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公开(公告)号：CN116438329A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202180027884.8
申请日：2021-04-08
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/455
Abstract: 本文提供了用于在半导体制造设备部件上沉积涂层的方法和设备。在一些实施方式中，一种在半导体制造设备部件上沉积涂层的方法包括：将包括镍或镍合金的半导体制造设备部件按顺序暴露于铝前驱物和反应物，以通过沉积工艺在半导体制造设备部件的表面上形成含铝层。
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公开(公告)号：CN113412341B
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202080013665.X
申请日：2020-02-11
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 披露了用于减少沉积在基板上的颗粒的物理气相沉积方法。可增加溅射期间的压力以引起在等离子体中形成的颗粒的团聚。在熄灭等离子体之前，可将团聚的颗粒移动到处理腔室的外部部分，使得团聚物无害地落在基板的直径的外侧。
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公开(公告)号：CN113785084B
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202080032707.4
申请日：2020-05-13
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 阿道夫·M·艾伦 , 凡妮莎·法恩 , 华忠强 , 克兰库玛尔·纽拉桑德拉·萨凡迪亚 , 阿南塔·K·萨布拉曼尼 , 菲利普·A·克劳斯 , 龚则敬 , 周磊 , 哈伯特·冲 , 瓦贝哈夫·索尼 , 基索尔·卡拉提帕拉比尔
Abstract: 本文提供工艺配件屏蔽物和包含该工艺配件屏蔽物的工艺腔室的实施方式。在一些实施方式中，被配置成用于在工艺腔室中使用以处理基板的工艺配件包括：屏蔽物，该屏蔽物具有圆柱形主体，该圆柱形主体具有上部分和下部分；适配器部分，该适配器部分经配置以被支撑在工艺腔室的壁上并且具有用于支撑屏蔽物的搁置表面；和加热器，该加热器耦接至适配器部分并且经配置以电耦接至工艺腔室的至少一个电源以加热屏蔽物。
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公开(公告)号：CN110622284B
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN201880028187.2
申请日：2018-09-12
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/311 , H01L21/306 , H01L21/02
Abstract: 本发明描述了一种将膜选择地沉积在相对于第二基板表面的第一基板表面上的方法。该方法包括：使基板暴露于阻隔分子，以于该第一表面上选择性沉积阻隔层。于该第二表面上选择性形成层并于该阻隔层上形成该层的缺陷。从该第一表面上的该阻隔层去除该缺陷。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113785084A
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202080032707.4
申请日：2020-05-13
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 阿道夫·M·艾伦 , 凡妮莎·法恩 , 华忠强 , 克兰库玛尔·纽拉桑德拉·萨凡迪亚 , 阿南塔·K·萨布拉曼尼 , 菲利普·A·克劳斯 , 龚则敬 , 周磊 , 哈伯特·冲 , 瓦贝哈夫·索尼 , 基索尔·卡拉提帕拉比尔
Abstract: 本文提供工艺配件屏蔽物和包含该工艺配件屏蔽物的工艺腔室的实施方式。在一些实施方式中，被配置成用于在工艺腔室中使用以处理基板的工艺配件包括：屏蔽物，该屏蔽物具有圆柱形主体，该圆柱形主体具有上部分和下部分；适配器部分，该适配器部分经配置以被支撑在工艺腔室的壁上并且具有用于支撑屏蔽物的搁置表面；和加热器，该加热器耦接至适配器部分并且经配置以电耦接至工艺腔室的至少一个电源以加热屏蔽物。
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公开(公告)号：CN110622284A
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201880028187.2
申请日：2018-09-12
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/311 , H01L21/306 , H01L21/02
Abstract: 本发明描述了一种将膜选择地沉积在相对于第二基板表面的第一基板表面上的方法。该方法包括：使基板暴露于阻隔分子，以于该第一表面上选择性沉积阻隔层。于该第二表面上选择性形成层并于该阻隔层上形成该层的缺陷。从该第一表面上的该阻隔层去除该缺陷。
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公开(公告)号：CN117981043A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202280064304.7
申请日：2022-07-01
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 王智勇 , 哈伯特·冲 , 约翰·C·福斯特 , 艾琳娜·H·威索克 , 石铁峰 , 符钢 , 雷努·辉格 , 基思·A·米勒 , S·R·V·雷迪 , 雷建新 , 汪荣军 , 龚则敬 , 克兰库玛尔·纽拉桑德拉·萨凡迪亚 , 阿维纳什·纳亚克 , 周磊
Abstract: 本文提供了用于处理基板的方法及装置。例如，一种用于处理基板的处理腔室包含：溅射靶材；腔室壁，至少部分地界定处理腔室之内的内部空间并且连接至地；电源，包含射频电源；处理套组，围绕溅射靶材及基板支撑件；自动电容调谐器(ACT)，连接至地及溅射靶材；及控制器，被构造为激发安置在处理腔室的内部空间中的清洁气体以产生等离子体，并且使用ACT调谐溅射靶材以在蚀刻工艺期间保持内部空间中的等离子体与处理套组之间的预定电位差，以从处理套组中移除溅射材料，其中该预定电位差基于ACT的谐振点。
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公开(公告)号：CN117980528A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202280059688.3
申请日：2022-09-01
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 方法及装置减少物理气相(PVD)腔室中处理的基板中的缺陷。在一些实施方式中，清洁工艺腔室的内部容积中布置的工艺套件的方法包括：在PVD腔室的基板支撑件上安置非溅射遮盘；激发PVD腔室的内部容积中布置的含氧清洁气体，以产生可与碳基材料反应的等离子体；以及在曝露于等离子体时加热附着有碳基材料的工艺套件，以移除附着于工艺套件的碳基材料的至少一部分。
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公开(公告)号：CN113412341A
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN202080013665.X
申请日：2020-02-11
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 披露了用于减少沉积在基板上的颗粒的物理气相沉积方法。可增加溅射期间的压力以引起在等离子体中形成的颗粒的团聚。在熄灭等离子体之前，可将团聚的颗粒移动到处理腔室的外部部分，使得团聚物无害地落在基板的直径的外侧。
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