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公开(公告)号：CN114981953A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202180008728.7
申请日：2021-06-14
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/285 , C23C14/58
Abstract: 一种填充基板上的结构的方法使用半动态回流工艺。该方法可包括：在第一温度下在该基板上沉积金属材料，将该基板加热至高于该第一温度的第二温度，其中该基板的加热引发在该基板上沉积的该金属材料的静态回流，停止该基板的加热，及在该基板上沉积额外金属材料，引发该基板上沉积的该额外金属材料的动态回流。在动态回流期间可施加RF偏压功率，以助于维持基板的温度。
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公开(公告)号：CN112513316A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN201980051367.7
申请日：2019-08-08
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 基索尔·卡拉提帕拉比尔 , 阿道夫·M·艾伦 , 雷建新 , 乔斯林甘·罗摩林甘 , 维加斯拉夫·巴巴扬
Abstract: 使用HiPIMS PVD工艺形成膜层的方法包括以下步骤：在工艺腔室的处理区域中向基板提供偏压，基板包含表面特征且工艺腔室的处理区域包括溅射靶；将至少一个能量脉冲输送到溅射靶，以在处理区域中产生溅射气体的溅射等离子体，所述至少一个能量脉冲在小于5kHz且大于100Hz的频率下具有在约600伏特与约1500伏特之间的平均电压和在约50安培与约1000安培之间的平均电流；和朝向溅射靶引导溅射等离子体，以形成离子化的物种，所述物种包含从溅射靶溅射的材料，所述离子化的物种在基板的特征中形成具有改善的底部覆盖率的膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113412341B
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202080013665.X
申请日：2020-02-11
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 披露了用于减少沉积在基板上的颗粒的物理气相沉积方法。可增加溅射期间的压力以引起在等离子体中形成的颗粒的团聚。在熄灭等离子体之前，可将团聚的颗粒移动到处理腔室的外部部分，使得团聚物无害地落在基板的直径的外侧。
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公开(公告)号：CN113785084B
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202080032707.4
申请日：2020-05-13
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 阿道夫·M·艾伦 , 凡妮莎·法恩 , 华忠强 , 克兰库玛尔·纽拉桑德拉·萨凡迪亚 , 阿南塔·K·萨布拉曼尼 , 菲利普·A·克劳斯 , 龚则敬 , 周磊 , 哈伯特·冲 , 瓦贝哈夫·索尼 , 基索尔·卡拉提帕拉比尔
Abstract: 本文提供工艺配件屏蔽物和包含该工艺配件屏蔽物的工艺腔室的实施方式。在一些实施方式中，被配置成用于在工艺腔室中使用以处理基板的工艺配件包括：屏蔽物，该屏蔽物具有圆柱形主体，该圆柱形主体具有上部分和下部分；适配器部分，该适配器部分经配置以被支撑在工艺腔室的壁上并且具有用于支撑屏蔽物的搁置表面；和加热器，该加热器耦接至适配器部分并且经配置以电耦接至工艺腔室的至少一个电源以加热屏蔽物。
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公开(公告)号：CN113785084A
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202080032707.4
申请日：2020-05-13
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 阿道夫·M·艾伦 , 凡妮莎·法恩 , 华忠强 , 克兰库玛尔·纽拉桑德拉·萨凡迪亚 , 阿南塔·K·萨布拉曼尼 , 菲利普·A·克劳斯 , 龚则敬 , 周磊 , 哈伯特·冲 , 瓦贝哈夫·索尼 , 基索尔·卡拉提帕拉比尔
Abstract: 本文提供工艺配件屏蔽物和包含该工艺配件屏蔽物的工艺腔室的实施方式。在一些实施方式中，被配置成用于在工艺腔室中使用以处理基板的工艺配件包括：屏蔽物，该屏蔽物具有圆柱形主体，该圆柱形主体具有上部分和下部分；适配器部分，该适配器部分经配置以被支撑在工艺腔室的壁上并且具有用于支撑屏蔽物的搁置表面；和加热器，该加热器耦接至适配器部分并且经配置以电耦接至工艺腔室的至少一个电源以加热屏蔽物。
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公开(公告)号：CN115038809A
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202180012155.5
申请日：2021-06-16
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 贝纳切克·梅巴克 , 科马尔·S·加德 , 基索尔·卡拉提帕拉比尔 , 李靖珠 , 唐先敏
IPC: C23C14/58 , C23C14/34 , C23C14/04 , H01L21/285 , H01L21/3213
Abstract: 本公开内容的多个实施方式涉及通过减少沉积膜的悬垂部来扩大基板特征结构的开口宽度的方法。本公开内容的一些实施方式利用高能量偏压脉冲来蚀刻基板特征结构的开口附近的沉积膜。本公开内容的一些实施方式在不损坏下面的基板的情况下蚀刻沉积膜。
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公开(公告)号：CN113412341A
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN202080013665.X
申请日：2020-02-11
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 披露了用于减少沉积在基板上的颗粒的物理气相沉积方法。可增加溅射期间的压力以引起在等离子体中形成的颗粒的团聚。在熄灭等离子体之前，可将团聚的颗粒移动到处理腔室的外部部分，使得团聚物无害地落在基板的直径的外侧。
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