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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118743027A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202280092244.X
申请日：2022-07-14
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 迈克尔·哈维蒂 , 阿夫耶里诺斯·V·杰拉托斯 , 穆图库马尔·卡利亚潘
Abstract: 本案揭示内容的实施方式提供包括功函数层电子元件与方法，该功函数层包括不形成硅化物的材料。电子元件包括硅层及金属接触件，在该硅层上有功函数层，该金属接触件在该功函数层上。
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公开(公告)号：CN117716486A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202280052808.7
申请日：2022-07-26
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/8238
Abstract: 用于降低半导体器件的界面电阻的方法利用双工作功能金属硅化物。在一些实施例中，方法可包含：在Epi表面上选择性地沉积金属硅化物层，以及在沉积期间调整金属硅化物层的金属与硅的比，以基于Epi表面为P型Epi表面还是N型Epi表面来改变金属硅化物层的工作功能，以达成小于0.5eV的肖特基阻挡高度。P型Epi表面的工作功能可被调整至为约5.0eV的值，并且N型Epi表面的工作功能可被调整至为约3.8eV的值。可在沉积接触蚀刻终止层及活化退火之前在Epi表面上执行金属硅化物层的沉积。
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公开(公告)号：CN118824944A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410478054.2
申请日：2024-04-19
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 卡利亚潘·穆图库马尔 , 金龙珍 , 卡门·莱尔·塞万提斯 , 巴斯卡尔·乔蒂·布雅 , 谢祥金 , 迈克尔·哈维蒂 , 凯文·卡舍菲 , 马克·沙丽 , 艾伦·丹格菲尔德 , 杰苏斯·坎德拉里奥·门多萨-古铁雷斯
IPC: H01L21/768
Abstract: 描述了通过增强选择性沉积来形成半导体元件的方法。在一些实施例中，在沉积阻挡层之前将阻障层沉积在金属表面上。这些方法包括将具有金属表面、电介质表面和氧化铝表面或氮化铝表面的基板暴露于阻障分子，例如含硼化合物，以在氧化铝表面或氮化铝表面中的一个和电介质表面上方的金属表面上选择性地形成阻障层。
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公开(公告)号：CN118588634A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410239566.3
申请日：2024-03-01
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 卡利亚潘·穆图库马尔 , 巴斯卡尔·乔蒂·布雅 , 金龙珍 , 卡门·莱尔·塞万提斯 , 谢祥金 , 杰苏斯·坎德拉里奥·门多萨-古铁雷斯 , 艾伦·丹格菲尔德 , 迈克尔·哈维蒂 , 马克·沙丽 , 凯文·卡舍菲
IPC: H01L21/768
Abstract: 描述了通过增强选择性沉积来形成半导体装置的方法。在一些实施方式中，在沉积阻挡层之前将阻碍层沉积在金属表面上。这些方法包括将具有金属表面、电介质表面和氧化铝表面或氮化铝表面的基板暴露于阻碍分子，以相对于氧化铝表面或氮化铝表面中的一者以及电介质表面在金属表面上选择性地形成阻碍层。
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公开(公告)号：CN117413342A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202280037851.6
申请日：2022-06-22
Inventor： 钱丹·克雷·巴里克 , 多琳·卫英·勇 , 约翰·苏迪约诺 , 聪·郑 , 巴斯卡尔·乔蒂·布雅 , 迈克尔·哈维蒂 , 穆图库马尔·卡利亚潘 , 陈颖倩 , 阿尼尔·库马尔·图曼斯佩利 , 理查德·明·华·黄
IPC: H01L21/02
Abstract: 描述了新颖环状硅前驱物及氧化剂。描述了用于在基板上沉积含硅膜的方法。基板经暴露于硅前驱物及反应物以形成含硅膜(例如，元素硅、氧化硅、氮化硅)。这些暴露可为顺序的或同时的。
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