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公开(公告)号：CN113490997A
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202080009819.8
申请日：2020-02-25
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/033 , H01L21/311
Abstract: 本文提供了用于形成包含硬掩模层的膜堆叠并蚀刻此硬掩模层以在膜堆叠中形成特征的方法。于此所述的方法通过在膜堆叠中形成的适当的轮廓管理方案来促进特征的轮廓和尺寸控制。在一个或多个实施方式中，一种用于蚀刻硬掩模层的方法包括以下步骤：在基板上形成硬掩模层，其中硬掩模层包含含金属材料，所述含金属材料包括具有原子数大于28的金属元素；向基板供应蚀刻气体混合物；和蚀刻由光刻胶层暴露的硬掩模层。
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公开(公告)号：CN108140560B
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN201680059853.X
申请日：2016-10-21
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/203 , C23C14/34 , H01L21/02 , H01L21/285
Abstract: 在此公开用于将耐火金属层溅射到设置在基板上的阻挡层上的系统和方法。在一或多个实施方式中，在集成电路中溅射沉积钨结构的方法包括以下步骤：将基板移动到等离子体处理腔室中，且移动到与溅射靶材组件相对的基板支撑件上，溅射靶材组件包含具有不超过10ppm的碳和不超过10ppm的氧作为杂质存在的钨靶材；将氪气流入等离子体处理腔室；和将氪气激发成等离子体，以通过溅射而在由基板支撑件所支撑的基板的材料层上沉积钨膜层。在一些实施方式中，靶材组件进一步包括钛背板和设置在钛背板与钨靶材之间的铝粘合层。
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公开(公告)号：CN108292596A
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201680062100.4
申请日：2016-09-08
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/285 , H01L21/28 , H01L27/108
CPC classification number: H01L29/4975 , C23C14/0036 , C23C14/022 , C23C14/0641 , C23C14/5826 , H01L21/28088 , H01L21/28097 , H01L21/28202 , H01L21/2855
Abstract: 本公开内容的实施方式包括氮硅化钨膜和沉积氮硅化钨膜的方法。在一些实施方式中，一种薄膜微电子器件包括半导体基板，该基板具有钨栅极电极堆叠，该钨栅极电极堆叠包含氮硅化钨膜，该氮硅化钨膜具有WxSiyNz的化学式，其中x是约19至约22原子百分比，y是约57至约61原子百分比，z是约15至约20原子百分比。在一些实施方式中，一种处理安置于物理气相沉积(PVD)腔室的基板的方法包括：将具有栅极绝缘层的基板暴露于等离子体，该等离子体由第一处理气体形成，该第一处理气体包含氮和氩；从安置于该PVD腔室的处理容积内的靶材溅射硅和钨材料；将如上所述的氮硅化钨层沉积在该栅极绝缘层顶上；和将块状钨层沉积于该氮硅化钨层顶上。
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公开(公告)号：CN114981479B
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202180009899.1
申请日：2021-04-08
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/455 , C23C16/44 , H10N70/00 , H10B63/00 , H10B63/10
Abstract: 本文提供了用于钝化靶材的方法和设备。例如，一种方法包含：a)将氧化气体供应到处理腔室的内部空间中；b)点燃氧化气体以形成等离子体并氧化靶材或靶材材料中的至少一者，所述靶材材料沉积在设置于处理腔室的内部空间中的处理配件上；和c)执行循环净化，包括：c1)向处理腔室中提供空气以与靶材或沉积在处理配件上的靶材材料中的至少一者反应；c2)在处理腔室内维持预定压力达预定时间，以产生由空气与靶材或沉积在处理配件上的靶材材料中的至少一者反应而引起的有毒副产物；和c3)排空处理腔室以去除有毒副产物。
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公开(公告)号：CN117597466A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202280041759.7
申请日：2022-06-28
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 乔斯林甘·罗摩林甘 , 曹勇 , 伊利亚·拉维特斯凯 , 基思·A·米勒 , 龚则-敬 , 唐先敏 , 谢恩·拉万 , 兰迪·D·施密丁 , 约翰·C·福斯特 , 克兰库玛尔·纽拉桑德拉·萨凡迪亚
Abstract: 描述了一种物理气相沉积处理腔室。所述处理腔室包括：靶背板，所述靶背板在处理腔室的顶部部分中；基板支撑件，所述基板支撑件在所述处理腔室的底部部分中；沉积环，所述沉积环定位在所述基板支撑件的外周边处；和屏蔽物。所述基板支撑件具有支撑表面，所述支撑表面与所述靶背板间隔开某个距离以形成工艺腔。所述屏蔽物形成工艺腔的外边界。还描述了腔室内清洁方法。在一实施方式中，所述方法包括关闭处理腔室至工艺腔的底部气体流动路径；使惰性气体从所述底部气体流动路径流动；使反应物经由所述屏蔽物中的开口流入所述工艺腔中；和从所述工艺腔排出所述反应气体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117295842A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202280021178.7
申请日：2022-03-15
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C14/56
Abstract: 本文提供了用于减少物理气相沉积(PVD)腔室中的颗粒形成的方法和设备的实施方式。在一些实施方式中，一种减少PVD腔室中的颗粒形成的方法包括：在设置于所述PVD腔室中的基板支撑件上的对应系列的基板上执行多个第一沉积工艺，其中所述PVD腔室包括盖环，所述盖环设置在所述基板支撑件周围并且具有纹理化的外表面，并且其中在所述多个第一沉积工艺的每个第一沉积工艺期间将具有第一厚度的氮化硅(SiN)层沉积到所述纹理化的外表面上；和在所述多个第一沉积工艺的子集之间在所述盖环上执行第二沉积工艺，以将具有第二厚度的非晶硅层沉积到下伏的(underlying)氮化硅(SiN)层上。
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公开(公告)号：CN112805815A
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN201980065400.1
申请日：2019-09-16
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 乔斯林甘·罗摩林甘 , 克兰库玛尔·纽拉桑德拉·萨凡迪亚 , 张富宏 , 威廉·约翰森
IPC: H01L21/67 , H01L21/687 , H01L21/683
Abstract: 此处提供用于处理基板的方法及装置。在一些实施方式中，用于控制处理腔室中气体流动的遮板包含：封闭壁体，该封闭壁体具有上端及下端，该封闭壁体在该下端处界定该遮板的第一开口且在该上端处界定该遮板的第二开口，其中该第二开口从该第一开口偏移；及顶部壁，该顶部壁设置于该封闭壁体的该上端的一部分顶上，位于该第一开口上方的一位置，以与该封闭壁体的该上端的其余部分一起界定该第二开口，其中该遮板经构造以经由该第一开口使来自该第二开口的气体流动转向。
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公开(公告)号：CN113490997B
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202080009819.8
申请日：2020-02-25
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/033 , H01L21/311
Abstract: 本文提供了用于形成包含硬掩模层的膜堆叠并蚀刻此硬掩模层以在膜堆叠中形成特征的方法。于此所述的方法通过在膜堆叠中形成的适当的轮廓管理方案来促进特征的轮廓和尺寸控制。在一个或多个实施方式中，一种用于蚀刻硬掩模层的方法包括以下步骤：在基板上形成硬掩模层，其中硬掩模层包含含金属材料，所述含金属材料包括具有原子数大于28的金属元素；向基板供应蚀刻气体混合物；和蚀刻由光刻胶层暴露的硬掩模层。
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公开(公告)号：CN117198869A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311032383.6
申请日：2017-10-02
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/285 , C23C14/16 , C23C14/18 , C23C14/35 , H01L21/324
Abstract: 描述了含钌的栅极层叠和形成含钌栅极层叠的方法。含有钌的栅极层叠包含：多晶硅层，在基板上；硅化物层，在多晶硅层上；阻挡层，在硅化物层上；钌层，在阻挡层上；及间隔层，包含在钌层的侧面上的氮化物，其中钌层在形成间隔层之后基本上不包含氮化钌。形成钌层包含以下步骤：在氪环境中在包含高电阻率陶瓷材料的高电流静电卡盘上溅射钌。溅射的钌层在大于或等于约500℃的温度下退火。
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公开(公告)号：CN109804458B
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN201780061629.9
申请日：2017-10-02
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/285 , H01L21/324 , H01L21/02
Abstract: 描述了含钌的栅极层叠和形成含钌栅极层叠的方法。含有钌的栅极层叠包含：多晶硅层，在基板上；硅化物层，在多晶硅层上；阻挡层，在硅化物层上；钌层，在阻挡层上；及间隔层，包含在钌层的侧面上的氮化物，其中钌层在形成间隔层之后基本上不包含氮化钌。形成钌层包含以下步骤：在氪环境中在包含高电阻率陶瓷材料的高电流静电卡盘上溅射钌。溅射的钌层在大于或等于约500℃的温度下退火。
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