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公开(公告)号：CN112930591A
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN201980059554.X
申请日：2019-09-03
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/677
Abstract: 本文论述的系统及方法用于群集工具，群集工具可用于MOSFET装置制造，MOSFET装置包括NMOS及PMOS装置。群集工具包括处理腔室，用于预清洁、金属硅化物或金属锗化物膜形成、及表面保护操作，如覆盖和氮化作用。群集工具可包括被配置为形成源极和漏极的一个或多个处理腔室。将在群集工具中制造的装置制造成具有至少一个保护层，此至少一个保护层形成于金属硅化物或金属锗化物膜上方以在处理期间保护膜免受污染并且传送至分隔系统。
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公开(公告)号：CN113678260A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202080012731.1
申请日：2020-01-27
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L29/45 , H01L29/08 , H01L29/417 , H01L21/8234 , H01L21/768 , H01L29/66 , H01L21/67
Abstract: 本公开内容大致上关于形成半导体器件的方法、一种半导体器件及一种处理腔室。该方法包括：在处理系统中形成源极/漏极区域；在该处理系统中于该源极/漏极区域上形成掺杂的半导体层；形成金属硅化物层；形成介电材料；在该介电材料中形成沟槽；以及以导体填充该沟槽。在不破真空的情况下形成该源极/漏极区域、该掺杂的半导体层和该金属硅化物层。一种半导体器件包括多个层，且该半导体器件具有减小的接触电阻。一种处理系统被配置成执行该方法并且形成该半导体器件。本公开内容的实施方式使得能够通过使用整合工艺形成具有减小的接触电阻的源极/漏极接触，该整合工艺容许在同一处理系统内执行形成源极/漏极接触的各种操作。
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公开(公告)号：CN113261075A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN201980086259.3
申请日：2019-11-21
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/67 , H01L29/78 , H01L29/66 , H01L21/768
Abstract: 本文公开的实施方式包括用于形成触点的处理系统及方法。此处理系统包括多个处理腔室，经配置以沉积、蚀刻和/或退火基板的源极/漏极区。此方法包括在源极/漏极区上方沉积经掺杂半导体层、在沟槽中形成锚定层、以及在沟槽中沉积导体。用于形成触点的方法通过使用集成处理造成降低的触点电阻，此集成处理容许源极/漏极触点形成的各种操作在相同处理系统内执行。
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公开(公告)号：CN112930591B
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN201980059554.X
申请日：2019-09-03
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/677
Abstract: 本文论述的系统及方法用于群集工具，群集工具可用于MOSFET装置制造，MOSFET装置包括NMOS及PMOS装置。群集工具包括处理腔室，用于预清洁、金属硅化物或金属锗化物膜形成、及表面保护操作，如覆盖和氮化作用。群集工具可包括被配置为形成源极和漏极的一个或多个处理腔室。将在群集工具中制造的装置制造成具有至少一个保护层，此至少一个保护层形成于金属硅化物或金属锗化物膜上方以在处理期间保护膜免受污染并且传送至分隔系统。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111712924A
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN201980012762.4
申请日：2019-02-15
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L29/06 , H01L21/768 , H01L21/8234
Abstract: 可以执行处理方法，以在半导体基板上形成空气间隙间隔件。所述方法可以包括以下步骤：形成间隔件结构，间隔件结构包括第一材料和与第一材料不同的第二材料。所述方法可以包括以下步骤：形成源/漏结构。源/漏结构可以通过至少一种其他材料从间隔件结构的第二材料偏移。所述方法还可以包括以下步骤：从间隔件结构蚀刻第二材料，以形成空气间隙。在蚀刻期间，源/漏结构可以是未暴露于蚀刻剂材料的。
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公开(公告)号：CN113678260B
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202080012731.1
申请日：2020-01-27
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本公开内容大致上关于形成半导体器件的方法、一种半导体器件及一种处理腔室。该方法包括：在处理系统中形成源极/漏极区域；在该处理系统中于该源极/漏极区域上形成掺杂的半导体层；形成金属硅化物层；形成介电材料；在该介电材料中形成沟槽；以及以导体填充该沟槽。在不破真空的情况下形成该源极/漏极区域、该掺杂的半导体层和该金属硅化物层。一种半导体器件包括多个层，且该半导体器件具有减小的接触电阻。一种处理系统被配置成执行该方法并且形成该半导体器件。本公开内容的实施方式使得能够通过使用整合工艺形成具有减小的接触电阻的源极/漏极接触，该整合工艺容许在同一处理系统内执行形成源极/漏极接触的各种操作。
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公开(公告)号：CN111712924B
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN201980012762.4
申请日：2019-02-15
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L29/06 , H01L21/768 , H01L21/8234
Abstract: 可以执行处理方法，以在半导体基板上形成空气间隙间隔件。所述方法可以包括以下步骤：形成间隔件结构，间隔件结构包括第一材料和与第一材料不同的第二材料。所述方法可以包括以下步骤：形成源/漏结构。源/漏结构可以通过至少一种其他材料从间隔件结构的第二材料偏移。所述方法还可以包括以下步骤：从间隔件结构蚀刻第二材料，以形成空气间隙。在蚀刻期间，源/漏结构可以是未暴露于蚀刻剂材料的。
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公开(公告)号：CN113383426A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202080011467.X
申请日：2020-01-09
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L29/417 , H01L29/66 , H01L29/78
Abstract: 一种半导体器件制造处理包括：在具有多个开口的基板上形成栅极，每个栅极具有第一金属的导电层与第一介电材料的栅极介电层，以第二介电材料部分地填充所述开口，在不破坏真空的处理系统中的基板上形成第一结构，在第一结构上方沉积第三介电材料，及形成所述栅极的平坦化表面与安置设置在第一结构上方的第三介电材料的表面。形成第一结构包括：通过去除每个开口内的第二介电材料的第二部分而形成沟槽，通过以第二金属部分地填充所述沟槽而在所述沟槽中形成凹陷有源区，在每个凹陷有源区上方形成衬垫，及在各衬垫上方形成金属盖层。
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