-
公开(公告)号：CN111095514B
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN201880058133.0
申请日：2018-08-21
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本文提供了用于处理基板的设备。在一些实施方式中，喷头组件包括：气体分配板，气体分配板具有多个孔；保持器，保持器具有壁、径向向内延伸的凸缘、和径向向外延伸的凸缘，所述径向向内延伸的凸缘从壁的下部延伸且耦接至气体分配板，所述径向向外延伸的凸缘从壁的上部延伸，其中壁具有在约0.015英寸与约0.2英寸之间的厚度；和加热设备，所述加热设备设置在气体分配板上方并且与气体分配板间隔开，其中加热设备包括加热器，加热器配置以加热气体分配(56)对比文件US 2011253044 A1,2011.10.20US 2015011096 A1,2015.01.08US 2001035127 A1,2001.11.01庄清平.外加电场气相法制备纳米无机氧化物.中国工程科学.2007,(02),全文.
-
公开(公告)号：CN113348265B
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN201980088231.3
申请日：2019-12-19
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/14 , C23C16/42 , C23C16/505 , C23C16/04 , C23C16/56
Abstract: 揭露了用于在具有硅表面和介电表面的基板的顶上选择性地沉积钛材料层的方法和设备。在实施方式中，一种设备被配置成用于在处理腔室的盖加热器和喷头之间的区域中在摄氏200至800度的第一温度下在四氯化钛(TiCl4)、氢(H2)和氩(Ar)之间形成远程等离子体反应；及使反应产物流入处理腔室中，以在基板的硅表面上选择性地形成钛材料层。
-
公开(公告)号：CN110024079A
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201780071909.8
申请日：2017-11-20
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 阿夫耶里诺斯·V·杰拉托斯 , 仓富敬 , 海克·林 , 伊诚·陈 , 张镁
IPC: H01L21/02 , H01L21/285
Abstract: 在基板的高深宽比特征结构中的含硅表面上选择性地沉积含钛膜的方法包括等离子体功率在范围为约1毫瓦/cm2至小于约700毫瓦/cm2和频率在范围为约10kHz至约50MHz的等离子体增强化学气相沉积(PECVD)处理。此钛膜可以范围为至少约1.3：1的金属性硅表面相对于二氧化硅表面的选择性而被选择性沉积。
-
公开(公告)号：CN117604484A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202311426527.6
申请日：2019-12-19
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/14 , C23C16/04 , C23C16/505 , C23C16/509 , C23C16/42 , C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/56 , H01J37/32 , H01L21/285 , H01L21/67 , H01L21/768
Abstract: 揭露了用于在具有硅表面和介电表面的基板的顶上选择性地沉积钛材料层的方法和设备。在实施方式中，一种设备被配置成用于在处理腔室的盖加热器和喷头之间的区域中在摄氏200至800度的第一温度下在四氯化钛(TiCl4)、氢(H2)和氩(Ar)之间形成远程等离子体反应；及使反应产物流入处理腔室中，以在基板的硅表面上选择性地形成钛材料层。
-
公开(公告)号：CN113348265A
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN201980088231.3
申请日：2019-12-19
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/14 , C23C16/42 , C23C16/505 , C23C16/04 , C23C16/56
Abstract: 揭露了用于在具有硅表面和介电表面的基板的顶上选择性地沉积钛材料层的方法和设备。在实施方式中，一种设备被配置成用于在处理腔室的盖加热器和喷头之间的区域中在摄氏200至800度的第一温度下在四氯化钛(TiCl4)、氢(H2)和氩(Ar)之间形成远程等离子体反应；及使反应产物流入处理腔室中，以在基板的硅表面上选择性地形成钛材料层。
-
Patent Agency Ranking
-
公开(公告)号：CN116438329A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202180027884.8
申请日：2021-04-08
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/455
Abstract: 本文提供了用于在半导体制造设备部件上沉积涂层的方法和设备。在一些实施方式中，一种在半导体制造设备部件上沉积涂层的方法包括：将包括镍或镍合金的半导体制造设备部件按顺序暴露于铝前驱物和反应物，以通过沉积工艺在半导体制造设备部件的表面上形成含铝层。
-
公开(公告)号：CN108369902B
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN201680070845.5
申请日：2016-12-16
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 布伦特·比格斯 , 阿夫耶里诺斯·V·杰拉托斯 , 仓富敬 , 马克·H·李
IPC: H01L21/28 , H01L21/324 , H01L21/02
Abstract: 本发明揭露一种用于在经氧化退火的金属氮化物膜中降低氧含量的方法，包括将此膜暴露至等离子体。
-
公开(公告)号：CN113261075A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN201980086259.3
申请日：2019-11-21
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/67 , H01L29/78 , H01L29/66 , H01L21/768
Abstract: 本文公开的实施方式包括用于形成触点的处理系统及方法。此处理系统包括多个处理腔室，经配置以沉积、蚀刻和/或退火基板的源极/漏极区。此方法包括在源极/漏极区上方沉积经掺杂半导体层、在沟槽中形成锚定层、以及在沟槽中沉积导体。用于形成触点的方法通过使用集成处理造成降低的触点电阻，此集成处理容许源极/漏极触点形成的各种操作在相同处理系统内执行。
-
公开(公告)号：CN119053890A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202380034343.7
申请日：2023-04-10
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 李睿 , 仓富敬 , 阿莱克西亚·阿迪琳·波蒂洛·里维拉
Abstract: 本公开内容的实施方式总体涉及具有用于减少的硬模扩散和/或硬模残余的阻挡层的光学装置，和形成所述光学装置的相关方法。在一或多个实施方式中，多个光学装置结构各自在移除硬模层之前包括设置在装置功能层与硬模层之间的阻挡层。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
12
records
(took 0.017 seconds)
