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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115836250A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202180046735.6
申请日：2021-06-24
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 拉克马尔·C·卡拉塔拉格 , 艾伦·丹格菲尔德 , 马克·约瑟夫·萨利 , 戴维·迈克尔·汤普森 , 苏斯米特·辛哈·罗伊 , 瑞加娜·弗雷德
IPC: G03F7/16
Abstract: 本文所披露的实施方式包括使用干式沉积工艺沉积金属氧光刻胶的方法。在实施方式中，在真空腔室中于基板上方形成光刻胶层的方法包含将金属前驱物蒸气提供至真空腔室中。在实施方式中，方法进一步包含将氧化剂蒸气提供至真空腔室中，其中金属前驱物蒸气与氧化剂蒸气之间的反应导致在基板的表面上形成光刻胶层。在实施方式中，光刻胶层为含金属氧的材料。
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公开(公告)号：CN118824944A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410478054.2
申请日：2024-04-19
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 卡利亚潘·穆图库马尔 , 金龙珍 , 卡门·莱尔·塞万提斯 , 巴斯卡尔·乔蒂·布雅 , 谢祥金 , 迈克尔·哈维蒂 , 凯文·卡舍菲 , 马克·沙丽 , 艾伦·丹格菲尔德 , 杰苏斯·坎德拉里奥·门多萨-古铁雷斯
IPC: H01L21/768
Abstract: 描述了通过增强选择性沉积来形成半导体元件的方法。在一些实施例中，在沉积阻挡层之前将阻障层沉积在金属表面上。这些方法包括将具有金属表面、电介质表面和氧化铝表面或氮化铝表面的基板暴露于阻障分子，例如含硼化合物，以在氧化铝表面或氮化铝表面中的一个和电介质表面上方的金属表面上选择性地形成阻障层。
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公开(公告)号：CN118588634A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410239566.3
申请日：2024-03-01
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 卡利亚潘·穆图库马尔 , 巴斯卡尔·乔蒂·布雅 , 金龙珍 , 卡门·莱尔·塞万提斯 , 谢祥金 , 杰苏斯·坎德拉里奥·门多萨-古铁雷斯 , 艾伦·丹格菲尔德 , 迈克尔·哈维蒂 , 马克·沙丽 , 凯文·卡舍菲
IPC: H01L21/768
Abstract: 描述了通过增强选择性沉积来形成半导体装置的方法。在一些实施方式中，在沉积阻挡层之前将阻碍层沉积在金属表面上。这些方法包括将具有金属表面、电介质表面和氧化铝表面或氮化铝表面的基板暴露于阻碍分子，以相对于氧化铝表面或氮化铝表面中的一者以及电介质表面在金属表面上选择性地形成阻碍层。
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公开(公告)号：CN119343757A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202380046012.5
申请日：2023-06-06
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 戴维·汤普森 , 巴斯卡尔·乔蒂·布雅 , 马克·沙丽 , 丽莎·恩曼 , 艾伦·丹格菲尔德 , 杰苏斯·坎德拉里奥·门多萨 , 杰弗里·W·安西斯 , 拉克马尔·卡拉塔拉格
IPC: H01L21/308 , H01L21/306
Abstract: 本文描述一种用于选择性地清洁和/或蚀刻样品的方法。该方法包括在基板的沟槽中选择性地形成膜，使得该沟槽可以被选择性地蚀刻。聚合物膜沉积在沟槽的底表面上而不沉积在侧壁上。第二膜选择性的形成在该沟槽中而不在该聚合物膜上形成该第二膜。然后从该沟槽的该底表面移除该聚合物，并且然后使用蚀刻化学在该沟槽的该底表面上执行蚀刻，其中该第二膜保护该侧壁不被蚀刻。
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公开(公告)号：CN116997862A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202280022454.1
申请日：2022-03-08
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 拉克马尔·C·卡拉塔拉格 , 艾伦·丹格菲尔德 , 马克·约瑟夫·萨利
IPC: G03F7/16
Abstract: 本文公开的实施方式包括使用干法沉积和氧化处理工艺沉积正色调光刻胶的方法。在一实例中，用于在真空腔室中的基板上形成光刻胶层的方法包括将金属前驱物蒸气提供至真空腔室中。方法进一步包括将氧化剂蒸气提供至真空腔室中，其中金属前驱物蒸气与氧化剂蒸气之间的反应导致在基板的表面上形成正色调光刻胶层。此正色调光刻胶层为含金属‑氧的材料。此方法进一步包括在含氧环境中进行含金属‑氧的材料的后退火工艺。
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