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公开(公告)号：CN113166927B
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN201980083200.9
申请日：2019-12-12
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 大卫·冈瑟 , 蔡振雄 , 克兰库玛尔·纽拉桑德拉·萨凡迪亚
Abstract: 本文提供了处理配件的实施方式。在一些实施方式中，一种处理配件包括：沉积环，沉积环被配置为设置在基板支撑件上，沉积环包括：环形带，环形带被配置为置放在基板支撑件的下凸缘上，环形带具有上表面和下表面，下表面在径向内部和径向外部之间包括台阶；内唇部，内唇部从环形带的上表面向上延伸并与环形带的内表面相邻，其中环形带的上表面与内唇部的上表面的水平部分之间的深度在约6.0mm至约12.0mm之间；通道，通道设置在环形带的径向外侧和下方；及外唇部，外唇部向上延伸并设置在通道的径向外侧。
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公开(公告)号：CN116288286A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310118230.7
申请日：2021-04-09
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 克兰库玛尔·纽拉桑德拉·萨凡迪亚 , 斯里尼瓦萨·拉奥·耶德拉 , 托马斯·布里泽哲科
IPC: C23C16/54 , H01L21/677 , H01L21/687 , H01L21/67 , C23C16/455 , C23C14/56 , C23C14/34 , C23C16/50
Abstract: 本文中所公开的实施方式包括基板处理模块及移动工件的方法。基板处理模块包括遮件堆叠及两个处理站。遮件堆叠设置在处理站之间。移动工件的方法包括以下步骤：在第一方向上将支撑部分从第一位置移动到遮件堆叠，从遮件堆叠取回工件，及将支撑部分移动至第二位置。传输腔室组件及方法允许将工件移动至遮件堆叠及将工件从遮件堆叠移动到两个处理站。基板处理模块的中心传输机器人被配置为抓取基板及遮挡盘两者，从而在一般会需要两个机器人的时候允许使用一个机器人。
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公开(公告)号：CN115699284A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202180037544.3
申请日：2021-04-14
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 巴斯卡尔·普拉萨德 , 克兰库玛尔·纽拉桑德拉·萨凡迪亚 , 托马斯·布里泽哲科 , 斯里尼瓦萨·拉奥·耶德拉
IPC: H01L21/67 , H01L21/683 , H01L21/687 , C23C14/50 , C23C16/458 , G01J5/20
Abstract: 本公开内容的实施方式涉及用于基板处理的设备、系统和方法。可拆卸的基板支撑件设置在处理腔室的处理空间内，并且该基板支撑件包括基板界面表面和背表面。基座毂具有可移除地耦接至基板支撑件的支撑表面。基座毂的毂空间包括设置在其中的温度测量组件，温度测量组件定位成接收从基板支撑件的背表面发射的电磁能。温度测量组件测量进入组件的电磁能的强度并产生强度信号。基于强度信号决定基板的表观温度。
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公开(公告)号：CN111602235B
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN201980008457.8
申请日：2019-01-18
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 阿道夫·M·艾伦 , 克兰库玛尔·纽拉桑德拉·萨凡迪亚 , 兰德尔·D·施密丁 , 凡妮莎·法恩
IPC: H01L21/687 , H01L21/683 , C23C14/34
Abstract: 处理配件包括屏蔽件及环组件，用于在处理腔室中围绕基板支撑件定位，以减少处理沉积物在内部腔室部件及基板的悬伸边缘上的沉积。屏蔽件包括圆筒形带，该圆筒形带具有顶壁及底壁的倾斜部分，该顶壁被配置为围绕溅射靶材，该底壁的倾斜部分具有实质直的轮廓、具有气体传导孔且被配置为围绕基板支撑件。环组件包括盖环，该盖环具有围绕所述环的周边的球形突起。盖环的球形突起能够阻挡屏蔽件上的气体传导孔与处理腔室中的腔室主体空腔的入口之间的视线。
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公开(公告)号：CN112805815B
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN201980065400.1
申请日：2019-09-16
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 乔斯林甘·罗摩林甘 , 克兰库玛尔·纽拉桑德拉·萨凡迪亚 , 张富宏 , 威廉·约翰森
IPC: H01L21/67 , H01L21/687 , H01L21/683
Abstract: 此处提供用于处理基板的方法及装置。在一些实施方式中，用于控制处理腔室中气体流动的遮板包含：封闭壁体，该封闭壁体具有上端及下端，该封闭壁体在该下端处界定该遮板的第一开口且在该上端处界定该遮板的第二开口，其中该第二开口从该第一开口偏移；及顶部壁，该顶部壁设置于该封闭壁体的该上端的一部分顶上，位于该第一开口上方的一位置，以与该封闭壁体的该上端的其余部分一起界定该第二开口，其中该遮板经构造以经由该第一开口使来自该第二开口的气体流动转向。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113785084B
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202080032707.4
申请日：2020-05-13
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 阿道夫·M·艾伦 , 凡妮莎·法恩 , 华忠强 , 克兰库玛尔·纽拉桑德拉·萨凡迪亚 , 阿南塔·K·萨布拉曼尼 , 菲利普·A·克劳斯 , 龚则敬 , 周磊 , 哈伯特·冲 , 瓦贝哈夫·索尼 , 基索尔·卡拉提帕拉比尔
Abstract: 本文提供工艺配件屏蔽物和包含该工艺配件屏蔽物的工艺腔室的实施方式。在一些实施方式中，被配置成用于在工艺腔室中使用以处理基板的工艺配件包括：屏蔽物，该屏蔽物具有圆柱形主体，该圆柱形主体具有上部分和下部分；适配器部分，该适配器部分经配置以被支撑在工艺腔室的壁上并且具有用于支撑屏蔽物的搁置表面；和加热器，该加热器耦接至适配器部分并且经配置以电耦接至工艺腔室的至少一个电源以加热屏蔽物。
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公开(公告)号：CN115605975A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202180035474.8
申请日：2021-04-09
Applicant: 应用材料公司(US)
Inventor： 尼廷·巴拉德瓦吉·萨蒂亚沃鲁 , 克兰库玛尔·纽拉桑德拉·萨凡迪亚 , 哈里·普拉萨特·兰登 , 斯里尼瓦萨·拉奥·耶德拉 , 拉克希米坎斯·克里希纳穆提·希拉哈蒂 , 托马斯·布里泽哲科 , 基思·A·米勒
IPC: H01J37/32 , H01L21/683 , H01L21/687
Abstract: 一种用于基板处理的方法及设备以及包括移送腔室组件及多个处理组件的群集工具。移送腔室组件及处理组件可包括用于ALD、CVD、PVD、蚀刻、清洁、注入、加热、退火、及/或抛光工艺的处理平台。处理腔室容积使用其上设置有基板的支撑卡盘密封隔开移送腔室容积。升高支撑卡盘以使用波纹管组件及卡盘密封表面在处理腔室容积与移送腔室容积之间形成隔离密封。
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公开(公告)号：CN113785084A
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202080032707.4
申请日：2020-05-13
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 阿道夫·M·艾伦 , 凡妮莎·法恩 , 华忠强 , 克兰库玛尔·纽拉桑德拉·萨凡迪亚 , 阿南塔·K·萨布拉曼尼 , 菲利普·A·克劳斯 , 龚则敬 , 周磊 , 哈伯特·冲 , 瓦贝哈夫·索尼 , 基索尔·卡拉提帕拉比尔
Abstract: 本文提供工艺配件屏蔽物和包含该工艺配件屏蔽物的工艺腔室的实施方式。在一些实施方式中，被配置成用于在工艺腔室中使用以处理基板的工艺配件包括：屏蔽物，该屏蔽物具有圆柱形主体，该圆柱形主体具有上部分和下部分；适配器部分，该适配器部分经配置以被支撑在工艺腔室的壁上并且具有用于支撑屏蔽物的搁置表面；和加热器，该加热器耦接至适配器部分并且经配置以电耦接至工艺腔室的至少一个电源以加热屏蔽物。
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公开(公告)号：CN117981043A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202280064304.7
申请日：2022-07-01
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 王智勇 , 哈伯特·冲 , 约翰·C·福斯特 , 艾琳娜·H·威索克 , 石铁峰 , 符钢 , 雷努·辉格 , 基思·A·米勒 , S·R·V·雷迪 , 雷建新 , 汪荣军 , 龚则敬 , 克兰库玛尔·纽拉桑德拉·萨凡迪亚 , 阿维纳什·纳亚克 , 周磊
Abstract: 本文提供了用于处理基板的方法及装置。例如，一种用于处理基板的处理腔室包含：溅射靶材；腔室壁，至少部分地界定处理腔室之内的内部空间并且连接至地；电源，包含射频电源；处理套组，围绕溅射靶材及基板支撑件；自动电容调谐器(ACT)，连接至地及溅射靶材；及控制器，被构造为激发安置在处理腔室的内部空间中的清洁气体以产生等离子体，并且使用ACT调谐溅射靶材以在蚀刻工艺期间保持内部空间中的等离子体与处理套组之间的预定电位差，以从处理套组中移除溅射材料，其中该预定电位差基于ACT的谐振点。
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公开(公告)号：CN117980528A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202280059688.3
申请日：2022-09-01
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 方法及装置减少物理气相(PVD)腔室中处理的基板中的缺陷。在一些实施方式中，清洁工艺腔室的内部容积中布置的工艺套件的方法包括：在PVD腔室的基板支撑件上安置非溅射遮盘；激发PVD腔室的内部容积中布置的含氧清洁气体，以产生可与碳基材料反应的等离子体；以及在曝露于等离子体时加热附着有碳基材料的工艺套件，以移除附着于工艺套件的碳基材料的至少一部分。
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