公开(公告)号：CN103548124A

公开(公告)日：2014-01-29

申请号：CN201280024597.2

申请日：2012-05-18

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 尤里·梅尔尼克 ,  陈璐 ,  湖尻英彦

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/205

CPC classification number: C30B25/14 ,  C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  C30B25/183 ,  C30B29/40 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406

Abstract: 本发明公开以先进缓冲层技术生长III族氮化物半导体化合物的方法。在实施例中，本发明的方法包括于氢化物气相外延处理系统的处理腔室中提供合适的衬底。所述方法包括通过下列步骤形成AlN缓冲层：将氨气流入处理腔室的生长区内，将含卤化铝前驱物流至所述生长区，并同时将额外的卤化氢或卤素气体流入处理腔室的生长区内。流入生长区内的额外卤化氢或卤素气体在缓冲层沉积期间抑制均质AlN颗粒形成。在终止含卤化铝前驱物的流动的同时，可持续使卤化氢或卤素气体流入达一时间段。

公开(公告)号：CN103548117A

公开(公告)日：2014-01-29

申请号：CN201280024572.2

申请日：2012-05-18

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 尤里·梅尔尼克 ,  陈璐 ,  湖尻英彦

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L21/02304 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明公开以先进多重缓冲层技术生长高结晶质量III族氮化物外延层的方法。在实施例中，本发明的方法包括在氢化物气相外延处理系统的处理腔室中的合适衬底上形成含铝III族氮化物缓冲层。在缓冲层沉积期间，将卤化氢或卤素气体流入生长区内，以抑制均质颗粒形成。含铝低温缓冲物(如，AlN、AlGaN)及含铝高温缓冲物(如，AlN、AlGaN)的某些组合可用来改善后续生长的III族氮化物外延层的结晶质量及型态。可将缓冲物沉积于衬底上，或可将缓冲物沉积于另一个缓冲物的表面上。额外的缓冲层可被加入作为III族氮化物层(如，GaN、AlGaN、AlN)中的夹层。

公开(公告)号：CN103548116A

公开(公告)日：2014-01-29

申请号：CN201280024289.X

申请日：2012-05-18

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 尤里·梅尔尼克 ,  陈璐 ,  湖尻英彦

IPC: H01L21/20 ,  H01L33/00 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L21/0254 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658 ,  H01L33/007

Abstract: 本公开内容的实施方式涉及用于预处理基板和III族氮化物层以制造诸如发光二极管（LED）、激光二极管（LD）或功率电子器件之类的器件的方法。本公开内容的一个实施方式提供一种方法，包括以下步骤：提供一个或更多个具有含铝表面的基板至处理腔室中，及使一个或更多个具有含铝表面的基板中的每一个基板的表面暴露至预处理气体混合而形成预处理表面。预处理气体混合物包括氨（NH3）、卤化铝气体（例如AlCl3、AlCl）和含蚀刻剂气体，含蚀刻剂气体包括卤素气体（例如Cl2）或卤化氢气体（例如HCl）。

公开(公告)号：CN103548116B

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201280024289.X

申请日：2012-05-18

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 尤里·梅尔尼克 ,  陈璐 ,  湖尻英彦

IPC: H01L21/20 ,  H01L33/00 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L21/0254 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658 ,  H01L33/007

Abstract: 本公开内容的实施方式涉及用于预处理基板和III族氮化物层以制造诸如发光二极管（LED）、激光二极管（LD）或功率电子器件之类的器件的方法。本公开内容的一个实施方式提供一种方法，包括以下步骤：提供一个或更多个具有含铝表面的基板至处理腔室中，及使一个或更多个具有含铝表面的基板中的每一个基板的表面暴露至预处理气体混合而形成预处理表面。预处理气体混合物包括氨（NH3）、卤化铝气体（例如AlCl3、AlCl）和含蚀刻剂气体，含蚀刻剂气体包括卤素气体（例如Cl2）或卤化氢气体（例如HCl）。

公开(公告)号：CN103548124B

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201280024597.2

申请日：2012-05-18

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 尤里·梅尔尼克 ,  陈璐 ,  湖尻英彦

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/205

CPC classification number: C30B25/14 ,  C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  C30B25/183 ,  C30B29/40 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406

Abstract: 本发明公开以先进缓冲层技术生长III族氮化物半导体化合物的方法。在实施例中，本发明的方法包括于氢化物气相外延处理系统的处理腔室中提供合适的衬底。所述方法包括通过下列步骤形成AlN缓冲层：将氨气流入处理腔室的生长区内，将含卤化铝前驱物流至所述生长区，并同时将额外的卤化氢或卤素气体流入处理腔室的生长区内。流入生长区内的额外卤化氢或卤素气体在缓冲层沉积期间抑制均质AlN颗粒形成。在终止含卤化铝前驱物的流动的同时，可持续使卤化氢或卤素气体流入达一时间段。

公开(公告)号：CN103548117B

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：CN201280024572.2

申请日：2012-05-18

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 尤里·梅尔尼克 ,  陈璐 ,  湖尻英彦

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L21/02304 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明公开以先进多重缓冲层技术生长高结晶质量III族氮化物外延层的方法。在实施例中，本发明的方法包括在氢化物气相外延处理系统的处理腔室中的合适衬底上形成含铝III族氮化物缓冲层。在缓冲层沉积期间，将卤化氢或卤素气体流入生长区内，以抑制均质颗粒形成。含铝低温缓冲物(如，AlN、AlGaN)及含铝高温缓冲物(如，AlN、AlGaN)的某些组合可用来改善后续生长的III族氮化物外延层的结晶质量及型态。可将缓冲物沉积于衬底上，或可将缓冲物沉积于另一个缓冲物的表面上。额外的缓冲层可被加入作为III族氮化物层(如，GaN、AlGaN、AlN)中的夹层。