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公开(公告)号：CN115244677B
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202080098357.1
申请日：2020-12-15
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/683 , H01L21/67 , H02N13/00 , H01L21/687 , H01J37/32
Abstract: 本文描述了半导体腔室部件，所述半导体腔室部件包括用于在腔室部件的通电部分与接地部分之间载送流体的一个或多个导管，与常规部件相比，所述导管配置成更不易引起电弧。在一个示例中，提供了一种半导体腔室部件，所述半导体腔室部件包括：通电区域、接地区域、以及流体导管。流体导管设置于半导体腔室部件内且通过通电区域和接地区域。流体导管具有在0.1MΩ至100MΩ之间的端至端电阻。
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公开(公告)号：CN112534705B
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202080004425.3
申请日：2020-03-27
Applicant: 日本特殊陶业株式会社
IPC: H02N13/00 , H05B3/03 , H05B3/74 , H01L21/683
Abstract: 使板状构件的表面的温度分布的控制性提高。保持装置的制造方法包括以下工序：在陶瓷坯片上形成加热器图案的工序；在陶瓷坯片上配置覆盖加热器图案的覆盖层的工序；通过对多个陶瓷坯片的层叠体进行烧制从而制作板状构件的第2部分和加热器电极的工序；利用第2接合部接合第2部分和基座构件的工序；进行由基座构件的冷却机构进行的冷却和向加热器电极供电，并且测量板状构件的第2部分的表面的温度分布的工序；基于温度分布的测量结果，将被覆盖层覆盖的加热器电极的一部分连同覆盖层一起去除，从而调整加热器电极的电阻的工序；以及利用第1接合部接合板状构件的第2部分和第1部分的工序。
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公开(公告)号：CN111837231B
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN201980017976.0
申请日：2019-02-28
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 爱德华四世·P·哈蒙德 , 白宗薰
Abstract: 本公开涉及用于控制在基板边缘附近的等离子体壳层的方法和设备。改变跨在基板组件内的内部电极和外部电极的电压/电流分布促成等离子体跨基板的空间分布。所述方法包括：将第一射频功率提供到嵌入在基板支撑组件中的中心电极；将第二射频功率提供到嵌入在所述基板支撑组件中位于与所述中心电极不同的位置处的环形电极，其中所述环形电极周向地环绕所述中心电极；监测所述第一射频功率和所述第二射频功率的参数；以及基于所监测的参数来调整所述第一射频功率和所述第二射频功率中的一者或两者。
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公开(公告)号：CN113557475B
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202080020074.5
申请日：2020-03-06
Applicant: ASML控股股份有限公司
Inventor： H·克里斯南 , J·H·里昂 , E·J·芒可曼 , V·A·佩雷斯-福尔肯
IPC: G03F7/20 , H01L21/683 , H01L21/687 , H02N13/00
Abstract: 一种用于支撑衬底的静电夹具包括衬底区域、在衬底区域的边缘处的电极区域、支撑层、导电层、接触层和电极。支撑层具有本体，该本体具有基本上彼此平行并且设置在本体的相对侧的第一表面和第二表面。通孔被设置在电极区域中并且在第一表面与第二表面之间提供通路。导电层被设置在支撑层的第二表面上。接触层被设置在导电层上。接触层在电极区域中是不间断的并且在衬底区域中包括突节。当静电夹具支撑衬底时，突节接触衬底。电极设置在通孔中并且电耦合到导电层。
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公开(公告)号：CN111480222B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN201980006442.8
申请日：2019-07-19
Applicant: 住友大阪水泥股份有限公司
IPC: H01L21/683 , H02N13/00
Abstract: 静电卡盘装置(1)具备：静电卡盘部(2)，具备具有载置板状试样W的载置面(11a)的基材(11)及将板状试样(W)静电吸附于载置面(11a)的静电吸附用内部电极(13)；冷却用基部(3)，冷却静电卡盘部(2)；及粘接剂层(4)，介于静电卡盘部(2)与冷却用基部(3)之间，基材(11)的载置面的形状呈凹面(23)或凸面，并且不包括拐点，该凹面(23)或凸面为从载置面(11a)的中心(11b)朝向载置面(11a)的外周(11c)逐渐弯曲的曲面状，以冷却用基部(3)的一主表面(3a)的位置为基准的凹面(23)或凸面的中心的高度与以冷却用基部(3)的一主表面(3a)的位置为基准的凹面(23)或凸面的外周的高度之差的绝对值为1μm以上且30μm以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112335031B
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN201980043302.8
申请日：2019-05-08
Applicant: 日本爱发科泰克能株式会社
IPC: H01L21/683 , H02N13/00
Abstract: 本发明提供一种静电卡盘用供电装置，在将被处理基板设置于静电卡盘上后，吸附被处理基板并实施处理，直到在处理后对吸附进行释放并运输被处理基板为止的一系列操作期间，可掌握被处理基板相对于静电卡盘的状态。本发明的静电卡盘用供电装置(PS1)具有：直流电源部(6a、6b)，其向静电卡盘(Ec)上设置的电极(3a、3b)施加直流电压；及交流电源部(7)，其流通经过静电卡盘的静电电容的交流电流。还具有切换装置(8a、8b)，以为了将被处理基板吸附保持在静电卡盘上而从直流电源部向电极施加卡盘电压的电路为第一电路(C1)，以对被处理基板进行除电用的电路作为第二电路(C2)，所述切换装置(8a、8b)切换第一电路和第二电路；在第二电路上设置有交流电源部和测量交流电流或交流电压的电压计(9)。
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公开(公告)号：CN117678062A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202280050917.5
申请日：2022-07-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683 , H05H1/46 , H02N13/00
Abstract: 基片支承器包括：基座；配置在所述基座的上部的第一电介质部，其用于载置基片；和以包围所述第一电介质部的方式配置的第二电介质部，其用于载置边缘环，所述第一电介质部和所述第二电介质部中的至少任一者包括由绝缘性材料形成的喷镀层。基片处理装置包括：等离子体处理腔室；和设置在所述等离子体处理腔室的内部的所述基片支承器。
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公开(公告)号：CN117642849A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202280049289.9
申请日：2022-07-13
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H01L21/683 , H02N13/00
Abstract: 静电卡盘具备卡盘构件、基座构件以及接合材料。接合材料位于卡盘构件与基座构件之问。接合材料含有聚酰亚胺。接合材料在从卡盘构件以及基座构件分离的中间部分具有空隙。
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公开(公告)号：CN117411350A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202311647110.2
申请日：2023-11-30
Applicant: 中国科学院深圳先进技术研究院
IPC: H02N13/00
Abstract: 本发明公开一种静电吸附式驱动器，包括固定座、导轨、驱动单元以及中间支撑件，导轨连接于固定座；驱动单元包括多个静电吸附薄膜，每一静电吸附薄膜与相邻的两个静电吸附薄膜通过至少两边缘连接部进行连接，多个静电吸附薄膜滑动连接于所述导轨，驱动单元最外侧的两静电吸附薄膜连接至所述固定座的两端，每一静电吸附薄膜的一端连接有导线，相邻两静电吸附薄膜的两导线的另一端分别连接电源的正极和负极；中间支撑件设于其中两静电吸附薄膜之间，并与静电吸附薄膜连接，中间支撑件的边缘设有对外输出端，对外输出端用于连接被驱动件。本发明技术方案的静电吸附式驱动器的结构简单，成本低，驱动效果好。
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公开(公告)号：CN111712910B
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN201980013470.2
申请日：2019-02-12
Applicant: 日本特殊陶业株式会社
Inventor： 三轮要
IPC: H01L21/683 , H01L21/3065 , H01L21/31 , H02N13/00 , H05B3/02 , H05B3/74
Abstract: 本发明提高保持装置的板状部件的表面的温度分布的控制性。保持装置是如下装置，即，具备：板状部件；基座部件；多个加热器电极，配置于板状部件；多个供电端子，与加热器电极电连接；粘接部，粘接板状部件与基座部件；及绝缘部件，收容在端子用孔内，并且保持装置将对象物保持在板状部件的表面上。设置于保持装置的多个供电端子包括：N个独立供电端子，与多个加热器电极中的N(N为2以上的整数)个加热器电极分别电连接；及共用供电端子，与N个加热器电极的全部电连接。该N个独立供电端子以通过绝缘部件而相互绝缘的状态收容在没有收容共用供电端子的一个端子用孔内，共用供电端子收容在没有收容独立供电端子的其他端子用孔内。
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