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公开(公告)号：CN120051591A
公开(公告)日：2025-05-27
申请号：CN202380075761.0
申请日：2023-10-16
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 提供了用于处理基板的方法和装置。在一些实施例中，一种方法包括：在基板上以及设置在所述基板的介电层中的特征内沉积金属缓冲层。使用第一物理气相沉积(PVD)工艺在小于500 mTorr的腔室压力下沉积所述缓冲层，同时如果所述腔室压力小于或等于3 mTorr，则向所述基板施加小于或等于0.08瓦/cm2的RF偏置功率，并且如果所述腔室压力大于3 mTorr，则向所述基板施加小于或等于0.8瓦/cm2的RF偏置功率。使用第二PVD工艺在小于或等于3 mTorr的腔室压力下在所述缓冲层的顶上沉积金属衬垫层，同时向所述基板施加大于0.08瓦/cm2的RF偏置功率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117377788A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202280037474.6
申请日：2022-05-23
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 吉留刚一 , 苏哈斯·班加罗尔·乌梅什 , 苏希尔·阿伦·萨曼特 , 马丁·李·瑞克 , 雷蔚 , 基索尔·库马尔·卡拉提帕拉比尔 , 希里什语·A·佩特 , 张富宏 , 普拉沙斯·科斯努 , 安德鲁·腾科
IPC: C23C14/35
Abstract: 本案提供一种在PVD腔室中处理基板的方法。在一些实施方式中，一种在PVD腔室中处理基板的方法包括以下步骤：将来自该PVD腔室中所设置的一靶的材料溅射并溅射到基板上，其中从该靶溅射的该材料的至少部分通过一个或多个上部磁体、一个或多个第一磁体及一个或多个第二磁体所提供的磁场被引导到该基板，该一个或多个上部磁体绕支撑基座上方的该PVD腔室的处理空间设置，该支撑基座用于该PVD腔室中的该基板，该一个或多个第一磁体绕该支撑基座设置并在该基板的边缘区域处提供增加的磁场强度，该一个或多个第二磁体设置在该支撑基座下方，该一个或多个第二磁体增加该基板的中心区域处的磁场强度。
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公开(公告)号：CN114981953A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202180008728.7
申请日：2021-06-14
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/285 , C23C14/58
Abstract: 一种填充基板上的结构的方法使用半动态回流工艺。该方法可包括：在第一温度下在该基板上沉积金属材料，将该基板加热至高于该第一温度的第二温度，其中该基板的加热引发在该基板上沉积的该金属材料的静态回流，停止该基板的加热，及在该基板上沉积额外金属材料，引发该基板上沉积的该额外金属材料的动态回流。在动态回流期间可施加RF偏压功率，以助于维持基板的温度。
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公开(公告)号：CN119895560A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202380065707.8
申请日：2023-09-11
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 徐翼 , 雷雨 , 亓智敏 , 张爱西 , 赵咸元 , 雷伟 , 高兴尧 , 希里什语·A·佩特 , 黄涛 , 常翔 , 帕特里克·博-均·李 , 杰拉尔丁·瓦斯奎兹 , 吴典晔 , 汪荣军
IPC: H01L21/768 , H01L21/285 , C23C16/02 , C23C16/04 , C23C16/06
Abstract: 用于降低金属间隙填充物的电阻率的方法包含以下步骤：在特征的开口中且在基板的区域上沉积共形层，其中共形层的第一厚度为大约10微米或更小，使用各向异性沉积工艺直接地在共形层上且在开口的底部并且直接地在所述区域上沉积非共形金属层。在所述区域上且在特征的底部上的非共形金属层的第二厚度是大约30微米或更大。并且在特征的开口中并且在金属间隙填充物材料完全地填充开口而没有任何空隙的区域上沉积金属间隙填充物材料。
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公开(公告)号：CN115039210A
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202180012393.6
申请日：2021-04-08
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/3213 , H01L21/285 , H01L21/3205
Abstract: 一种用于在介电表面顶上选择性沉积钨层的方法及设备。在实施方式中，方法包括：在基板场顶上并且在基板中设置的特征的侧壁及介电底表面顶上经由PVD工艺沉积钨层以在场顶上形成具有第一厚度的第一钨部分，在侧壁顶上形成具有第二厚度的第二钨部分，并且在底表面顶上形成具有第三厚度的第三钨部分，其中第二厚度小于第一厚度及第三厚度；氧化钨层的顶表面以在场顶上形成第一氧化的钨部分，在侧壁顶上形成第二氧化的钨部分，并且在底表面顶上形成第三氧化的钨部分；去除第一、第二、及第三氧化的钨部分，其中第二钨部分完全从侧壁去除；以及从场钝化或完全去除第一钨部分。
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公开(公告)号：CN114981925A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202180009090.9
申请日：2021-07-12
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/285 , C23C14/54 , C23C14/34 , C23C14/16
Abstract: 本文提供了用于处理基板的方法和设备。举例而言，一种方法包括在工艺腔室的处理空间内以第一压力点燃等离子体；自设置在处理空间内的靶材沉积溅射材料，同时在第一时间范围内将第一压力降低至第二压力，同时维持等离子体；继续自靶材沉积溅射材料，同时在小于第一时间范围的第二时间范围内将第二压力降低至第三压力，同时维持等离子体；和继续自靶材沉积溅射材料，同时维持第三压力达大于或等于第二时间范围的第三时间范围，同时维持等离子体。
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