公开(公告)号：CN112585297B

公开(公告)日：2024-04-16

申请号：CN201980051491.3

申请日：2019-08-01

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 杜超 ,  曹勇 ,  龚辰 ,  李明东 ,  张富宏 ,  汪荣军 ,  唐先明

IPC: C23C14/56 ,  C23C14/34 ,  C23C14/22 ,  H01J37/34

Abstract: 此处提供处理腔室的实施方式。在一些实施方式中，处理腔室包含：腔室主体，该腔室主体具有内部空间；基板支撑件，该基板支撑件设置于该内部空间中；靶，该靶设置于该内部空间内且相对于该基板支撑件；处理屏蔽件，该处理屏蔽件设置于该内部空间中且具有环绕该靶的上部分及环绕该基板支撑件的下部分，该上部分具有大于该靶的外直径的内直径以限定该处理屏蔽件及该靶之间的间隙；及气体入口，该气体入口经由该间隙或跨该间隙的前开口提供气体至该内部空间，以在使用期间实质防止来自该内部空间的颗粒进入该间隙。

公开(公告)号：CN119856250A

公开(公告)日：2025-04-18

申请号：CN202380068103.9

申请日：2023-10-10

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 房裴娇 ,  李明东 ,  刘程玉

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/02

Abstract: 公开了通过物理气相沉积工艺沉积非晶硅膜的方法。在一些实施方式中，在物理气相沉积(PVD)处理腔室中沉积非晶硅的方法包括：(a)通过物理气相沉积工艺在设置于基板支撑件上的基板的表面的顶上沉积非晶硅层，与此同时非晶硅亦沉积在PVD处理腔室内的部件的顶上；以及在沉积于部件上的非晶硅的顶上沉积胶层。所述胶层可以是硅化合物。所述硅化合物可以是硅与碳、氮或氧中的一或多者的化合物。在一些实施方式中，硅化合物是SiC、SiN、SiO、SiCN或SiON。

公开(公告)号：CN117295842A

公开(公告)日：2023-12-26

申请号：CN202280021178.7

申请日：2022-03-15

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 窦伟 ,  曹勇 ,  李明东 ,  谢恩·拉万 ,  乔斯林甘·罗摩林甘 ,  刘程玉

IPC: C23C14/56

Abstract: 本文提供了用于减少物理气相沉积(PVD)腔室中的颗粒形成的方法和设备的实施方式。在一些实施方式中，一种减少PVD腔室中的颗粒形成的方法包括：在设置于所述PVD腔室中的基板支撑件上的对应系列的基板上执行多个第一沉积工艺，其中所述PVD腔室包括盖环，所述盖环设置在所述基板支撑件周围并且具有纹理化的外表面，并且其中在所述多个第一沉积工艺的每个第一沉积工艺期间将具有第一厚度的氮化硅(SiN)层沉积到所述纹理化的外表面上；和在所述多个第一沉积工艺的子集之间在所述盖环上执行第二沉积工艺，以将具有第二厚度的非晶硅层沉积到下伏的(underlying)氮化硅(SiN)层上。

公开(公告)号：CN112585297A

公开(公告)日：2021-03-30

申请号：CN201980051491.3

申请日：2019-08-01

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 杜超 ,  曹勇 ,  龚辰 ,  李明东 ,  张富宏 ,  汪荣军 ,  唐先明

IPC: C23C14/56 ,  C23C14/34 ,  C23C14/22 ,  H01J37/34

Abstract: 此处提供处理腔室的实施方式。在一些实施方式中，处理腔室包含：腔室主体，该腔室主体具有内部空间；基板支撑件，该基板支撑件设置于该内部空间中；靶，该靶设置于该内部空间内且相对于该基板支撑件；处理屏蔽件，该处理屏蔽件设置于该内部空间中且具有环绕该靶的上部分及环绕该基板支撑件的下部分，该上部分具有大于该靶的外直径的内直径以限定该处理屏蔽件及该靶之间的间隙；及气体入口，该气体入口经由该间隙或跨该间隙的前开口提供气体至该内部空间，以在使用期间实质防止来自该内部空间的颗粒进入该间隙。