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公开(公告)号：CN115335980A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202180008722.X
申请日：2021-06-28
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/285 , C23C16/34 , C23C16/56 , C23C16/455 , H01L21/67
Abstract: 描述了形成铜互连的方法。形成于基板上的铜层上的掺杂氮化钽层具有第一掺杂剂量。将掺杂氮化钽层暴露于包含氦或氖中的一或多者的等离子体，以形成经处理的掺杂氮化钽层，经处理的掺杂氮化钽层具有减少的掺杂剂量。亦描述用于进行所述方法的设备。
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公开(公告)号：CN115210862A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202180009152.6
申请日：2021-07-20
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/285
Abstract: 本公开内容的多个实施方式涉及用于形成阻挡层的方法和材料，该阻挡层具有增进的阻挡性能和/或降低的过孔电阻。本公开内容的一些实施方式提供用于通过将金属表面暴露于金属络合物来钝化该金属表面的方法，该金属络合物包含有机配体，该有机配体具有至少三个碳原子和与中心金属原子η键结的双键或三键。一些实施方式提供过孔内的阻挡层，而实现了至少25％的电阻降低，这是由于具有等效阻挡性质的更薄的阻挡层所造成。
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公开(公告)号：CN103548117A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201280024572.2
申请日：2012-05-18
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/20
CPC classification number: H01L21/02304 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02505 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L29/2003 , H01L29/872
Abstract: 本发明公开以先进多重缓冲层技术生长高结晶质量III族氮化物外延层的方法。在实施例中，本发明的方法包括在氢化物气相外延处理系统的处理腔室中的合适衬底上形成含铝III族氮化物缓冲层。在缓冲层沉积期间，将卤化氢或卤素气体流入生长区内，以抑制均质颗粒形成。含铝低温缓冲物(如，AlN、AlGaN)及含铝高温缓冲物(如，AlN、AlGaN)的某些组合可用来改善后续生长的III族氮化物外延层的结晶质量及型态。可将缓冲物沉积于衬底上，或可将缓冲物沉积于另一个缓冲物的表面上。额外的缓冲层可被加入作为III族氮化物层(如，GaN、AlGaN、AlN)中的夹层。
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公开(公告)号：CN103548116A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201280024289.X
申请日：2012-05-18
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: H01L21/0254 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0262 , H01L21/02658 , H01L33/007
Abstract: 本公开内容的实施方式涉及用于预处理基板和III族氮化物层以制造诸如发光二极管（LED）、激光二极管（LD）或功率电子器件之类的器件的方法。本公开内容的一个实施方式提供一种方法，包括以下步骤：提供一个或更多个具有含铝表面的基板至处理腔室中，及使一个或更多个具有含铝表面的基板中的每一个基板的表面暴露至预处理气体混合而形成预处理表面。预处理气体混合物包括氨（NH3）、卤化铝气体（例如AlCl3、AlCl）和含蚀刻剂气体，含蚀刻剂气体包括卤素气体（例如Cl2）或卤化氢气体（例如HCl）。
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公开(公告)号：CN113795609B
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202080033013.2
申请日：2020-05-05
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/04 , C23C16/455 , C23C16/34 , H01L21/768
Abstract: 揭示了用于在非金属表面上进行选择性沉积的方法。本揭示内容的一些实施方式利用不饱和烃在金属表面上形成阻止层。进行沉积以选择性地沉积于未受阻止的非金属表面上。本揭示内容的一些实施方式涉及形成具减小的电阻的金属过孔的方法。
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公开(公告)号：CN114930519A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202180008890.9
申请日：2021-04-28
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/67 , H01J37/32 , C23C16/455
Abstract: 用于处理基板的方法和装置包括清洁和自组装单层(SAM)形成，用于后续的反向选择性原子层沉积。装置可包括：工艺腔室，具有处理空间和包括基座的基板支撑件；远程等离子体源，流体地耦合至工艺腔室，且配置成产生自由基或具有自由基的离子化气体混合物，所述自由基或离子化气体混合物流动到处理空间中以从基板的表面移除残留物或氧化物；第一气体输送系统，具有第一安瓿，所述第一安瓿配置成提供至少一种第一化学物质至处理空间中，以在基板的表面上产生SAM；加热系统，定位于基座中，且配置成通过在基板的背侧上的流动气体加热基板；和真空系统，流体地耦合至工艺腔室，且配置成控制基板的加热。
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公开(公告)号：CN104067374A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201280054303.0
申请日：2012-10-12
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C23C16/303 , C23C16/4488 , C23C16/45574 , C23C16/4558 , Y10T137/0318 , Y10T137/8593
Abstract: 本发明描述根据一个实施例的具有多个气体分配组件的示例性设备。在一个实施例中，该设备包括两个或更多个气体分配组件。每一气体分配组件具有孔，通过所述孔将至少一种工艺气体引入至处理腔室。两个或更多个气体分配组件可被设计为具有互补的特征径向膜生长速率分布。
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公开(公告)号：CN103548116B
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201280024289.X
申请日：2012-05-18
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: H01L21/0254 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0262 , H01L21/02658 , H01L33/007
Abstract: 本公开内容的实施方式涉及用于预处理基板和III族氮化物层以制造诸如发光二极管（LED）、激光二极管（LD）或功率电子器件之类的器件的方法。本公开内容的一个实施方式提供一种方法，包括以下步骤：提供一个或更多个具有含铝表面的基板至处理腔室中，及使一个或更多个具有含铝表面的基板中的每一个基板的表面暴露至预处理气体混合而形成预处理表面。预处理气体混合物包括氨（NH3）、卤化铝气体（例如AlCl3、AlCl）和含蚀刻剂气体，含蚀刻剂气体包括卤素气体（例如Cl2）或卤化氢气体（例如HCl）。
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公开(公告)号：CN103548124B
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201280024597.2
申请日：2012-05-18
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/318 , H01L21/205
CPC classification number: C30B25/14 , C30B25/02 , C30B25/18 , C30B25/183 , C30B29/40 , C30B29/403 , C30B29/406
Abstract: 本发明公开以先进缓冲层技术生长III族氮化物半导体化合物的方法。在实施例中，本发明的方法包括于氢化物气相外延处理系统的处理腔室中提供合适的衬底。所述方法包括通过下列步骤形成AlN缓冲层：将氨气流入处理腔室的生长区内，将含卤化铝前驱物流至所述生长区，并同时将额外的卤化氢或卤素气体流入处理腔室的生长区内。流入生长区内的额外卤化氢或卤素气体在缓冲层沉积期间抑制均质AlN颗粒形成。在终止含卤化铝前驱物的流动的同时，可持续使卤化氢或卤素气体流入达一时间段。
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