆勤 ,  丹尼尔·李·迪尔 ,  唐先敏

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/58 ,  C23C14/54 ,  C23C14/06 ,  H01L21/02 ,  H01L21/302

Abstract: 本文所述的实施方式包括用于在控制基板的弓形弯曲和材料层的表面粗糙度的同时在基板上沉积材料层的方法。调整当沉积材料层时施加至基板的偏压以控制基板的弓形弯曲。在材料层上执行轰击工艺以改善材料层的表面粗糙度。偏压和轰击工艺改善材料层的均匀性，且减少由基板的弓形弯曲造成的材料层破裂的发生。

公开(公告)号：CN119790185A

公开(公告)日：2025-04-08

申请号：CN202380062176.7

申请日：2023-08-09

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 阿纳塔·K·苏比玛尼 ,  赛义德·阿卜杜雷扎·法泽利 ,  郭飏 ,  钱德拉谢卡拉·巴吉纳热 ,  拉姆查兰·桑达 ,  史蒂文·莫斯布鲁克 ,  约翰·李 ,  万一扬 ,  张书锚 ,  德瑞蒂曼·苏巴·卡什亚普 ,  爱资哈尔·阿里·M·A

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/50 ,  H01J37/32

Abstract: 在一些具体实施例中，一种喷头组件，喷头组件包括：加热的喷头，所述加热的喷头具有加热器板和耦接到加热器板的气体分配板；离子过滤器，离子过滤器与加热的喷头间隔开；间隔环，间隔环在加热的喷头与离子过滤器之间接触；远程等离子体区域，远程等离子体区域在所述加热的喷头与离子过滤器之间；上隔离器，上隔离器与间隔环间隔开并被支撑在离子过滤器上；密封环，密封环紧固到加热的喷头，抵靠上隔离器密封并将上隔离器推靠在离子过滤器上；间隙，间隙位于气体分配板的底部与离子过滤器的顶部之间，间隙与远程等离子体区域流体连通；第一通道，第一通道延伸穿过加热器板；和第二通道，第二通道与第一通道连通并延伸穿过气体分配板，第二通道延伸至间隙。

公开(公告)号：CN119563225A

公开(公告)日：2025-03-04

申请号：CN202280096282.2

申请日：2022-07-05

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 万一扬 ,  叶伟峰 ,  张书锚 ,  侯凯中 ,  吕疆 ,  周磊 ,  吴典晔 ,  道格拉斯·龙 ,  阿夫耶里诺斯·V·杰拉托斯 ,  江莹冰 ,  汪荣军 ,  唐先敏 ,  哈伯特·冲

IPC: H01J37/32

Abstract: 本文提供了用于处理基板的方法和设备。例如，一种用于处理基板的方法包括在盖加热器与处理腔室的喷头之间或喷头与基板之间的区域中形成四氯化钛(TiCl4)、氢(H2)与氩(Ar)之间的等离子体反应，与此同时以约5kHz至约100kHz的脉冲频率及约10％至约20％的占空比提供RF功率；以及使反应产物流至处理腔室中以在基板的硅表面上选择性地形成钛材料层。

公开(公告)号：CN119768908A

公开(公告)日：2025-04-04

申请号：CN202380064123.9

申请日：2023-09-20

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 吕疆 ,  吴立其 ,  窦伟 ,  叶伟峰 ,  陈世忠 ,  汪荣军 ,  唐先敏 ,  万一扬 ,  张书锚 ,  郭涧秋

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/285 ,  H01L23/532

Abstract: 用于减小接触电阻的方法包括在中间工序(MOL)接触结构上执行选择性硅化钛(TiSi)沉积工艺，该中间工序(MOL)接触结构包括在介电材料的基板中的空腔。接触结构亦包括在空腔的底部处的硅基连接部分。相对于介电材料，选择性TiSi沉积工艺对硅基材料有选择性。方法亦包括在MOL接触结构上执行金属材料的选择性沉积工艺。相对于介电材料，选择性沉积工艺对TiSi材料有选择性且在硅基连接部分上形成硅化物封盖层。方法进一步包括在接触结构上执行金属材料的种晶层沉积工艺。

公开(公告)号：CN119530725A

公开(公告)日：2025-02-28

申请号：CN202411384646.4

申请日：2020-09-10

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 杨子浩 ,  朱明伟 ,  奈格·B·帕蒂班德拉 ,  曹勇 ,  张书锚 ,  陈哲擘 ,  陆勤 ,  丹尼尔·李·迪尔 ,  唐先敏

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/06 ,  C23C14/58 ,  C23C14/54 ,  H01L21/02 ,  H01L21/302

Abstract: 本公开内容涉及用于沉积高品质PVD膜的方法。本文所述的实施方式包括用于在控制基板的弓形弯曲和材料层的表面粗糙度的同时在基板上沉积材料层的方法。调整当沉积材料层时施加至基板的偏压以控制基板的弓形弯曲。在材料层上执行轰击工艺以改善材料层的表面粗糙度。偏压和轰击工艺改善材料层的均匀性，且减少由基板的弓形弯曲造成的材料层破裂的发生。