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公开(公告)号：CN112805815A
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN201980065400.1
申请日：2019-09-16
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 乔斯林甘·罗摩林甘 , 克兰库玛尔·纽拉桑德拉·萨凡迪亚 , 张富宏 , 威廉·约翰森
IPC: H01L21/67 , H01L21/687 , H01L21/683
Abstract: 此处提供用于处理基板的方法及装置。在一些实施方式中，用于控制处理腔室中气体流动的遮板包含：封闭壁体，该封闭壁体具有上端及下端，该封闭壁体在该下端处界定该遮板的第一开口且在该上端处界定该遮板的第二开口，其中该第二开口从该第一开口偏移；及顶部壁，该顶部壁设置于该封闭壁体的该上端的一部分顶上，位于该第一开口上方的一位置，以与该封闭壁体的该上端的其余部分一起界定该第二开口，其中该遮板经构造以经由该第一开口使来自该第二开口的气体流动转向。
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公开(公告)号：CN112585297A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201980051491.3
申请日：2019-08-01
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 此处提供处理腔室的实施方式。在一些实施方式中，处理腔室包含：腔室主体，该腔室主体具有内部空间；基板支撑件，该基板支撑件设置于该内部空间中；靶，该靶设置于该内部空间内且相对于该基板支撑件；处理屏蔽件，该处理屏蔽件设置于该内部空间中且具有环绕该靶的上部分及环绕该基板支撑件的下部分，该上部分具有大于该靶的外直径的内直径以限定该处理屏蔽件及该靶之间的间隙；及气体入口，该气体入口经由该间隙或跨该间隙的前开口提供气体至该内部空间，以在使用期间实质防止来自该内部空间的颗粒进入该间隙。
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公开(公告)号：CN106574363B
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201580043811.2
申请日：2015-08-03
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本文提供在标靶生命期的期间维持低非均匀性的改良方法和设备的实施方式。在一些实施方式中，一种在物理气相沉积腔室中处理基板的方法包括：配置基板在基板支座顶上，所述基板支座具有围绕所述基板支座的盖环，使得所述基板的上表面被定位在所述盖环的上表面上方的第一距离处；从标靶溅射源材料，所述标靶与所述基板支座相对设置，以在保持所述第一距离的同时在所述基板顶上沉积膜；和在该标靶之生命期的期间，相对于所述盖环降低所述基板支座并从所述标靶溅射所述源材料，以在后续的基板顶上沉积膜。
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公开(公告)号：CN106574363A
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201580043811.2
申请日：2015-08-03
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本文提供在标靶生命期的期间维持低非均匀性的改良方法和设备的实施方式。在一些实施方式中，一种在物理气相沉积腔室中处理基板的方法包括：配置基板在基板支座顶上，所述基板支座具有围绕所述基板支座的盖环，使得所述基板的上表面被定位在所述盖环的上表面上方的第一距离处；从标靶溅射源材料，所述标靶与所述基板支座相对设置，以在保持所述第一距离的同时在所述基板顶上沉积膜；和在该标靶之生命期的期间，相对于所述盖环降低所述基板支座并从所述标靶溅射所述源材料，以在后续的基板顶上沉积膜。
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公开(公告)号：CN118127471A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410177120.2
申请日：2016-10-27
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 在本文描述的一些实施方式中，提供一种可偏压准直器。使所述准直器偏压的能力允许控制溅射物质所穿过的电场。在本公开内容的一些实施方式中，提供了一种具有高有效深宽比，同时维持沿所述准直器的六边形阵列的所述准直器周边的低深宽比的准直器。在一些实施方式中，提供了在六边形阵列中带有陡峭入口边缘的准直器。已经发现，在所述准直器中使用陡峭入口边缘减少了所述六边形阵列的单元的沉积突悬和沉积堵塞。这些各种特征使得膜均匀性得到改善并且延长了所述准直器和工艺配件的寿命。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112585297B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN201980051491.3
申请日：2019-08-01
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 此处提供处理腔室的实施方式。在一些实施方式中，处理腔室包含：腔室主体，该腔室主体具有内部空间；基板支撑件，该基板支撑件设置于该内部空间中；靶，该靶设置于该内部空间内且相对于该基板支撑件；处理屏蔽件，该处理屏蔽件设置于该内部空间中且具有环绕该靶的上部分及环绕该基板支撑件的下部分，该上部分具有大于该靶的外直径的内直径以限定该处理屏蔽件及该靶之间的间隙；及气体入口，该气体入口经由该间隙或跨该间隙的前开口提供气体至该内部空间，以在使用期间实质防止来自该内部空间的颗粒进入该间隙。
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公开(公告)号：CN112599401B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202011362647.0
申请日：2017-03-03
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/34 , H01L21/02 , H01L21/203 , H01L21/285 , H01L21/683 , H01L21/768 , C23C14/35 , C23C14/54
Abstract: 公开用于在物理气相沉积工艺中控制离子分数的方法和设备。在一些实施方式中，用于处理具有给定直径的基板的处理腔室包括：内部容积和待溅射靶材，内部容积包括中心部分和周边部分；可旋转磁控管，处于靶材上方以在周边部分中形成环形等离子体；基板支撑件，设置在内部容积中以支撑具有给定直径的基板；第一组磁体，围绕主体设置以在周边部分中形成实质上竖直的磁场线；第二组磁体，围绕主体设置且处于基板支撑件上方以形成指向支撑表面的中心的磁场线；第一电源，用于电偏置靶材；和第二电源，用于电偏置基板支撑件。
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公开(公告)号：CN108780742B
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN201780014454.6
申请日：2017-03-03
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/203 , H01L21/02 , H01L21/683
Abstract: 公开用于在物理气相沉积工艺中控制离子分数的方法和设备。在一些实施方式中，用于处理具有给定直径的基板的处理腔室包括：内部容积和待溅射靶材，内部容积包括中心部分和周边部分；可旋转磁控管，处于靶材上方以在周边部分中形成环形等离子体；基板支撑件，设置在内部容积中以支撑具有给定直径的基板；第一组磁体，围绕主体设置以在周边部分中形成实质上竖直的磁场线；第二组磁体，围绕主体设置且处于基板支撑件上方以形成指向支撑表面的中心的磁场线；第一电源，用于电偏置靶材；和第二电源，用于电偏置基板支撑件。
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公开(公告)号：CN114981925A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202180009090.9
申请日：2021-07-12
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/285 , C23C14/54 , C23C14/34 , C23C14/16
Abstract: 本文提供了用于处理基板的方法和设备。举例而言，一种方法包括在工艺腔室的处理空间内以第一压力点燃等离子体；自设置在处理空间内的靶材沉积溅射材料，同时在第一时间范围内将第一压力降低至第二压力，同时维持等离子体；继续自靶材沉积溅射材料，同时在小于第一时间范围的第二时间范围内将第二压力降低至第三压力，同时维持等离子体；和继续自靶材沉积溅射材料，同时维持第三压力达大于或等于第二时间范围的第三时间范围，同时维持等离子体。
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公开(公告)号：CN110438464A
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201910698016.7
申请日：2016-10-27
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 在本文描述的一些实施方式中，提供一种可偏压准直器。使所述准直器偏压的能力允许控制溅射物质所穿过的电场。在本公开内容的一些实施方式中，提供了一种具有高有效深宽比，同时维持沿所述准直器的六边形阵列的所述准直器周边的低深宽比的准直器。在一些实施方式中，提供了在六边形阵列中带有陡峭入口边缘的准直器。已经发现，在所述准直器中使用陡峭入口边缘减少了所述六边形阵列的单元的沉积突悬和沉积堵塞。这些各种特征使得膜均匀性得到改善并且延长了所述准直器和工艺配件的寿命。
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