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公开(公告)号：CN115038808A
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202180010383.9
申请日：2021-03-15
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本文提供在处理腔室中使用的处理屏蔽的实施例。在一些实施例中，在处理腔室中使用的处理屏蔽包括主体，所述主体具有圆柱形状，其中所述主体包括上部分及下部分，所述上部分具有外唇部且所述下部分从所述上部分向下且径向向内延伸，其中所述外唇部包括容纳紧固件的多个开口、从所述外唇部的外表面径向向内延伸的多个对准插槽、及凹口下周边边缘，且其中所述外唇部的下表面包括多个沟槽。
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公开(公告)号：CN115053013A
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202180008852.3
申请日：2021-10-23
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 此处提供用于物理气相沉积的装置。在某些实施例中，一种在物理气相沉积(PVD)腔室中使用的夹具，包括夹具主体及从夹具主体延伸的向外延伸的架子，其中向外延伸的架子包括夹持表面，配置成将隔绝环夹持至PVD腔室的腔室主体，其中向外延伸的架子的高度为夹具主体的高度的约百分之15至约百分之40，且其中夹具主体包括中心开口，配置成在中心开口中保持紧固件。
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公开(公告)号：CN114929929A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202180008691.8
申请日：2021-09-27
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本文提供了用于在基板处理腔室中使用的靶组件的实施方式。在一些实施方式中，靶组件包括板，所述板包括第一侧，所述第一侧具有中心部分及支撑部分；靶，所述靶设置在所述中心部分上；多个凹槽，所述多个凹槽形成在所述支撑部分中；以及多个自保持低摩擦垫，所述多个自保持低摩擦垫部分地设置在所述多个凹槽中，其中所述多个低摩擦垫中的每个低摩擦垫包括实心主体部分及自保持杆，所述自保持杆从所述实心主体部分的底部向外延伸，其中所述自保持杆包括设置在所述第一通孔部分中的第一杆部分及设置在所述第二通孔部分中的第二杆部分。
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公开(公告)号：CN104641463A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201380047547.0
申请日：2013-08-15
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 约瑟夫·M·拉内什 , 沃尔夫冈·R·阿德霍尔德 , 布莱克·克尔米 , 伊利亚·拉维特斯凯
IPC: H01L21/683 , H01L21/324
CPC classification number: H01L21/68714 , H01L21/2636 , H01L21/324 , H01L21/67115 , H01L21/67248 , H01L21/68735 , H05B3/0047
Abstract: 本发明的实施例一般涉及一种支撑环，用以支撑在处理腔室中的基板。在一个实施例中，所述支撑环包括：内部环；外部环，所述外部环通过平坦部而连接至所述内部环的外部周边；边缘周缘，所述边缘周缘从所述内部环的内部周边向内径向延伸，以形成支撑突部来支撑所述基板；以及基板支撑件，所述基板支撑件形成于所述边缘周缘的顶表面上。所述基板支撑件可包括从所述边缘周缘的顶表面向上且垂直地延伸的多个突出部，或者多个U形夹具，所述U形夹具可固定至所述边缘周缘的边缘部。所述基板支撑件将所述基板与所述边缘周缘热分离，以防止通过所述边缘周缘的热损失，因而产生横越所述基板的改良的温度分布，所述改良的温度分布具有最小的边缘温度梯度。
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公开(公告)号：CN111108228A
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201880060246.4
申请日：2018-09-18
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本文提供处理腔室的实施方式。在一些实施方式中，一种处理腔室包括：腔室壁，腔室壁限定处理腔室内的内部空间；基板支撑件，基板支撑件设置在内部空间中，基板支撑件具有支撑表面以支撑基板，其中内部空间包含处理空间和非处理空间，处理空间设置在支撑表面上方，非处理空间至少部分地设置在支撑表面下方；气体供应气室，气体供应气室经由设置在支撑表面上方的气体供应通道而流体地耦接到处理空间；泵送气室，泵送气室经由设置在支撑表面上方的排气通道而流体地耦接到处理空间；和密封设备，密封设备经配置当基板支撑件处于处理位置时，将处理空间与非处理空间流体地隔离，其中当基板支撑件处于非处理位置时，处理空间和非处理空间流体地耦接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104641463B
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：CN201380047547.0
申请日：2013-08-15
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 约瑟夫·M·拉内什 , 沃尔夫冈·R·阿德霍尔德 , 布莱克·克尔米 , 伊利亚·拉维特斯凯
IPC: H01L21/683 , H01L21/324
CPC classification number: H01L21/68714 , H01L21/2636 , H01L21/324 , H01L21/67115 , H01L21/67248 , H01L21/68735 , H05B3/0047
Abstract: 本发明的实施例一般涉及一种支撑环，用以支撑在处理腔室中的基板。在一个实施例中，所述支撑环包括：内部环；外部环，所述外部环通过平坦部而连接至所述内部环的外部周边；边缘周缘，所述边缘周缘从所述内部环的内部周边向内径向延伸，以形成支撑突部来支撑所述基板；以及基板支撑件，所述基板支撑件形成于所述边缘周缘的顶表面上。所述基板支撑件可包括从所述边缘周缘的顶表面向上且垂直地延伸的多个突出部，或者多个U形夹具，所述U形夹具可固定至所述边缘周缘的边缘部。所述基板支撑件将所述基板与所述边缘周缘热分离，以防止通过所述边缘周缘的热损失，因而产生横越所述基板的改良的温度分布，所述改良的温度分布具有最小的边缘温度梯度。
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公开(公告)号：CN115038808B
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202180010383.9
申请日：2021-03-15
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本文提供在处理腔室中使用的处理屏蔽的实施例。在一些实施例中，在处理腔室中使用的处理屏蔽包括主体，所述主体具有圆柱形状，其中所述主体包括上部分及下部分，所述上部分具有外唇部且所述下部分从所述上部分向下且径向向内延伸，其中所述外唇部包括容纳紧固件的多个开口、从所述外唇部的外表面径向向内延伸的多个对准插槽、及凹口下周边边缘，且其中所述外唇部的下表面包括多个沟槽。
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公开(公告)号：CN117597466A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202280041759.7
申请日：2022-06-28
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 乔斯林甘·罗摩林甘 , 曹勇 , 伊利亚·拉维特斯凯 , 基思·A·米勒 , 龚则-敬 , 唐先敏 , 谢恩·拉万 , 兰迪·D·施密丁 , 约翰·C·福斯特 , 克兰库玛尔·纽拉桑德拉·萨凡迪亚
Abstract: 描述了一种物理气相沉积处理腔室。所述处理腔室包括：靶背板，所述靶背板在处理腔室的顶部部分中；基板支撑件，所述基板支撑件在所述处理腔室的底部部分中；沉积环，所述沉积环定位在所述基板支撑件的外周边处；和屏蔽物。所述基板支撑件具有支撑表面，所述支撑表面与所述靶背板间隔开某个距离以形成工艺腔。所述屏蔽物形成工艺腔的外边界。还描述了腔室内清洁方法。在一实施方式中，所述方法包括关闭处理腔室至工艺腔的底部气体流动路径；使惰性气体从所述底部气体流动路径流动；使反应物经由所述屏蔽物中的开口流入所述工艺腔中；和从所述工艺腔排出所述反应气体。
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公开(公告)号：CN109554672B
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN201811141371.6
申请日：2015-10-15
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 在此提供一种用于电介质材料的物理气相沉积的设备。在一些实施方式中，物理气相沉积腔室的腔室盖包括：内部磁控管组件，所述内部磁控管组被耦接至内部靶材组件；和外部磁铁组件，所述外部磁铁组件耦接至外部靶材组件，其中内部磁控管组件和内部靶材组件与外部磁铁组件和外部靶材组件电隔离。
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公开(公告)号：CN107004580B
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN201580066460.7
申请日：2015-10-15
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/203
Abstract: 在此提供一种用于电介质材料的物理气相沉积的设备。在一些实施方式中，物理气相沉积腔室的腔室盖包括：内部磁控管组件，所述内部磁控管组被耦接至内部靶材组件；和外部磁铁组件，所述外部磁铁组件耦接至外部靶材组件，其中内部磁控管组件和内部靶材组件与外部磁铁组件和外部靶材组件电隔离。
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