公开(公告)号：CN109616428B

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN201811129813.5

申请日：2015-10-22

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 松下智治 ,  贾勒帕里·拉维 ,  蔡振雄 ,  阿拉维德·卡马斯 ,  枭雄·袁 ,  曼朱纳塔·科普帕

IPC: H01L21/67 ,  H05B3/26

Abstract: 本文提供基板支撑件的实施方式。在某些实施方式中，基板支撑件可包括具有支撑表面的主体；及第一加热器，第一加热器设置于主体内且具有第一加热线圈与多个加热区，其中第一加热线圈的绕组间距在多个加热区之间变化，以界定多个加热区之间的预定加热比率。

公开(公告)号：CN107112262A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201580068865.4

申请日：2015-10-22

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 松下智治 ,  贾勒帕里·拉维 ,  蔡振雄 ,  阿拉维德·卡马斯 ,  枭雄·袁 ,  曼朱纳塔·科普帕

IPC: H01L21/67 ,  H05B3/26

CPC classification number: H05B3/26 ,  H01L21/67103 ,  H05B2203/037 ,  H01L2221/683

Abstract: 本文提供基板支撑件的实施方式。在某些实施方式中，基板支撑件可包括具有支撑表面的主体；及第一加热器，第一加热器设置于主体内且具有第一加热线圈与多个加热区，其中第一加热线圈的绕组间距在多个加热区之间变化，以界定多个加热区之间的预定加热比率。

公开(公告)号：CN114930519A

公开(公告)日：2022-08-19

申请号：CN202180008890.9

申请日：2021-04-28

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 谢祥金 ,  卡门·莱尔·塞万提斯 ,  陈枫 ,  陈璐 ,  许文静 ,  阿拉维德·卡马斯 ,  振雄·马修·蔡 ,  河泰泓 ,  亚历山大·詹森 ,  唐先敏

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/67 ,  H01J37/32 ,  C23C16/455

Abstract: 用于处理基板的方法和装置包括清洁和自组装单层(SAM)形成，用于后续的反向选择性原子层沉积。装置可包括：工艺腔室，具有处理空间和包括基座的基板支撑件；远程等离子体源，流体地耦合至工艺腔室，且配置成产生自由基或具有自由基的离子化气体混合物，所述自由基或离子化气体混合物流动到处理空间中以从基板的表面移除残留物或氧化物；第一气体输送系统，具有第一安瓿，所述第一安瓿配置成提供至少一种第一化学物质至处理空间中，以在基板的表面上产生SAM；加热系统，定位于基座中，且配置成通过在基板的背侧上的流动气体加热基板；和真空系统，流体地耦合至工艺腔室，且配置成控制基板的加热。

公开(公告)号：CN110462810A

公开(公告)日：2019-11-15

申请号：CN201880016511.9

申请日：2018-02-06

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 松下智治 ,  阿拉维德·卡马斯 ,  贾勒帕里·拉维 ,  蔡振雄 ,  高滨宏行

IPC: H01L21/68 ,  H01L21/67 ,  H01L21/683

Abstract: 本文提供用于基板处理系统中的基板支撑件的基板位置校准的方法与设备。一些实施方式中，一种用于在基板支撑件上定位基板的方法包括：通过重复地将基板放置于基板支撑件上的位置且将所述基板真空吸附至所述基板支撑件及测量背侧压力，而获得多个背侧压力值，所述背侧压力值对应于所述基板支撑件上的多个不同的基板位置；以及分析所述多个背侧压力值，以确定校准过的基板位置。

公开(公告)号：CN110462810B

公开(公告)日：2023-12-08

申请号：CN201880016511.9

申请日：2018-02-06

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 松下智治 ,  阿拉维德·卡马斯 ,  贾勒帕里·拉维 ,  蔡振雄 ,  高滨宏行

IPC: H01L21/68 ,  H01L21/67 ,  H01L21/683

Abstract: 本文提供用于基板处理系统中的基板支撑件的基板位置校准的方法与设备。一些实施方式中，一种用于在基板支撑件上定位基板的方法包括：通过重复地将基板放置于基板支撑件上的位置且将所述基板真空吸附至所述基板支撑件及测量背侧压力，而获得多个背侧压力值，所述背侧压力值对应于所述基板支撑件上的多个不同

公开(公告)号：CN107112262B

公开(公告)日：2021-09-03

申请号：CN201580068865.4

申请日：2015-10-22

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 松下智治 ,  贾勒帕里·拉维 ,  蔡振雄 ,  阿拉维德·卡马斯 ,  枭雄·袁 ,  曼朱纳塔·科普帕

IPC: H01L21/67 ,  H05B3/26

Abstract: 本文提供基板支撑件的实施方式。在某些实施方式中，基板支撑件可包括具有支撑表面的主体；及第一加热器，第一加热器设置于主体内且具有第一加热线圈与多个加热区，其中第一加热线圈的绕组间距在多个加热区之间变化，以界定多个加热区之间的预定加热比率。

公开(公告)号：CN109616428A

公开(公告)日：2019-04-12

申请号：CN201811129813.5

申请日：2015-10-22

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 松下智治 ,  贾勒帕里·拉维 ,  蔡振雄 ,  阿拉维德·卡马斯 ,  枭雄·袁 ,  曼朱纳塔·科普帕

IPC: H01L21/67 ,  H05B3/26

Abstract: 本文提供基板支撑件的实施方式。在某些实施方式中，基板支撑件可包括具有支撑表面的主体；及第一加热器，第一加热器设置于主体内且具有第一加热线圈与多个加热区，其中第一加热线圈的绕组间距在多个加热区之间变化，以界定多个加热区之间的预定加热比率。