公开(公告)号：CN117597465A

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN202280047352.5

申请日：2022-06-16

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 贝纳切克·梅巴克 ,  李正周 ,  科马尔·加德 ,  基索尔·库马尔·卡拉提帕拉比尔 ,  唐先敏 ,  谢祥金 ,  李睿

IPC: C23C14/34 ,  H01L21/768 ,  C23C14/04 ,  C23C14/58

Abstract: 提供了用于处理基板的方法及设备。该方法包括：在物理气相沉积(PVD)腔室中从靶材溅射材料以在包含基板特征的层上形成材料层，该特征具有由第一侧壁及第二侧壁限定的开口宽度，该材料层在该层的顶表面具有比在该特征之内的第一侧壁或第二侧壁上的厚度更大的侧向厚度；通过在低功率下用射频偏压将该层偏压在层上沉积额外材料；通过在高功率下用射频偏压将该层偏压从该层蚀刻材料层；并且以预定频率在低功率与高功率之间重复交替。

公开(公告)号：CN115335980A

公开(公告)日：2022-11-11

申请号：CN202180008722.X

申请日：2021-06-28

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 李睿 ,  谢祥金 ,  河泰泓 ,  唐先敏 ,  陈璐

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/285 ,  C23C16/34 ,  C23C16/56 ,  C23C16/455 ,  H01L21/67

Abstract: 描述了形成铜互连的方法。形成于基板上的铜层上的掺杂氮化钽层具有第一掺杂剂量。将掺杂氮化钽层暴露于包含氦或氖中的一或多者的等离子体，以形成经处理的掺杂氮化钽层，经处理的掺杂氮化钽层具有减少的掺杂剂量。亦描述用于进行所述方法的设备。

公开(公告)号：CN116897221A

公开(公告)日：2023-10-17

申请号：CN202280017611.X

申请日：2022-03-08

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 李睿 ,  安德鲁·腾科 ,  谢祥金 ,  吉留刚一

IPC: C23C14/35

Abstract: 本案提供了用于处理腔室中的线圈的实施方式。在一些实施方式中，用于处理腔室中的线圈包括：线圈主体，该线圈主体具有第一端部和相对的第二端部，该第二端部经由中部部分耦接到该第一端部，该线圈主体具有环形形状，其中该第一端部和该第二端部彼此相邻设置且间隔开一间隙，该间隙在该环形形状中形成不连续部，其中该第一端部和该第二端部中的至少一个具有大于该中部部分的高度的高度；及多个集线器，该多个集线器耦接到该线圈主体的外侧壁且被配置成利于将该线圈耦接到该处理腔室，其中该多个集线器中的一集线器耦接到该第一端部和该第二端部中的各者，且该多个集线器中的该集线器被配置成将该线圈耦接到电源。

公开(公告)号：CN119053890A

公开(公告)日：2024-11-29

申请号：CN202380034343.7

申请日：2023-04-10

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 李睿 ,  仓富敬 ,  阿莱克西亚·阿迪琳·波蒂洛·里维拉

IPC: G02B6/00 ,  C23C16/02 ,  C23C16/14 ,  C23C16/06

Abstract: 本公开内容的实施方式总体涉及具有用于减少的硬模扩散和/或硬模残余的阻挡层的光学装置，和形成所述光学装置的相关方法。在一或多个实施方式中，多个光学装置结构各自在移除硬模层之前包括设置在装置功能层与硬模层之间的阻挡层。

公开(公告)号：CN117280439A

公开(公告)日：2023-12-22

申请号：CN202280033650.9

申请日：2022-05-07

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 李睿 ,  谢祥金 ,  唐先敏 ,  安东尼·志-东·陈

IPC: H01J37/32

Abstract: 本文提供了用于形成阻挡层的方法及设备。在一些实施方式中，一种在基板上形成阻挡层的方法包括：通过将施加至支撑基板的基板支撑件的偏压功率脉冲化并同时将沉积在基板上及基板的特征之内的层暴露于等离子体来处理该层。被暴露的层可通过原子层沉积工艺沉积，并且可以是例如氮化钽层。偏压功率可以是在约1Hz至约10kHz的脉冲频率下高达500瓦的射频功率。偏压功率可均匀地被脉冲化或以多个不同的级别被脉冲化。

公开(公告)号：CN114930521A

公开(公告)日：2022-08-19

申请号：CN202180008927.8

申请日：2021-09-14

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 仲兰兰 ,  张富宏 ,  沈刚 ,  陈枫 ,  李睿 ,  谢祥金 ,  河泰泓 ,  唐先敏

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/285 ,  H01L21/67

Abstract: 本文提供了用于填充基板上的特征的方法及设备。在一些实施例中，一种填充基板上的特征的方法包括：在第一温度下经由化学气相沉积(CVD)工艺在第一处理腔室中在基板上及设置在基板中的特征内沉积第一金属材料；在第二温度及第一偏置功率下在第二处理腔室中在第一金属材料上沉积第二金属材料以形成第二金属材料的种晶层；在大于第一偏置功率的第二偏置功率下在第二处理腔室中蚀刻种晶层以在特征内形成包含第一金属材料及第二金属材料的互相混合层；以及将基板加热至高于第二温度的第三温度，从而导致第二金属材料的回流。