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公开(公告)号：CN117716486A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202280052808.7
申请日：2022-07-26
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/8238
Abstract: 用于降低半导体器件的界面电阻的方法利用双工作功能金属硅化物。在一些实施例中，方法可包含：在Epi表面上选择性地沉积金属硅化物层，以及在沉积期间调整金属硅化物层的金属与硅的比，以基于Epi表面为P型Epi表面还是N型Epi表面来改变金属硅化物层的工作功能，以达成小于0.5eV的肖特基阻挡高度。P型Epi表面的工作功能可被调整至为约5.0eV的值，并且N型Epi表面的工作功能可被调整至为约3.8eV的值。可在沉积接触蚀刻终止层及活化退火之前在Epi表面上执行金属硅化物层的沉积。
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