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公开(公告)号：CN114258478B
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202080058346.0
申请日：2020-04-30
Applicant: 应用材料公司
IPC: G01J5/00 , H01L21/324 , H01L21/66 , H01L21/67
Abstract: 提供了用于处理基板的方法和设备。例如，设备可包括：处理腔室，包含腔室主体并具有观察端口，腔室主体界定处理容积，观察端口耦接到腔室主体；基板支撑件，设置在处理容积内并具有支撑基板的支撑表面；及红外温度传感器(IRTS)，设置在腔室主体外侧、邻近观察端口，以测量该基板正在处理容积中被处理时的温度，IRTS可相对于观察端口移动以通过观察端口扫描基板。
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公开(公告)号：CN109616428B
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN201811129813.5
申请日：2015-10-22
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本文提供基板支撑件的实施方式。在某些实施方式中，基板支撑件可包括具有支撑表面的主体；及第一加热器，第一加热器设置于主体内且具有第一加热线圈与多个加热区，其中第一加热线圈的绕组间距在多个加热区之间变化，以界定多个加热区之间的预定加热比率。
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公开(公告)号：CN113166927A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201980083200.9
申请日：2019-12-12
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 大卫·冈瑟 , 蔡振雄 , 克兰库玛尔·纽拉桑德拉·萨凡迪亚
Abstract: 本文提供了处理配件的实施方式。在一些实施方式中，一种处理配件包括：沉积环，沉积环被配置为设置在基板支撑件上，沉积环包括：环形带，环形带被配置为置放在基板支撑件的下凸缘上，环形带具有上表面和下表面，下表面在径向内部和径向外部之间包括台阶；内唇部，内唇部从环形带的上表面向上延伸并与环形带的内表面相邻，其中环形带的上表面与内唇部的上表面的水平部分之间的深度在约6.0mm至约12.0mm之间；通道，通道设置在环形带的径向外侧和下方；及外唇部，外唇部向上延伸并设置在通道的径向外侧。
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公开(公告)号：CN106935541B
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN201611012176.4
申请日：2014-11-21
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 戈文达·瑞泽 , 蔡振雄 , 罗伯特·T·海拉哈拉 , 凯瑟拉·拉马亚·纳伦德纳斯 , 曼朱纳塔·科普帕 , 罗斯·马歇尔
IPC: H01L21/683 , H01L21/687
Abstract: 具体实施方式涉及静电卡盘表面，所述静电卡盘表面具有最小接触面积特征。更具体地，本发明的具体实施方式提供用于提供颗粒生成减少和基板和卡紧设备的磨损减少的静电卡盘组件，所述静电卡盘组件具有凸起伸长的表面特征图案。
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公开(公告)号：CN110462810A
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201880016511.9
申请日：2018-02-06
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/68 , H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 本文提供用于基板处理系统中的基板支撑件的基板位置校准的方法与设备。一些实施方式中，一种用于在基板支撑件上定位基板的方法包括：通过重复地将基板放置于基板支撑件上的位置且将所述基板真空吸附至所述基板支撑件及测量背侧压力，而获得多个背侧压力值，所述背侧压力值对应于所述基板支撑件上的多个不同的基板位置；以及分析所述多个背侧压力值，以确定校准过的基板位置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110323120A
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201910482393.7
申请日：2015-11-11
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32 , C23C16/455
Abstract: 用于等离子体处理半导体基板的设备。该设备的情形包括上屏蔽件，上屏蔽件具有布置于上屏蔽件中心的气体扩散器。气体扩散器与上屏蔽件允许处理气体以层流的方式进入处理腔室。上屏蔽件剖面促进处理气体的径向扩散和自基板表面蚀刻来的材料的径向移动。上屏蔽件的曲率引导蚀刻的材料至下屏蔽件，减少蚀刻的材料沉积于上屏蔽件上。下屏蔽件亦包括将蚀刻的材料引导往狭槽的弯曲表面，而使蚀刻的材料能够自处理腔室离开，减少蚀刻的材料沉积于下屏蔽件上。
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公开(公告)号：CN105706351B
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201480061349.4
申请日：2014-11-21
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 戈文达·瑞泽 , 蔡振雄 , 罗伯特·T·海拉哈拉 , 凯瑟拉·拉马亚·纳伦德纳斯 , 曼朱纳塔·科普帕 , 罗斯·马歇尔
IPC: H02N13/00
CPC classification number: H01L21/6875 , H01L21/6831 , Y10T428/24298 , Y10T428/24314
Abstract: 具体实施方式涉及静电卡盘表面，所述静电卡盘表面具有最小接触面积特征。更具体地，本发明的具体实施方式提供用于提供颗粒生成减少和基板和卡紧设备的磨损减少的静电卡盘组件，所述静电卡盘组件具有凸起伸长的表面特征图案。
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公开(公告)号：CN102160167B
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN200980136614.X
申请日：2009-08-06
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/687 , B23Q3/15 , H02N13/00 , H01L21/68
CPC classification number: H01L21/6833 , H01J37/32431 , H01L21/67103 , H01L21/67109 , H01L21/6831 , H01L21/68785 , H01L2924/0002 , H02N13/00 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的实施方式提供具有成本效益的静电吸盘组件，所述静电吸盘组件能够在超高真空环境中在宽温度范围内操作，同时使静电吸盘组件内部的热机械应力最小化。在一个实施方式中，所述静电吸盘组件包含介电主体，所述介电主体具有夹持电极，所述夹持电极包含金属基质复合材料，所述材料的热膨胀系数(CTE)与所述介电主体的CTE匹配。
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公开(公告)号：CN117693803A
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202280049848.6
申请日：2022-06-17
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 陈曦 , 什里沙·瑜珈什·拉奥 , 郭晟 , 陈·H·庆 , 托马斯·布拉修斯·布雷佐斯基 , 蔡振雄
IPC: H01J37/32
Abstract: 清洁基板支座的方法包含：将清洁气体引入包含基板支座的处理腔室中；向远程等离子体源施加射频(RF)功率，远程等离子体源与处理腔室流体连通以从处理腔室中的清洁气体建立反应蚀刻等离子体；使基板支座上的沉积物与反应蚀刻等离子体反应以形成副产物相；以及将副产物相从处理腔室中排出。
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公开(公告)号：CN111183512B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN201880064782.1
申请日：2018-09-11
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/683 , H01L21/67
Abstract: 提供了基板支撑件和配备所述基板支撑件的处理腔室的实施方式。在一些实施方式中，基板支撑件包括：支撑主体，具有第一表面；一个或多个插孔，延伸穿过第一表面并且进入支撑主体；和一个或多个突起，分别设置在一个或多个插孔中的对应插孔内并且从第一表面突出，其中一个或多个突起在第一表面上方至少部分地限定大体上平坦的支撑表面。还公开了消除背侧晶片损坏的方法。
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